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    应用于CMOS图像传感器陶瓷PGA可调节封装夹具
    1.
    发明公开
    应用于CMOS图像传感器陶瓷PGA可调节封装夹具 审中-实审

    公开(公告)号：CN109449176A

    公开(公告)日：2019-03-08

    申请号：CN201811556829.4

    申请日：2018-12-19

    申请人： 积高电子(无锡)有限公司

    发明人： 王国建 ,  吴剑华

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/687

    CPC分类号： H01L27/14683 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L27/14618

    摘要： 本发明公开了一种应用于CMOS图像传感器陶瓷PGA可调节封装夹具，涉及夹具的结构设计领域，包括底板、压板、压紧机构；压板可拆卸固定于底板上方；压板上设置有容置CMOS图像传感器芯片垂直引脚的容置空间；底板上设置有若干凹口部；凹口部的底部设置有向上凸起部；凸起部具有弹性；凸起部的顶部高度低于凹口部的口部高度；凸起部上设置有用于调节顶部高度的调节装置。本发明提供的应用于CMOS图像传感器陶瓷PGA可调节封装夹具，容置空间可避免压合过程对垂直引脚造成的损坏，提高玻璃盖片的封装效率，增加企业的生产利润；凸起部及调节装置可提高玻璃盖片与CMOS图像传感器芯片的压合质量与效果。

    光转换的器件及其制备方法、红外成像设备
    3.
    发明公开
    光转换的器件及其制备方法、红外成像设备 无效

    公开(公告)号：CN109309102A

    公开(公告)日：2019-02-05

    申请号：CN201710616883.2

    申请日：2017-07-26

    申请人： TCL集团股份有限公司

    发明人： 陈崧 ,  曹蔚然 ,  杨一行 ,  向超宇 ,  钱磊

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14683

    摘要： 本发明属于显示器件领域，提供了光转换的器件及其制备方法、红外成像设备。本发明提供的光转换的器件，通过将感光部件和发光部件采取衬底上并列设置的方式进行组合，同时通过增益部件进行连接，从而实现器件的增益效果，使得器件具有更高的感光出光效率；由于器件的结构紧凑、体积小、重量轻，因而满足了器件便携式成像的要求；并且由于每个像素的结构简单、工艺难度低，使得每一个像素都适合现有的打印制备工艺，降低成本，可实现大面积的复制。

    图像传感器及其形成方法
    4.
    发明公开
    图像传感器及其形成方法 无效

    公开(公告)号：CN109065561A

    公开(公告)日：2018-12-21

    申请号：CN201811067385.8

    申请日：2018-09-13

    申请人： 德淮半导体有限公司

    发明人： 吴明 ,  吴孝哲 ,  林宗贤 ,  吴龙江 ,  熊建锋 ,  薛超

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14647 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14683

    摘要： 一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有逻辑器件；金属互连层，位于所述半导体衬底的表面，所述金属互连层内具有金属互连结构；多个光电转换块，位于所述金属互连层的表面，每个光电转换块包括堆叠的至少三层光电转换结构，每层光电转换结构均包括光电转换层以及连接结构，其中，不同的光电转换层经由所述连接结构和金属互连结构电连接至不同的逻辑器件。本发明方案可以形成更多的光生载流子，减少对半导体衬底的损伤，降低生产成本，减少工艺复杂度。

    图像传感器及其形成方法
    6.
    发明公开
    图像传感器及其形成方法 无效

    公开(公告)号：CN108682678A

    公开(公告)日：2018-10-19

    申请号：CN201810516523.X

    申请日：2018-05-25

    申请人： 德淮半导体有限公司

    发明人： 李晓明 ,  何延强 ,  林宗德 ,  何玉坤

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14683 ,  H01L27/14601

    摘要： 一种图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有第一介质层，所述半导体衬底包括逻辑区域和像素区域，所述逻辑区域内具有穿通孔且所述穿通孔贯穿所述第一介质层，所述穿通孔内填充有导电插塞；在所述像素区域的第一介质层表面形成网格状的格栅；形成保护层，所述保护层覆盖所述第一介质层以及所述格栅；刻蚀去除所述保护层以及所述第一介质层的一部分，以暴露出所述穿通孔的顶部表面以及所述格栅的一部分的顶部表面；形成衬垫，所述衬垫与所述导电插塞以及所述格栅的一部分电连接。本发明方案可以采用较小厚度的掩膜层，且可以采用规格更宽的套刻精度，有助于提高光刻工艺质量。

    背照式图像传感器的背面结构及制备方法
    7.
    发明公开
    背照式图像传感器的背面结构及制备方法 有权

    公开(公告)号：CN108281437A

    公开(公告)日：2018-07-13

    申请号：CN201810050421.3

    申请日：2018-01-18

    申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

    发明人： 曹静 ,  胡胜

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14683

    摘要： 本发明提供一种背照式图像传感器的背面结构及制备方法，背面结构包括：衬底，衬底包括凹槽和光电二极管预制备区；所述凹槽的底部下方填埋有一金属互联层；第一介质层，覆盖光电二极管预制备区处的衬底的表面；氧化层，覆盖凹槽的底部和侧壁，并且覆盖第一介质层的表面；开口，同时穿过所述凹槽内的所述氧化层和所述凹槽的底部的所述衬底，且终止于所述金属互联层；金属垫，在所述凹槽内部覆盖所述氧化层的一部分，并填充所述开口且与所述金属互联层接触；金属垫隔离层，形成于所述金属垫表面，用于将所述金属垫与外界环境进行隔离。本发明可解决背照式图像传感器背面结构的金属垫易受外界环境影响，进而导致器件性能下降的问题。