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发明公开
二维非层状自插层V3S5晶体材料及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN117071077A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311053956.3

申请日：2023-08-21

申请人： 北京理工大学

发明人： 周家东 , 王平 , 孔德男 , 杨阳

IPC分类号： C30B29/46 , C30B29/68 , C30B25/02

摘要： 本发明公开一种二维非层状自插层V3S5晶体的制备方法，属于二维非层状材料制备领域。该制备方法包括以下步骤：将硫源放置于反应炉的上游区域，并将上游区域的温度控制在200‑300℃；将钒源放置于反应炉的中心区域，并将中心区域的温度设置在500‑600℃，其中钒源是由氯化钒与熔点高于氯化钒的含钒物质构成的混合物；将衬底放置于反应炉的下游区域，在反应炉中通入还原性气体和惰性气体的混合气体作为载气，将硫蒸汽输送到反应炉的中心区域进行反应，并在下游区域的衬底上进行沉积，得到二维非层状自插层V3S5晶体材料。