制作图像形成装置的方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1379429A

    公开(公告)日:2002-11-13

    申请号:CN02120185.4

    申请日:2002-02-27

    CPC classification number: H01J9/027 H01J9/241 H01J31/127

    Abstract: 本发明提供一种图像形成装置的制作方法,能够简化电子发射装置的制作过程,降低图像形成装置的制作成本,长时间地表现出良好的显示质量。在一第一衬底(1)上形成多个由电极(2,3)组成的电极对。设置用于连接电极(2,3)的聚合物膜(6”)。之后,利用激光束或颗粒束照射聚合物膜(6”),以至少部分地降低电阻并把聚合物膜(6”)改变成含有作为其主要成分的碳的导电膜(6’)。在电极(2,3)之间导通电流,在部分导电膜(6’)中形成间距(5’)。在低压气氛中,通过粘合把第一衬底(1)和其上排列有图像形成部件的第二衬底粘结在一起,组成一图像形成装置。

    用于质谱分析的基底,质谱分析法和质谱分析仪

    公开(公告)号:CN101329301B

    公开(公告)日:2011-09-21

    申请号:CN200810125183.4

    申请日:2008-06-19

    CPC classification number: H01J49/0418

    Abstract: 本发明提供了用于质谱分析的基底,质谱分析法和质谱分析仪。所提供的用于质谱分析的基底使得能够以高灵敏度进行高分子量化合物的检测,并且可以避免裂解,从而对于分析低分子量范围基本上不存在障碍。所述基底是在激光解吸/电离质谱分析中使用的用于质谱分析的基底,所述用于质谱分析的基底包含金属并且在其表面上具有多孔结构,其中,从包括羧基,磺酸基和氯化铵基的组中选择的至少一个官能团被共价键合到所述基底的表面。

    用于质谱分析的基底,质谱分析法和质谱分析仪

    公开(公告)号:CN101329301A

    公开(公告)日:2008-12-24

    申请号:CN200810125183.4

    申请日:2008-06-19

    CPC classification number: H01J49/0418

    Abstract: 本发明提供了用于质谱分析的基底,质谱分析法和质谱分析仪。所提供的用于质谱分析的基底使得能够以高灵敏度进行高分子量化合物的检测,并且可以避免裂解,从而对于分析低分子量范围基本上不存在障碍。所述基底是在激光解吸/电离质谱分析中使用的用于质谱分析的基底,所述用于质谱分析的基底包含金属并且在其表面上具有多孔结构,其中,从包括羧基,磺酸基和氯化铵基的组中选择的至少一个官能团被共价键合到所述基底的表面。

    电子发射元件,电子源以及图像显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN100356496C

    公开(公告)日:2007-12-19

    申请号:CN03106605.4

    申请日:2003-02-26

    CPC classification number: H01J9/027 H01J31/127

    Abstract: 本发明提供能够简化电子发射元件的制造工序,而且还能够改善电子发射特性的电子发射元件的制造方法,电子源的制造方法以及图像形成装置的制造方法,在把高分子膜碳化,使利用为电子发射部分的表面传导型的电子发射元件的制造工序中的高分子膜低阻化的工序中,在上述高分子膜上,在把每单位面积,每单位时间供给的能量束的能量强度记为W[W/m2]时,满足W≥2×T×(ρsub·Csub·λsub/τ)1/2(T:把高分子膜在1×10-4Pa以上的真空中加热保持1小时,使其成为0.1Ω·cm以下的电阻率的温度[℃],Csub:上述基体的比热[J/kg·K],ρsub:上述基体的比重[kg/m3],λsub:上述基体的热传导率[W/m·K],1×10-9sec≤τ≤10sec)。

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