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公开(公告)号：CN105044631B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201510541985.3
申请日：2015-08-28
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/09
摘要： 种半翻转两轴磁电阻传感器,包括位于X‑Y平面内的至少组切片,每组切片包括两个切片,其中个切片为另个切片在X‑Y平面内旋转180度角度相位得到,任切片均包括两组具有正交铁磁参考层磁化方向的磁电阻传感单元串,磁电阻传感单元串均由至少两个磁电阻传感单元构成;且位于两个切片上的磁电阻传感单元串电连接成具有正交磁场敏感方向的至少两个单轴推挽式磁电阻传感单元电桥,任推挽式磁电阻传感单元电桥均包括分别位于两个切片上的具有相反铁磁参考层磁化方向的磁电阻传感单元串,两轴磁电阻传感单元电桥可以同为线性磁电阻传感器或者同为角度磁电阻传感器,本发明具有切片数量少,位置易于安装,结构简单,低功耗的优点。
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公开(公告)号：CN104820125B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510201290.0
申请日：2015-04-27
申请人： 江苏多维科技有限公司
CPC分类号： G01R33/09 , G01R15/00 , G01R15/12 , G01R19/00 , G01R33/0052 , G01R33/075
摘要： 本发明公布了一种采用Z轴磁电阻梯度计和引线框电流的集成电流传感器,包括Z轴梯度计和引线框初级线圈，所述Z轴梯度计为一种磁电阻Z轴梯度传感器，包括衬底、位于衬底上分开梯度特征间距的两个长条形软磁通量集中器、以及位于所述软磁通量集中器上、下表面上且与长轴中心线等距的磁电阻传感单元串，所述磁电阻传感单元磁场敏感方向垂直于所述长轴中心线且电连接成梯度传感器电桥，所述引线框初级线圈包括位于所述Z轴梯度计上方或下方的长条形电流检测带，所述检测电流方向平行于所述长轴中心线方向，本发明能够实现5‑50A电流测量，并具有低功耗、小尺寸、集成度高的优点。
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公开(公告)号：CN104111099B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201310135907.4
申请日：2013-04-18
申请人： 江苏多维科技有限公司
CPC分类号： G01F15/066 , G01D5/14 , G01D5/145 , G01F15/0755
摘要： 本发明公开了一种能实现精确计量的电子水表，该电子水表包括机架、多个计数单元以及多个屏蔽板，各计数单元包括数字字轮、永磁体、磁性角位移传感器和数字电路。磁性角位移传感器与数字电路相电连接，并根据该计数单元的磁场矢量的角位置变化，感测磁场在其位置处的分量，且向数字电路输出相应的电信号，数字电路根据所述磁性角位移传感器输出的电信号进行计算处理，输出与所述数字字轮的角位置相对应的数字信号。屏蔽板位于各计数单元的两侧，其用于将多个计数单元之间以及多个计数单元与外界进行隔离。本发明提供的电子水表，具有以下优点：尺寸小、容易安装、计量精度高、抗干扰能力强。
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公开(公告)号：CN104677266B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201510027890.X
申请日：2015-01-20
申请人： 江苏多维科技有限公司
发明人： 詹姆斯·G·迪克
IPC分类号： G01B7/30
CPC分类号： G01D18/00 , G01B7/30 , G01D5/16 , G01D5/165 , G01D18/004
摘要： 强磁场误差校准的磁电阻角度传感器及其校准方法。本发明提出一种双轴磁电阻角度传感器，包括两个检测沿相互垂直的X‑轴和Y‑轴方向外加磁场的单轴磁电阻角度传感器，实时计算单轴磁电阻角度传感器的沿X‑轴和Y‑轴的电压输出的矢量幅度的元件，计算已知的校准矢量幅度和测量的矢量幅度的差别的元件，将差别用相除以计算信号误差的元件，分别将所述信号误差加入到所述X‑轴输出和Y‑轴输出或从其中减去以计算校准的X‑轴和Y‑轴的输出信号的元件，计算校准的Y‑轴输出信号除以校准的X‑轴的输出信号所得的商的反正切以计算所述外加磁场的旋转角度的元件。本发明还提供了一种磁场误差校准方法，将该方法应用在双轴磁电阻角度传感器中，降低了测量误差、扩大了磁场应用范围并提高了其在高磁场中的测量精度。
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公开(公告)号：CN104569870B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201510005952.7
申请日：2015-01-07
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/0017 , G01R33/0005 , G01R33/0011 , G01R33/0206 , G01R33/09 , G01R33/093 , G01R33/098
摘要： 一种单芯片具有校准/重置线圈的Z轴线性磁电阻传感器，包括单芯片Z轴线性磁电阻传感器及校准线圈和或重置线圈，所述校准线圈、重置线圈为平面或三维线圈，所述平面线圈位于衬底之上磁电阻传感单元之下、磁电阻传感单元和软磁通量集中器之间、软磁通量集中器之上或间隙处，所述三维线圈缠绕软磁通量集中器和磁电阻传感单元，所述校准线圈/重置线圈分别包括平行于钉扎层/自由层磁化方向的直导线，前者在推、挽磁电阻单元串处产生同/反钉扎层方向的等值校准磁场；后者在所有磁电阻传感单元处产生自由层向均匀重置磁场。本发明通过控制校准线圈/重置线圈电流可实现单芯片Z轴线形磁电阻传感器校准及磁状态重置，具有高效、快速、操作方便优点。
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公开(公告)号：CN103267520B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310202801.1
申请日：2013-05-28
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G01C17/02
CPC分类号： G01C17/28 , G01R33/0005 , G01R33/0011 , G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种三轴数字指南针，该指南针包括两个X轴磁敏传感器、两个Y轴磁敏传感器、通量集中器、信号采样单元、信号处理单元以及信号输出单元。其中，X轴和Y轴磁敏传感器沿着通量集中器周边排列。外磁场经通量集中器产生扭曲，其在Z轴的分量经通量集中器转变为X轴、Y轴磁场分量，并和外磁场在X轴和Y轴的分量共同作用于X轴和Y轴磁敏传感器。X轴、Y轴磁敏传感器的输出信号通过信号采样单元输出到信号处理单元，经计算后得到三个外磁场分量，并经信号输出单元以数字格式输出。本发明具有结构新颖、算法简单的特点，适用于AMR、GMR、TMR等磁阻传感器。
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公开(公告)号：CN103768679B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410058046.9
申请日：2014-02-20
申请人： 江苏多维科技有限公司
CPC分类号： A61M5/14216 , A61M5/14236 , A61M5/1452 , A61M5/1684 , A61M5/16886 , A61M5/172 , A61M2205/18 , A61M2205/3317 , A61M2205/3365 , A61M2205/3389 , A61M2207/00
摘要： 本发明公开了一种由丝杆泵驱动的精密注射器泵，其使用磁电阻传感器和MCU监测导螺杆的转动，并通过电机控制器控制反馈控制导螺杆的转向和速度，从而控制注射器的输液速度。本发明的精密注射器泵具有高灵敏度，高可靠性，低功耗，低成本和方便使用的特点。
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公开(公告)号：CN104776794A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510181008.7
申请日：2015-04-16
申请人： 江苏多维科技有限公司
CPC分类号： G01R33/093 , G01B7/30 , G01R33/0076 , G01R33/09
摘要： 一种单封装的高强度磁场磁角度传感器，包括至少一个推挽式磁电阻电桥以及位于所述推挽式磁电阻电桥上的软磁通量衰减器，所述推挽式磁电阻电桥包含多个磁电阻传感单元，所述磁电阻传感单元为MTJ或者GMR类型，每个磁电阻传感单元包含至少一个钉扎层、一个铁磁参考层、一个非磁性间隔层以及一个铁磁自由层，所述铁磁自由层为低纵横比椭圆形或者圆形，以使所述铁磁自由层磁化强度能够沿任意方向外磁场对齐排列；所述软磁通量衰减器覆盖在所有磁电阻传感单元表面，以衰减高强度外磁场到磁电阻传感单元可测量范围内；所述推挽式磁电阻电桥具有单向的或相互正交的参考层磁化方向；该发明能够测量高强度磁场旋转角度，并具有低功耗、小尺寸的优点。
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公开(公告)号：CN104698409A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510056576.4
申请日：2015-02-04
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/098 , G01R33/0011 , G01R33/0017 , G01R33/09
摘要： 一种单芯片具有校准线圈/重置线圈的高强度磁场X轴线性磁电阻传感器，包括高强度磁场单芯片参考桥式X轴磁电阻传感器及校准线圈和/或重置线圈，所述校准线圈为平面线圈,所述重置线圈为平面或三维线圈，所述平面校准线圈和平面重置线圈可以位于衬底之上磁电阻传感单元之下、磁电阻传感单元和软磁通量引导器之间、软磁通量引导器之上或间隙处，所述三维重置线圈缠绕软磁通量引导器和磁电阻传感单元，所述校准线圈和重置线圈分别在磁电阻单元处产生平行于钉扎层方向的校准磁场和自由层方向的均匀重置磁场。本发明通过控制校准线圈/重置线圈电流可实现单芯片X轴线性磁电阻传感器校准及磁状态重置，具有高效、快速、操作方便优点。
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公开(公告)号：CN104569870A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510005952.7
申请日：2015-01-07
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/0017 , G01R33/0005 , G01R33/0011 , G01R33/0206 , G01R33/09 , G01R33/093 , G01R33/098
摘要： 一种单芯片具有校准/重置线圈的Z轴线性磁电阻传感器，包括单芯片Z轴线性磁电阻传感器及校准线圈和或重置线圈，所述校准线圈、重置线圈为平面或三维线圈，所述平面线圈位于衬底之上磁电阻传感单元之下、磁电阻传感单元和软磁通量集中器之间、软磁通量集中器之上或间隙处，所述三维线圈缠绕软磁通量集中器和磁电阻传感单元，所述校准线圈/重置线圈分别包括平行于钉扎层/自由层磁化方向的直导线，前者在推、挽磁电阻单元串处产生同/反钉扎层方向的等值校准磁场；后者在所有磁电阻传感单元处产生自由层向均匀重置磁场。本发明通过控制校准线圈/重置线圈电流可实现单芯片Z轴线形磁电阻传感器校准及磁状态重置，具有高效、快速、操作方便优点。
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