公开(公告)号：CN106716163B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201580041330.8

申请日：2015-07-13

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 冈田正明 ,  松井秀树 ,  尾込智和 ,  吉冈贞明

IPC分类号： G01R33/02 ,  G01R33/09 ,  G07D7/00 ,  G07D7/04 ,  H01L43/08

CPC分类号： G01R33/09 ,  G01R33/0017 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G07D7/04 ,  H01L43/08

摘要： 本发明的磁性传感器装置包括：安装有磁阻效应元件(1)的基板(2)；形成磁阻效应元件(1)的偏置磁场的磁体(3)；在对包含磁性成分的被检测物(6)进行传送的传送路径侧形成有开口(4a)且在传送路径侧配置磁阻效应元件(1)来将基板(2)以及磁体(3)收纳在收纳部(4h)中的框体(4)；以及对收纳部(4h)的开口(4a)侧的表面进行覆盖的盖板(5)。框体(4)在开口(4a)的传送路径侧形成有将基板(2)架设并保持在被检测物(6)的传送方向(7)上的阶差部(4b)、以及与阶差部(4b)连续并从开口(4a)通向传送方向侧的外侧面的槽(4c)。

公开(公告)号：CN108535668A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810276922.3

申请日：2018-03-30

申请人： 中国科学院武汉物理与数学研究所

发明人： 周欣 ,  李桐 ,  孙献平 ,  赵修超 ,  朱茂华 ,  刘买利 ,  叶朝辉

IPC分类号： G01R33/032 ,  G01R33/00

CPC分类号： G01R33/032 ,  G01R33/0017

摘要： 本发明提出了一种补偿激光原子磁力计磁屏蔽罩内部剩余磁场的方法，旨在降低或者消除磁屏蔽罩内部剩余磁场，使得激光原子磁力计能够高灵敏度地测量弱磁。本发明针对实际操作中三轴线圈的小角度非正交性和激光传播方向与磁场主轴未完全重合、影响激光原子磁力计灵敏度这一问题而提出，通过多次循环调节三轴线圈内部电流，观测和拟合激光原子磁力计信号的方式，最终达到降低或者消除磁屏蔽罩内部碱金属原子蒸气泡处剩余磁场强度的目的。

公开(公告)号：CN105004897B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201510414065.5

申请日：2011-08-19

申请人： 莱姆知识产权股份有限公司

发明人： C·古德尔 ,  B·马科兹 ,  B·理查德 ,  G·格里

IPC分类号： G01R15/18 ,  G01R33/04 ,  H01F38/30

CPC分类号： G01R33/0017 ,  G01R1/04 ,  G01R15/185 ,  G01R33/04 ,  H01F27/2895 ,  H01F38/30

摘要： 一种环形磁通门电流换能器，其包括环形磁通门感测单元(6)，所述环形磁通门感测单元包括环形支座(40)、安装在所述支座(40)上的饱和磁芯(38)、围绕所述支座和饱和磁芯缠绕的激励线圈(44)以及围绕所述激励线圈、环形支座和饱和磁芯安装的磁壳(32)。所述支座为环形并且包括固定到所述支座的端子(50、48)，第一对所述端子连接到所述激励线圈的端部，第二对所述端子连接到所述电流换能器的次级线圈的端部。

公开(公告)号：CN106842076A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710133385.2

申请日：2017-03-08

申请人： 中国地质大学(武汉)

发明人： 董浩斌 ,  黄跃飞 ,  葛健 ,  郭培培 ,  罗望 ,  胡舒婷 ,  邱香域 ,  李瑞鹏

IPC分类号： G01R33/032

CPC分类号： G01R33/032 ,  G01R33/0017

摘要： 本发明公开了一种基于频率跟踪的铯光泵信号自动相位补偿系统,包括光电探测器，光电探测器连接信号放大电路，信号放大电路连接可控移相器和滞回比较器，信号放大电路对光电探测器输入的拉莫尔频率信号进行放大处理得到电压信号，并将电压信号分为第一路电压信号和第二路电压信号，第一路电压信号输入可控移相器，第二路电压信号输入滞回比较器，滞回比较器和晶振电路的输出端均连接FPGA数字测频系统，FPGA数字测频系统连接控制器，控制器连接DA转换模块，DA转换模块连接可控移相器。本发明还公开了一种基于频率跟踪的铯光泵信号自动相位补偿方法。本发明的自动相位补偿克服了传统RC移相器移相频带窄、精度低的特点，性能稳定，无须手动调节。

公开(公告)号：CN106662623A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580031001.5

申请日：2015-05-29

申请人： 泰雷兹公司

发明人： 埃马纽埃尔·德苏维乐 ,  让-保罗·卡斯特拉 ,  博多特·德莫特斯-梅纳德

IPC分类号： G01R33/09

CPC分类号： G01R33/0041 ,  G01R33/0017 ,  G01R33/0047 ,  G01R33/035 ,  G01R33/0354 ,  G01R33/091

摘要： 本发明涉及一种传感器(10)，该传感器包括磁传感器(12)，当磁传感器(12)处于生成通过所述传感器的外部通量(φext)的外部磁场(Bext)中时，生成响应信号(V)。该传感器包括：控制电路(14)，其在输入处获取传感器的响应信号并在输出处生成反馈电流(iCR)；导线(16)，其设置在传感器附近并且连接到控制电路的输出处，反馈电流流过导线，电路和导线使得生成反馈磁场(BCR)，在每一时刻，反馈磁场(BCR)中通过传感器的通量基本上抵消外部通量，传感器的输出信号由反馈电流形成。

公开(公告)号：CN104142482B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410191537.0

申请日：2014-05-07

申请人： 迈克纳斯公司

发明人： K·黑贝勒 ,  J·弗兰克 ,  O·布赖特维泽尔 ,  T·考夫曼

IPC分类号： G01R33/02 ,  G01R33/07

CPC分类号： G01R33/0017 ,  G01D5/145 ,  G01N27/72 ,  G01R33/1215 ,  G01V3/08

摘要： 一种测量系统，所述测量系统：具有用于产生磁场的磁体装置，具有用于检测所述磁场至少在第一空间方向(y)上的磁通密度(By)的磁场传感器，其中，所述磁场传感器相对于所述磁体装置固定地定位，其特征在于，所述磁体装置具有用于产生主磁场的至少两个主极和用于产生旁磁场的至少两个旁极；在所述磁场传感器中，所述磁场通过所述主磁场与所述旁磁场的叠加构成；所述磁场传感器构造用于，在所述第一空间方向(y)上测量所述叠加的磁通密度(By)；在所述磁场传感器中，所述旁磁场在所述第一空间方向(y)上至少部分地补偿所述主磁场。

公开(公告)号：CN105759225A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201410794498.3

申请日：2014-12-18

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 张元泰 ,  庄凯翔

IPC分类号： G01R33/02

CPC分类号： G01R33/0017 ,  G01R33/0035

摘要： 一种磁场感测装置及其磁场感测方法。磁场感测装置包括参考磁场产生单元、磁场感测单元、信号处理单元、校准单元以及频率产生单元。磁场感测单元用以感测外部磁场以及参考磁场以提供磁场感测信号。信号处理单元接收磁场感测信号以将其转换为输出信号。校准单元依据磁场感测信号以校正输出信号。频率产生单元提供操作频率。参考磁场产生单元依据操作频率以提供参考磁场，且磁场感测单元依据操作频率以感测外部磁场及参考磁场。

公开(公告)号：CN104635184A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410641296.5

申请日：2014-11-13

申请人： 阿尔卑斯电气株式会社

发明人： 尾花雅之 ,  安藤秀人 ,  竹谷努 ,  金子一明

IPC分类号： G01R33/09

CPC分类号： G01R33/0017 ,  G01R33/093

摘要： 提供一种磁检测装置，通过磁场感应层在第一方向上感应出的磁场通过在与感应方向正交的第二朝向上具有灵敏度轴的磁传感器来检测，是能够使针对第二朝向的磁场成分的灵敏度降低、并且不易受来自外部的较强的磁场的影响的构造。Z方向的磁场成分通过磁场感应层(30)而感应出来并沿与磁传感器(20)的灵敏度轴方向相同的X方向被赋予至磁传感器(20)而获得检测输出。用多个磁传感器(20)组成电桥电路，而构成为相对于X方向的磁场成分不做出输出。但是，X方向的外部磁场被磁场感应层(30)牵引，从而有时X方向的灵敏度产生偏差。因此，使磁场感应层(30)的第一部分(31)的软磁特性劣化，使透磁率降低。

公开(公告)号：CN103543417A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310297959.1

申请日：2013-07-11

申请人： 意法半导体股份有限公司

发明人： D·帕西 ,  S·泽比尼 ,  B·维格纳

IPC分类号： G01R33/09 ,  G01R3/00

CPC分类号： G01R33/096 ,  G01R33/0017 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/0206

摘要： 本发明公开了一种磁场传感器，包括：芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底以及覆盖第一表面的绝缘层；第一磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线；第二磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线，第二磁阻器的主磁化轴线在横切于第一磁阻器的主磁化轴线的方向上延伸，并且第二磁阻器的副磁化轴线在横切于第一磁阻器的副磁化轴线的方向上延伸；第一磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第一磁阻器的主磁化轴线的场线的第一磁场；第二磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第二磁阻器的主磁化轴线的场线的第二磁场。第一磁阻器和第二磁阻器以距第一表面彼此不同的第一距离和第二距离分别延伸到绝缘层中。

公开(公告)号：CN102954808A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210300716.4

申请日：2012-08-22

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 法比奥·塞巴斯蒂亚诺 ,  罗伯特·亨里克斯·玛格丽塔·范费尔德温

IPC分类号： G01D5/12

CPC分类号： G01R33/09 ,  G01R33/0017 ,  G01R33/0029

摘要： 公开了低偏移、高灵敏度磁传感器装置及其方法和磁检测系统，该磁检测系统包括：靠近可移动机械元件的磁性元件；以及磁传感器，该磁传感器被配置为基于由磁性元件产生的磁场确定机械元件的运动。该磁传感器包括：低偏移磁检测元件；高灵敏度磁检测元件；以及偏移补偿电路，该偏移补偿电路被配置为：根据低偏移磁检测元件的输出确定感测场的过零点；在过零点处对高灵敏度磁检测元件的偏移值进行采样；以及从高灵敏度磁检测元件的输出中减去偏移值。