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公开(公告)号：CN104987511B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510462817.5
申请日：2015-07-31
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物、磷光主体材料及电致发光器件。本发明的聚合物以聚硅氧烷为主链，以具有电子、空穴传输性质的功能基团为侧基。本发明的聚合物具有较高的三重态能，可以作为主体材料与其它磷光染料进行掺杂，可广泛用于大面积柔性平板显示、聚合物发光二极管和电子成像设备。
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公开(公告)号：CN105001610B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510440947.9
申请日：2015-07-24
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明提供了一种复合材料及其制备方法。本发明提供的复合材料为由马来酸酐基聚合物、环氧丙烷和二氧化碳在催化剂的存在下制成的互穿网络复合材料；所述环氧丙烷和所述马来酸酐基聚合物中的马来酸酐结构单元的摩尔比为100：0.01～5；所述马来酸酐基聚合物为马来酸酐均聚物或马来酸酐共聚物；其中，所述的马来酸酐共聚物是由马来酸酐单体与乙烯基共聚单体共聚得到的共聚物。本发明提供的复合材料有良好的品质和经济性；本发明的制备方法效率高，效果优异，特别适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN103451698B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310395460.4
申请日：2013-09-03
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明涉及一种高取向的导电高分子薄膜的制备方法。该方法是用熔融拉伸法制备高取向的聚合物薄膜，然后用该聚合物薄膜修饰电化学聚合用的电极，然后将导电聚合物单体在该修饰的电极上进行电化学聚合形成所述的高取向的导电高分子薄膜。该导电高分子薄膜的电导率具有各向异性，即在垂直和平行修饰电极的聚合物取向薄膜方向展示出明显差异的电导率。该导电高分子薄膜可以应用于发光二极管，太阳能电池和场效应晶体管等领域。
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公开(公告)号：CN105001610A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510440947.9
申请日：2015-07-24
Applicant: 北京化工大学
CPC classification number: C08L69/00 , C08G64/34 , C08L2201/10 , C08L2205/04 , C08L35/06 , C08L35/00 , C08L31/04
Abstract: 本发明提供了一种复合材料及其制备方法。本发明提供的复合材料为由马来酸酐基聚合物、环氧丙烷和二氧化碳在催化剂的存在下制成的互穿网络复合材料；所述环氧丙烷和所述马来酸酐基聚合物中的马来酸酐结构单元的摩尔比为100：0.01～5；所述马来酸酐基聚合物为马来酸酐均聚物或马来酸酐共聚物；其中，所述的马来酸酐共聚物是由马来酸酐单体与乙烯基共聚单体共聚得到的共聚物。本发明提供的复合材料有良好的品质和经济性；本发明的制备方法效率高，效果优异，特别适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN108840965A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810567609.5
申请日：2018-06-05
Applicant: 北京化工大学
IPC: C08F112/32 , C07D417/04 , C09K11/06
CPC classification number: C08F112/32 , C07D417/04 , C08F2438/02 , C09K11/06 , C09K2211/1458 , C09K2211/1483
Abstract: 本发明公开了一种荧光聚合物的制备方法，包括如下步骤：以二苯并噻吩为原料合成3-乙烯基-6-吩噻嗪二苯并噻吩砜；以3-乙烯基-6-吩噻嗪二苯并噻吩砜为荧光单体，在自由基引发剂和2,2,6,6-四烷基哌啶氧化物存在的条件下进行活性自由基聚合反应得到所述荧光聚合物；2,2,6,6-四烷基哌啶氧化物中的烷基为C1～C3的烷基；自由基引发剂选自偶氮引发剂或过氧化物引发剂；自由基引发剂与荧光单体的摩尔比为0.003～0.03:1，自由基引发剂与2,2,6,6-四烷基哌啶氧化物的摩尔比为1:1～2。本发明还提供一种2,2,6,6-四烷基哌啶氧化物的用途。本发明的方法可以获得性能可控的荧光聚合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108084477A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201810102667.0
申请日：2018-02-01
Applicant: 北京化工大学
IPC: C08J7/04 , C08L23/06 , C09D167/02 , C09D167/04 , C09D133/12 , C09D127/06 , C09D171/02 , C09D123/12 , C09D165/00
Abstract: 本发明公开了一种高分子取向薄膜及其制备方法和应用。该方法包括如下步骤：(1)采用熔融拉伸法制备第一聚合物取向薄膜，将所述第一聚合物取向薄膜附着在基板上；(2)采用旋涂法将第二聚合物共混溶液附着在第一聚合物取向薄膜上，形成第二聚合物薄膜，然后进行热处理得到具有平行片晶的高分子取向薄膜。本发明还提供一种高分子取向薄膜纳米级别相分离的调控方法。本发明的方法操作简单、可以大面积制备高取向度且取向均匀的高分子取向薄膜。
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公开(公告)号：CN104987511A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510462817.5
申请日：2015-07-31
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物、磷光主体材料及电致发光器件。本发明的聚合物以聚硅氧烷为主链，以具有电子、空穴传输性质的功能基团为侧基。本发明的聚合物具有较高的三重态能，可以作为主体材料与其它磷光染料进行掺杂，可广泛用于大面积柔性平板显示、聚合物发光二极管和电子成像设备。
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公开(公告)号：CN114524956B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202011186886.5
申请日：2020-10-30
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种取向且可拉伸的有机半导体薄膜的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)将基材浸入聚噻吩浓度为1～15mg/mL的聚噻吩溶液中，保留5～30s，然后以0.1～0.9cm/s的提拉速率将基材取出，干燥后，在基材表面形成取向聚噻吩膜；其中，所述聚噻吩溶液包括聚噻吩、三氯苯和溶剂；(2)将道康宁的sylgard 184A溶液与sylgard 184B溶液的混合物施于所述取向聚噻吩膜上，固化后得到复合膜；(3)将复合膜从基材上剥离，得到取向且可拉伸的有机半导体薄膜。本发明可以避免有机半导体薄膜因拉伸而导致导电性能显著变劣的现象。
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公开(公告)号：CN112745519B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201911051720.X
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本申请提供一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，包括步骤：将重均分子量为1.0×105至3.0×105的PVDF分散于溶剂中，形成PVDF溶液；将所述PVDF溶液形成于基底上并干燥成型，得到初始膜；将所述初始膜熔融重结晶，得到重结晶聚偏氟乙烯膜；将所述重结晶聚偏氟乙烯膜多次退火，得到包含γ晶及β晶的聚偏氟乙烯薄膜。还提供一种电容器的制备方法。
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公开(公告)号：CN112745519A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911051720.X
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本申请提供一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，包括步骤：将重均分子量为1.0×105至3.0×105的PVDF分散于溶剂中，形成PVDF溶液；将所述PVDF溶液形成于基底上并干燥成型，得到初始膜；将所述初始膜熔融重结晶，得到重结晶聚偏氟乙烯膜；将所述重结晶聚偏氟乙烯膜多次退火，得到包含γ晶及β晶的聚偏氟乙烯薄膜。还提供一种电容器的制备方法。
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