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公开(公告)号:CN112813098B
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202110272184.7
申请日:2021-03-12
Applicant: 北京科技大学 , 北京中智生物农业国际研究院 , 北京首佳利华科技有限公司
Abstract: 本发明公开了利用人工突变创制玉米bhlh51雄性不育系。本发明利用CRISPR/Cas9基因组编辑技术对玉米育性基因ZmbHLH51进行编辑,然后通过杂交和自交在F2代获得纯合且不含Cas9转基因的雄性不育突变体,从而创制出稳定的玉米bhlh51雄性不育系。bhlh51雄性不育系与目标材料进行杂交和回交,可以使目标材料获得bhlh51雄性不育的性状和基因突变,对促进玉米不育化杂交育种和制种具有重要意义。本发明还针对获得的bhlh51雄性不育突变体设计了功能分子标记,在玉米雄性不育系培育、不育化杂交育种、制种和分子标记辅助选择中具有重要的应用价值。
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公开(公告)号:CN112961231A
公开(公告)日:2021-06-15
申请号:CN202110272020.4
申请日:2021-03-12
Applicant: 北京科技大学 , 北京中智生物农业国际研究院 , 北京首佳利华科技有限公司
IPC: C07K14/415 , C12N15/29 , C12N15/82 , C12N15/84 , A01H5/02 , A01H6/46 , A01H1/02 , C12Q1/6895 , C12N15/11
Abstract: 本发明公开了雄性不育基因ZmbHLH122及其在创制玉米雄性不育系中的应用,具有SEQIDNO.1所示的核苷酸序列,该基因编码的蛋白质具有SEQIDNO.2所示的氨基酸序列。本发明通过CRISPR/Cas9基因编辑技术在野生型玉米中定点突变该基因,可以导致完全的雄性不育,发现了ZmbHLH122基因对玉米雄性生殖发育的调控功能。通过后代筛选,可以得到不含转基因成分的不育系,创制出稳定的玉米雄性不育系,对玉米雄性育性控制和杂交种子生产具有重要意义。本发明还针对获得的bhlh122雄性不育突变体设计了功能分子标记,在玉米雄性不育系培育、不育化杂交制种和分子标记辅助选择中具有重要的应用价值。
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公开(公告)号:CN112813098A
公开(公告)日:2021-05-18
申请号:CN202110272184.7
申请日:2021-03-12
Applicant: 北京科技大学 , 北京中智生物农业国际研究院 , 北京首佳利华科技有限公司
Abstract: 本发明公开了利用人工突变创制玉米bhlh51雄性不育系。本发明利用CRISPR/Cas9基因组编辑技术对玉米育性基因ZmbHLH51进行编辑,然后通过杂交和自交在F2代获得纯合且不含Cas9转基因的雄性不育突变体,从而创制出稳定的玉米bhlh51雄性不育系。bhlh51雄性不育系与目标材料进行杂交和回交,可以使目标材料获得bhlh51雄性不育的性状和基因突变,对促进玉米不育化杂交育种和制种具有重要意义。本发明还针对获得的bhlh51雄性不育突变体设计了功能分子标记,在玉米雄性不育系培育、不育化杂交育种、制种和分子标记辅助选择中具有重要的应用价值。
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公开(公告)号:CN107611390A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201710777612.5
申请日:2017-09-01
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/054 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种金属掺杂磷酸钒钠复合电极材料及其制备方法和应用。所述金属掺杂磷酸钒钠复合电极材料为呈微纳米复合颗粒状的Na3V2-xMx(PO4)3/C复合电极材料。所述制备方法中有机物碳源的加入可在水热过程中原位包覆在Na3V2-xMx(PO4)3/C 前驱体颗粒表面,既能用于防止Na3V2-xMx(PO4)3/C 前驱体颗粒的长大和团聚;又能在热处理过程中热分解为无定形碳,形成核心是Na3V2-xMx(PO4)3/C 的颗粒,外壳是无定形碳的核壳结构。本发明的一种金属掺杂磷酸钒钠复合电极材料具有良好的导电性、优异的循环稳定性和倍率性能等优点。属于电极材料领域。
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公开(公告)号:CN116875633A
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN202311142282.4
申请日:2023-09-06
Applicant: 北京首佳利华科技有限公司 , 北京科技大学 , 北京中智生物农业国际研究院
Abstract: 本发明公开了雄性不育基因ZmSWEET6及其在创制玉米雄性不育系中的应用,ZmSWEET6包括2个旁系同源基因,分别具有SEQ ID NO.1和SEQ ID NO.2所示的核苷酸序列,编码的蛋白质具有SEQ ID NO.3和SEQ ID NO.4所示氨基酸序列。本发明通过CRISPR/Cas9基因编辑技术在野生型玉米中同时定点突变ZmSWEET6的旁系同源基因,创制了sweet6a/6b突变体,导致完全雄性不育,发现了ZmSWEET6基因对玉米雄性生殖发育的调控功能。本发明还针对获得的sweet6a/6b雄性不育突变体设计了功能分子标记,通过分子标记辅助选择筛选创制出稳定的玉米雄性不育系,对玉米雄性育性控制和杂交种子生产具有重要意义。
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公开(公告)号:CN107819115A
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201710955088.6
申请日:2017-10-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种掺杂改性的氟磷酸钒钠正极材料及其制备方法,以解决现有氟磷酸钒钠正极材料倍率性能差和循环性能不稳定的问题。本发明的材料名义分子式为Na3V2-xCax(PO4)2F3,其中,0<x≤0.2,通过按照化学计量比的钠源,钙源,钒源,磷酸盐和为了控制化合物中V价态的碳源在去离子水介质中溶解均匀,得到混合溶液,再经烘干得到氟磷酸钒钠前驱体。该前驱物在惰性气氛于300℃~400℃进行热处理,再在600℃~700℃下烧结得到掺杂改性的氟磷酸钒钠正极材料。该材料具有较高的离子电导率和电子电导率,从而使材料具备优异的倍率性能;材料在电化学充放电过程中的循环稳定性得到增强;制备工艺过程简单。
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公开(公告)号:CN107425190A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201710777618.2
申请日:2017-09-01
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/054
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/5825 , H01M4/625 , H01M4/628 , H01M10/054 , H01M2004/021
Abstract: 本发明涉及一种磷酸钒钠复合电极材料及其制备方法和应用。所述磷酸钒钠复合电极材料为核壳结构的Na3TixV2-x(PO4)3/C复合电极材料。所述制备方法选用有机还原剂和碳源,在热处理过程中碳源可热分解为无定形碳,形成核心是Na3TixV2-x(PO4)3颗粒,外壳是无定形碳的核壳结构;这种独特的纳米颗粒核壳结构既可缩短钠离子的传输路径、提高材料离子电导率又可通过原位包覆碳材料来提高电子电导率,对改善Na3TixV2-x(PO4)3/C 复合电极材料的电化学性能有巨大的促进作用。本发明的复合电极材料广泛应用于储能材料及二次钠离子电池技术领域。属于电极材料领域。
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公开(公告)号:CN106450185A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201610875853.9
申请日:2016-09-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/583 , B82Y30/00 , H01M10/0525
CPC classification number: Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011 , H01M4/362 , B82Y30/00 , H01M4/5815 , H01M4/583 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种MoS2纳米针外延生长于碳纳米管复合负极材料的制备方法。通过采用化学气相沉积法,制备出MoS2纳米针/碳纳米管复合材料。MoS2和碳纳米管在界面处共格结合,提高两者的结合强度,保证充放电过程中活性物质结构稳定,并加速电化学反应过程中电子的传输;MoS2纳米针在碳纳米管的均匀分布防止纳米活性物质在充放电过程中发生团聚;柔性载体碳纳米管可以缓解活性物质在充放电过程中的体积变化,保障电极结构稳定性。本发明的优点在于复合材料的制备工艺简单,产量大,适合大规模工业化生产。此方法制备的MoS2纳米针/碳纳米管复合材料具有稳定的循环性能和优异的倍率性能,是一种理想的锂离子电池负极材料,可广泛应用于便携式电子设备、电动汽车以及航空航天等领域。
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