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公开(公告)号:CN112034681A
公开(公告)日:2020-12-04
申请号:CN202010490327.7
申请日:2020-06-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物,其无损于树脂原本的碳含量而可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性且成膜性优良,成为散逸气体的升华物成分少,并提供使用此组成物的图案形成方法及适合如此的组成物的聚合物。此组成物含有含式(1A)表示的重复单元作为部分结构的聚合物及有机溶剂。 该通式(1A)中,AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环,W1为下列通式(1B)中的任意者,也可组合使用2种以上的W1;W2为碳数1~80的2价有机基团;该通式(1B)中的R1为碳数1~10的带有不饱和键的1价有机基团,R2为有1个以上的芳香环的碳数6~20的1价有机基团。
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公开(公告)号:CN119528966A
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202411172562.4
申请日:2024-08-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07F7/22 , G03F1/80 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供相对于已知的有机下层膜材料具有优异的干式蚀刻耐性,且兼具高程度的填埋/平坦化特性的金属化合物;使用该化合物的含金属的膜形成用组成物;将该组成物使用于抗蚀剂下层膜材料中的图案形成方法。本发明的解决手段为一种含金属的膜形成用化合物,是分子内具有2个以上的二醇结构的化合物与Sn化合物的反应产物,其特征为:是一分子内包含2个以上的Sn原子的单分子型化合物。
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公开(公告)号:CN119270583A
公开(公告)日:2025-01-07
申请号:CN202410876412.5
申请日:2024-07-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/09 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明的课题为提供对比已知的有机下层膜材料能形成显示极优良的干蚀刻耐性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组成物。一种抗蚀剂下层膜形成用组成物,其特征为:含有具有下列通式(1)表示的结构作为重复单元的(A)聚合物、及(B)有机溶剂,前述(A)聚合物的分子量为300~3,000,前述(A)聚合物不含含有羟基作为取代基的重复单元也不含含有杂芳香环的重复单元。#imgabs0#上式(1)中,Ar为非取代的碳数6~30的2价芳香族基团。
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公开(公告)号:CN119105234A
公开(公告)日:2024-12-10
申请号:CN202410733204.X
申请日:2024-06-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用组成物及图案形成方法。本发明提供一种含金属的膜形成用组成物,给予能获得良好的图案形状而且能抑制微细图案的崩塌的含金属的膜。一种含金属的膜形成用组成物,其特征为:含有(A)金属化合物、(B)表面改质剂、及(C)溶剂,金属化合物含有选自由Ti、Zr及Hf构成的群组中的至少1种金属原子,(B)表面改质剂为含有下列通式(1)表示的重复单元及下列通式(2)表示的重复单元中的一者或两者的高分子化合物,高分子化合物不含含有羟基的重复单元。[化1]#imgabs0#式中,R1为氢原子或甲基,R2为含有杂环结构的碳数2~20的1价有机基团,R3为氢原子或碳数1~3的直链或分支状的烷基。
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公开(公告)号:CN112034681B
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202010490327.7
申请日:2020-06-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物,其无损于树脂原本的碳含量而可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性且成膜性优良,成为散逸气体的升华物成分少,并提供使用此组成物的图案形成方法及适合如此的组成物的聚合物。此组成物含有含式(1A)表示的重复单元作为部分结构的聚合物及有机溶剂。#imgabs0#该通式(1A)中,AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环,W1为下列通式(1B)中的任意者,也可组合使用2种以上的W1;W2为碳数1~80的2价有机基团;#imgabs1#该通式(1B)中的R1为碳数1~10的带有不饱和键的1价有机基团,R2为有1个以上的芳香环的碳数6~20的1价有机基团。
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公开(公告)号:CN119781245A
公开(公告)日:2025-04-08
申请号:CN202411366443.2
申请日:2024-09-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用组成物、图案形成方法。本发明的课题是提供相对于以往的有机下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性、且兼具高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用组成物、及使用了该组成物的图案形成方法。本发明的解决手段是一种含金属的膜形成用组成物,含有:(A)含有选自于由Ti、Zr、Hf构成的群组中的至少1种的金属的金属化合物、(B)于分子内包含2个以上4个以下的碳数2~13的环状醚结构的交联剂、及(C)溶剂。
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公开(公告)号:CN119528965A
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202411171870.5
申请日:2024-08-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07F7/22 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供用于形成具有优异的干式蚀刻耐性,且兼具高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜的化合物;包含该化合物的含金属的膜形成用组成物;使用该组成物的图案形成方法。本发明的解决手段为一种含金属的膜形成用化合物,其特征为:该化合物是下列通式(M)表示者。[化1]#imgabs0#[化2]#imgabs1#该通式(M)中,R1、R2各自独立地为有机基团或卤素原子,W为下列通式(W‑1)或(W‑2)表示的2价有机基团。
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公开(公告)号:CN118672060A
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202410293211.2
申请日:2024-03-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成方法、及图案形成方法。本发明课题为提供高程度地兼顾填埋性与干蚀刻耐性的含有金属的抗蚀剂下层膜形成方法及图案形成方法。该课题解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成方法,其包括:(i)涂布步骤,将含有具有金属‑氧共价键的金属化合物与有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组成物涂布于基板,(ii)借由将前述已涂布的基板以100℃以上且600℃以下的温度,进行10秒至7,200秒的热处理并使其硬化形成硬化膜,及(iii)对该硬化膜照射等离子,并形成抗蚀剂下层膜;使用含有至少1个以上的下述通式(a‑1)~(a‑4)、(b‑1)~(b‑4)及(c‑1)~(c‑3)表示的交联基团者作为该金属化合物。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN118561892A
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202410220978.2
申请日:2024-02-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明提供对比已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的金属化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、使用了该组成物的图案形成方法。一种含金属的膜形成用化合物,是含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物,其特征为前述含金属的膜形成用化合物含有选自由Ti、Zr、及Hf构成的群组中的至少1种金属原子及1种以上来自下列通式(1‑A)~(1‑D)表示的化合物的配位子。[化1]#imgabs0#
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公开(公告)号:CN118330991A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202410030331.3
申请日:2024-01-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供对比已知的抗蚀剂下层膜材料显示了极优良的干蚀刻耐性的抗蚀剂下层膜形成用组成物、使用该组成物于抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组成物,其特征为:含有(A)具有下列通式(1A)表示的结构的聚合物、(B)下列通式(B‑1)表示的结构的交联剂、及(C)有机溶剂,且前述(A)聚合物不含羟基,前述(B)交联剂的含量相对于前述(A)聚合物100质量份为5~50质量份。[化1]#imgabs0#[化2]#imgabs1#
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