固态图像拾取装置和图像拾取系统

    公开(公告)号:CN105789230B

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201610218783.X

    申请日:2012-05-22

    Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置和图像拾取系统。固态图像拾取装置包括均设置在半导体基板中的光电转换单元、电荷存储单元、浮置扩散单元、第一栅电极和第二栅电极。电荷存储单元存储在光电转换单元中产生的电荷。该电荷被传送至浮置扩散单元。第一栅电极在光电转换单元与电荷存储单元之间和电荷存储单元之上延伸,第二栅电极在电荷存储单元与浮置扩散单元之间延伸。固态图像拾取装置还包括遮光部件,设置在第一栅电极和电荷存储单元之上且在第一栅电极与第二栅电极之间。遮光部件的底表面的在第一栅电极与第二栅电极之间且在半导体基板的表面之上的部分比该底表面的在第一栅电极之上的另一部分距半导体基板的表面更近。

    固态图像拾取装置和图像拾取系统

    公开(公告)号:CN105789230A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610218783.X

    申请日:2012-05-22

    Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置和图像拾取系统。固态图像拾取装置包括均设置在半导体基板中的光电转换单元、电荷存储单元、浮置扩散单元、第一栅电极和第二栅电极。电荷存储单元存储在光电转换单元中产生的电荷。该电荷被传送至浮置扩散单元。第一栅电极在光电转换单元与电荷存储单元之间和电荷存储单元之上延伸,第二栅电极在电荷存储单元与浮置扩散单元之间延伸。固态图像拾取装置还包括遮光部件,设置在第一栅电极和电荷存储单元之上且在第一栅电极与第二栅电极之间。遮光部件的底表面的在第一栅电极与第二栅电极之间且在半导体基板的表面之上的部分比该底表面的在第一栅电极之上的另一部分距半导体基板的表面更近。

    图像拾取装置
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102572324A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201210007863.2

    申请日:2009-10-09

    CPC classification number: H04N5/3765 H04N5/35554 H04N5/361

    Abstract: 本发明涉及图像拾取装置,包含:多个像素,每一个具有光电转换单元、电荷存储单元、将光电转换单元的电荷转移到电荷存储单元的第一转移晶体管、浮动扩散区域、将电荷存储单元的电荷转移到浮动扩散区域的第二转移晶体管、和与浮动扩散区域电连接的放大晶体管;扫描单元,将使第二转移晶体管导通的导通脉冲、使第二转移晶体管不导通的非导通脉冲、和具有导通脉冲和非导通脉冲之间的峰值的中间电平脉冲提供到第二转移晶体管的栅极;产生单元,使用基于响应于导通脉冲和中间电平脉冲而转移的电荷的信号来产生图像信号;检测单元,检测温度;和控制单元,根据来自检测单元的关于所检测的温度的信息来改变中间电平脉冲的峰值和脉冲宽度中的至少一个。

    固态图像拾取器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN102549748A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN200980161788.1

    申请日:2009-10-09

    Abstract: 提供一种在像素中具有电荷保持部分的固态图像拾取器件,其中,无论电荷保持部分的杂质浓度如何,都提高从电荷保持部分到FD的电荷传输效率。所以固态图像拾取器件具有:光电转换部分;电荷保持部分,其包括第一传导类型第一半导体区;和传输部分,其包括传输栅电极,所述传输栅电极控制电荷保持部分与感测节点之间的电势。电荷保持部分包括控制电极,第二传导类型第二半导体区设置在控制电极与传输栅电极之间的半导体区的表面上,所述第二半导体区具有比第一半导体区的杂质浓度高的杂质浓度,第一传导类型第三半导体区设置在第二半导体区下面,第三半导体区的杂质浓度比第一半导体区的杂质浓度高。

    成像设备
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109979952A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201910126861.7

    申请日:2016-02-05

    Abstract: 本发明公开了一种成像设备。所述成像设备能够降低栅极驱动线的寄生电容。在所述成像设备中,具有在第一方向上彼此相邻排列的多个像素行,包括:第一像素行、与第一像素行相邻的第二像素行、与第一像素行相邻而不与第二像素行相邻的第三像素行。将为第一像素行设置的第一栅极驱动线和第二栅极驱动线设置在第一像素行和第二像素行之间,并将为第一像素行设置的第三栅极驱动线设置在第一像素行和第三像素行之间。所述第一、第二栅极驱动线驱动传输晶体管,所述第三栅极驱动线驱动溢出晶体管。

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