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公开(公告)号：CN101667391A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910171390.8
申请日：2009-08-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/325 , G09G2300/0426 , G09G2300/0439 , G09G2300/0814 , G09G2300/0852 , G09G2310/0251 , G09G2310/0262 , G09G2320/0223
Abstract: 本发明公开了一种像素电路、发光显示装置及其驱动方法。一种像素电路至少包括发光元件和薄膜晶体管，薄膜晶体管将根据发光元件的亮度-电流特性控制灰度级的第一电流供应给发光元件，其中，薄膜晶体管具有背栅电极，包括至少驱动时段和写入时段，在驱动时段中，薄膜晶体管将第一电流供应给发光元件，在写入时段中，为了使第一电流在驱动时段期间通过薄膜晶体管，在驱动时段之前，第二电流被写入薄膜晶体管，以及通过改变在驱动时段和写入时段中被施加到背栅电极的电压，使得对薄膜晶体管的栅极电压的电流能力不同。
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公开(公告)号：CN101266751A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810083579.7
申请日：2008-03-12
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/0417 , G09G2300/043 , G09G2300/0819 , G09G2300/0861 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 一种用于发光显示设备的驱动电路，其包括具有发光器件和驱动晶体管的像素电路，所述发光器件用于发出具有基于所提供的电流而确定的亮度的光，所述驱动晶体管用于向发光器件提供所述电流，所述驱动电路包括：阈值校正电路，用于把第二信号转换为第三信号以便向像素电路输出转换后的第三信号，所述第二信号包括驱动晶体管的阈值电压和数据电压，当包括数据电压的第一信号输入到所述驱动晶体管的控制电极时，从所述驱动晶体管输出所述第二电压，所述第三信号包括极性反转的阈值电压、和数据电压或者与数据电压相对应的电压。所述像素电路包括用于向所述驱动晶体管的所述控制电极提供第三信号的开关。
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公开(公告)号：CN102593188B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210057047.2
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1233
Abstract: 本发明涉及反相器。所述反相器包括形成在基板上的多个氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述多个氧化物半导体薄膜晶体管之中的每一个包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，至少两个氧化物半导体薄膜晶体管的沟道层的厚度互不相同，以及所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压互不相同。
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公开(公告)号：CN101667391B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200910171390.8
申请日：2009-08-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/325 , G09G2300/0426 , G09G2300/0439 , G09G2300/0814 , G09G2300/0852 , G09G2310/0251 , G09G2310/0262 , G09G2320/0223
Abstract: 本发明公开了一种像素电路、发光显示装置及其驱动方法。一种像素电路至少包括发光元件和薄膜晶体管，薄膜晶体管将根据发光元件的亮度-电流特性控制灰度级的第一电流供应给发光元件，其中，薄膜晶体管具有背栅电极，包括至少驱动时段和写入时段，在驱动时段中，薄膜晶体管将第一电流供应给发光元件，在写入时段中，为了使第一电流在驱动时段期间通过薄膜晶体管，在驱动时段之前，第二电流被写入薄膜晶体管，以及通过改变在驱动时段和写入时段中被施加到背栅电极的电压，使得对薄膜晶体管的栅极电压的电流能力不同。
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公开(公告)号：CN102593188A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210057047.2
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1233
Abstract: 本发明涉及反相器。所述反相器包括形成在基板上的多个氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述多个氧化物半导体薄膜晶体管之中的每一个包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，至少两个氧化物半导体薄膜晶体管的沟道层的厚度互不相同，以及所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压互不相同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101681927B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200880015916.7
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1233
Abstract: 为了提供可被容易地制造的增强-耗尽(E/D)反相器，在本发明中，提供包含在同一基板上形成的、沟道层包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素的氧化物半导体的反相器的制造方法，该反相器是具有多个薄膜晶体管的E/D反相器，该制造方法的特征在于包括以下步骤：形成第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的沟道层的厚度互不相同；以及对于第一晶体管和第二晶体管的沟道层中的至少一个执行热处理。
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公开(公告)号：CN101960571A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107330.8
申请日：2009-03-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78633
Abstract: 在至少包括半导体的半导体元件的处理方法中，通过用波长比半导体的吸收边波长长的光照射半导体，改变半导体元件的阈值电压。半导体中的隙内状态的面密度为1013cm-2eV-1或更小。带隙可为2eV或更大。半导体可包括从由In、Ga、Zn和Sn构成的组中选择的至少一种。半导体可以是从由非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)、非晶In-Zn-O(IZO)和非晶Zn-Sn-O(ZTO)构成的组中选择的一种。光照射可在半导体元件中引起阈值电压偏移，该阈值电压偏移具有与由制造工艺历史、时间相关变化、电应力或热应力导致的阈值电压偏移相反的符号。
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公开(公告)号：CN101266751B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200810083579.7
申请日：2008-03-12
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/0417 , G09G2300/043 , G09G2300/0819 , G09G2300/0861 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 一种用于发光显示设备的驱动电路，其包括具有发光器件和驱动晶体管的像素电路，所述发光器件用于发出具有基于所提供的电流而确定的亮度的光，所述驱动晶体管用于向发光器件提供所述电流，所述驱动电路包括：阈值校正电路，用于把第二信号转换为第三信号以便向像素电路输出转换后的第三信号，所述第二信号包括驱动晶体管的阈值电压和数据电压，当包括数据电压的第一信号输入到所述驱动晶体管的控制电极时，从所述驱动晶体管输出所述第二电压，所述第三信号包括极性反转的阈值电压、和数据电压或者与数据电压相对应的电压。所述像素电路包括用于向所述驱动晶体管的所述控制电极提供第三信号的开关。
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公开(公告)号：CN101038729A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710086340.0
申请日：2007-03-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/325 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/043
Abstract: 提供了利用晶体管的磁滞特性驱动显示元件的像素电路和图像显示装置。该像素电路包括：提供分别从关状态过渡到开状态时和从开状态过渡到关状态时栅极电压值与漏极电流值之间的不同的第一和第二关系的晶体管；被提供有由晶体管控制的电流作为驱动电流的显示元件；及连接到晶体管栅极的电容器元件。第一和第二关系中的一个在用于设置要提供给显示元件的驱动电流的第一期间中使用。而第一和第二关系中的另一个在向显示元件提供驱动电流以进行发光的第二期间中使用。
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公开(公告)号：CN101772797B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200880102084.2
申请日：2008-07-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/3258 , G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/043
Abstract: 为了抑制在TFT的使用中电应力对TFT特性的影响，根据本发明的发光显示装置包括有机EL器件和用于驱动该有机EL器件的驱动电路。该驱动电路包括：多个像素，每个像素具有薄膜晶体管，该薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而可逆地改变；和电压施加单元，其将该薄膜晶体管的栅极电位设定为高于源极电位。该电压施加单元在该薄膜晶体管未被驱动时将电应力施加在该栅极端和该源极端之间，以便于在阈值电压相对于电应力饱和的区域中驱动该薄膜晶体管。
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