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公开(公告)号：CN102341912B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201080009985.4
申请日：2010-03-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 含有SnO的半导体膜的形成方法包括形成含SnO的膜的第一步骤；在该含SnO的膜上形成由氧化物或氮化物组成的绝缘膜以提供包括该含SnO的膜和该绝缘膜的层合膜的第二步骤；和对该层合膜进行热处理的第三步骤。
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公开(公告)号：CN102184965B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110007382.7
申请日：2011-01-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , G09G3/32
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78633
Abstract: 本发明涉及驱动晶体管的方法和包含由该方法驱动的晶体管的器件，所述晶体管包括：半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一导电层和第二导电层，使得所述半导体层被布置在第一和第二绝缘层之间，所述第一绝缘层的一个表面与第一导电层接触，与所述第一绝缘层的所述一个表面相反的另一表面与半导体层接触，所述第二绝缘层的一个表面与第二导电层接触，与所述第二绝缘层的所述一个表面相反的另一表面与半导体层接触。所述方法包括：将电压VBG施加到第二导电层，所述电压VBG满足VBG≤VON1×C1/(C1+C2)的关系。
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公开(公告)号：CN103077961A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310008995.1
申请日：2009-08-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/221 , H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/78663 , H01L29/7869
Abstract: 提供非晶氧化物半导体，其包括铟（In）和锌（Zn）中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×1020cm-3～1×1022cm-3的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧（OEX）和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×1018cm-3。
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公开(公告)号：CN101548389B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200780045002.0
申请日：2007-11-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/66969
Abstract: 提供一种底栅型薄膜晶体管，该底栅型薄膜晶体管在衬底(1)上包括：栅电极(2)、作为栅极绝缘膜的第一绝缘膜(3)、作为沟道层的氧化物半导体层(4)、作为保护层的第二绝缘膜(5)、源电极(6)和漏电极(7)，其中，氧化物半导体层(4)包括氧化物，所述氧化物包括选自由In、Zn和Sn构成的组的至少一种，并且，第二绝缘膜(5)包括被形成为与氧化物半导体层(4)接触的非晶氧化物绝缘体，并且在其中含有3.8×1019分子/cm3或更多的脱附气体，该脱附气体通过温度编程脱附测量被观察为氧。
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公开(公告)号：CN102184965A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110007382.7
申请日：2011-01-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , G09G3/32
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78633
Abstract: 本发明涉及驱动晶体管的方法和包含由该方法驱动的晶体管的器件，所述晶体管包括：半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一导电层和第二导电层，使得所述半导体层被布置在第一和第二绝缘层之间，所述第一绝缘层的一个表面与第一导电层接触，与所述第一绝缘层的所述一个表面相反的另一表面与半导体层接触，所述第二绝缘层的一个表面与第二导电层接触，与所述第二绝缘层的所述一个表面相反的另一表面与半导体层接触。所述方法包括：将电压VBG施加到第二导电层，所述电压VBG满足VBG≤VON1×C1/(C1+C2)的关系。
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公开(公告)号：CN101809747A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880108292.3
申请日：2008-09-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L33/16 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L33/0054
Abstract: 一种晶体管由栅电极2、栅绝缘层3、由非晶氧化物形成的半导体层4、源电极5、漏电极6和保护层7构成。保护层7以与半导体层4接触的方式被设置在半导体层4上，并且，半导体层4包含至少用作沟道层的第一层和具有比第一层的电阻高的电阻的第二层。第一层被设置在半导体层4的栅电极2侧，第二层被设置在半导体层4的保护层7侧。
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公开(公告)号：CN101669208A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200880013223.4
申请日：2008-04-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 一种非晶氧化物半导体，含有按In x Ga y Zn z 的原子比从In、Ga和Zn中选择的至少一种元素，其中，所述非晶氧化物半导体的密度M由以下关系式(1)表示：M≥0.94×(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z) (1)其中：0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z≠0。
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公开(公告)号：CN101661952A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910167482.9
申请日：2009-08-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L29/786 , H01L27/02 , H01L21/34 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/78663 , H01L29/7869
Abstract: 提供非晶氧化物半导体，其包括铟(In)和锌(Zn)中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×10 20 cm -3 ～1×10 22 cm -3 的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧(O EX )和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×10 18 cm -3 。
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公开(公告)号：CN103077961B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310008995.1
申请日：2009-08-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/221 , H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/78663 , H01L29/7869
Abstract: 提供非晶氧化物半导体，其包括铟（In）和锌（Zn）中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×1020cm-3～1×1022cm-3的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧（OEX）和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×1018cm-3。
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公开(公告)号：CN102623344B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210074536.9
申请日：2007-11-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225
Abstract: 本发明涉及底栅型薄膜晶体管、其制造方法及显示装置。提供一种底栅型薄膜晶体管的制造方法，其包括：在衬底上形成栅电极；形成第一绝缘膜和氧化物半导体层；对所述第一绝缘膜和所述氧化物半导体层进行构图；在包含氧化气体的气氛中形成第二绝缘膜；以及对所述第二绝缘膜进行构图，以覆盖所述氧化物半导体层的沟道区域的至少一部分。
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