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公开(公告)号：CN116837002B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311121126.X
申请日：2023-09-01
Applicant: 北京首佳利华科技有限公司 , 北京科技大学 , 北京中智生物农业国际研究院
IPC: C12N15/29 , C07K14/415 , C12N15/82 , A01H5/00 , A01H6/46
Abstract: 本发明公开了ZmDPP1及其编码蛋白在玉米育性控制中的应用。本发明采用EMS诱变获得一个玉米雄性不育突变体ddp1，通过图位克隆鉴定出一个控制玉米雄花发育的基因ZmDPP1。本发明通过CRISPR/Cas9基因编辑技术在野生型玉米中定点突变该基因，创制出3个ddp1的等位玉米雄性不育突变体，该突变体玉米雄花完全败育，通过后代筛选，可以得到不含转基因成分的不育突变体，进而应用于玉米不育化育种和制种。本发明还针对dpp1的三个等位雄性不育突变体设计了功能分子标记，在玉米雄性不育系培育、不育化杂交制种和分子标记辅助选择中具有重要的
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公开(公告)号：CN116875633B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311142282.4
申请日：2023-09-06
Applicant: 北京首佳利华科技有限公司 , 北京科技大学 , 北京中智生物农业国际研究院
Abstract: 本发明公开了雄性不育基因ZmSWEET6及其在创制玉米雄性不育系中的应用，ZmSWEET6包括2个旁系同源基因，分别具有SEQ ID NO.1和SEQ ID NO.2所示的核苷酸序列，编码的蛋白质具有SEQ ID NO.3和SEQ ID NO.4所示氨基酸序列。本发明通过CRISPR/Cas9基因编辑技术在野生型玉米中同时定点突变ZmSWEET6的旁系同源基因，创制了sweet6a/6b突变体，导致完全雄性不育，发现了ZmSWEET6基因对玉米雄性生殖发育的调控功能。本发明还针对获得的sweet6a/6b雄性不育
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公开(公告)号：CN112899247B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110464871.9
申请日：2021-04-28
Applicant: 北京科技大学 , 北京中智生物农业国际研究院 , 北京首佳利华科技有限公司
IPC: C12N9/04 , C12N15/53 , C12N15/84 , C12N15/55 , A01H5/02 , A01H6/46 , A01H1/02 , C12Q1/6895 , C12N15/11
Abstract: 本发明公开了雄性不育基因ZmTKPR1及其在创制玉米雄性不育系中的应用，ZmTKPR1包括2个旁系同源基因，分别具有SEQ ID NO.1和SEQ ID NO.2所示的核苷酸序列，编码的蛋白质具有SEQ ID NO.3和SEQ ID NO.4所示氨基酸序列。本发明通过CRISPR/Cas9基因编辑技术在野生型玉米中同时定点突变ZmTKPR1的旁系同源基因，创制了tkpr1‑1/2突变体，导致完全雄性不育，发现了ZmTKPR1基因对玉米雄性生殖发育的调控功能。本发明还针对获得的tkpr1‑1/2雄性不育突变体设计了功能分子标记，筛选创制出稳定的玉米雄性不育系，对玉米雄性育性控制和杂交种子生产具有重要意义。
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公开(公告)号：CN112899247A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110464871.9
申请日：2021-04-28
Applicant: 北京科技大学 , 北京中智生物农业国际研究院 , 北京首佳利华科技有限公司
IPC: C12N9/04 , C12N15/53 , C12N15/84 , C12N15/55 , A01H5/02 , A01H6/46 , A01H1/02 , C12Q1/6895 , C12N15/11
Abstract: 本发明公开了雄性不育基因ZmTKPR1及其在创制玉米雄性不育系中的应用，ZmTKPR1包括2个旁系同源基因，分别具有SEQ ID NO.1和SEQ ID NO.2所示的核苷酸序列，编码的蛋白质具有SEQ ID NO.3和SEQ ID NO.4所示氨基酸序列。本发明通过CRISPR/Cas9基因编辑技术在野生型玉米中同时定点突变ZmTKPR1的旁系同源基因，创制了tkpr1‑1/2突变体，导致完全雄性不育，发现了ZmTKPR1基因对玉米雄性生殖发育的调控功能。本发明还针对获得的tkpr1‑1/2雄性不育突变体设计了功能分子标记，筛选创制出稳定的玉米雄性不育系，对玉米雄性育性控制和杂交种子生产具有重要意义。
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公开(公告)号：CN106450185B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610875853.9
申请日：2016-09-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/583 , B82Y30/00 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种MoS2纳米针外延生长于碳纳米管复合负极材料的制备方法。通过采用化学气相沉积法，制备出MoS2纳米针/碳纳米管复合材料。MoS2和碳纳米管在界面处共格结合，提高两者的结合强度，保证充放电过程中活性物质结构稳定，并加速电化学反应过程中电子的传输；MoS2纳米针在碳纳米管的均匀分布防止纳米活性物质在充放电过程中发生团聚；柔性载体碳纳米管可以缓解活性物质在充放电过程中的体积变化，保障电极结构稳定性。本发明的优点在于复合材料的制备工艺简单，产量大，适合大规模工业化生产。此方法制备的MoS2纳米针/碳纳米管复合材料具有稳定的循环性能和优异的倍率性能，是一种理想的锂离子电池负极材料，可广泛应用于便携式电子设备、电动汽车以及航空航天等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106450296B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201610874891.2
申请日：2016-09-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/58 , H01M10/0525 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法。本研究以无机锡盐为锡源，以有机硫化物为硫源，以聚乙二醇为添加剂，通过简单的溶剂热法一步制备出以(101)晶面择优生长的SnS2纳米片。这些以(101)晶面为裸露表面的纳米片，在充放电过程中可以提供充足的电化学活性位点，缩短锂离子的扩散路径，加快电化学反应动力学，从而使得电极的倍率性能优异。本发明的优点在于(101)晶面择优生长的SnS2纳米片的制备工艺简单易行，并可以应用到其他层状物质的择优生长。此方法制备的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片具有优异的倍率性能，是一种潜在的高性能锂离子电池负极材料，有望广泛应用于各种便携式电子设备、电动汽车以及航空航天等领域。
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公开(公告)号：CN107819115B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201710955088.6
申请日：2017-10-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种掺杂改性的氟磷酸钒钠正极材料及其制备方法，以解决现有氟磷酸钒钠正极材料倍率性能差和循环性能不稳定的问题。本发明的材料名义分子式为Na3V2‑xCax(PO4)2F3，其中，0＜x≤0.2，通过按照化学计量比的钠源，钙源，钒源，磷酸盐和为了控制化合物中V价态的碳源在去离子水介质中溶解均匀，得到混合溶液，再经烘干得到氟磷酸钒钠前驱体。该前驱物在惰性气氛于300○C～400○C进行热处理，再在600○C～700○C下烧结得到掺杂改性的氟磷酸钒钠正极材料。该材料具有较高的离子电导率和电子电导率，从而使材料具备优异的倍率性能；材料在电化学充放电过程中的循环稳定性得到增强；制备工艺过程简单。
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公开(公告)号：CN106450296A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610874891.2
申请日：2016-09-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/58 , H01M10/0525 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E60/122 , Y02T10/7011 , H01M4/5815 , B82Y40/00 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法。本研究以无机锡盐为锡源，以有机硫化物为硫源，以聚乙二醇为添加剂，通过简单的溶剂热法一步制备出以晶面为裸露表面的纳米片，在充放电过程中可以提供充足的电化学活性位点，缩短锂离子的扩散路径，加快电化学反应动力学，从而使得电极的倍率性能优异。本发明的优点在于(101)晶面择优生长的SnS2纳米片的制备工艺简单易行，并可以应用到其他层状物质的择优生长。此方法制备的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片具有优异的倍率性能，是一种潜在的高性能锂离子电池负极材料，有望广泛应用于各种便携式电子设备、电动汽车以及航空航天等领域。(101)晶面择优生长的SnS2纳米片。这些以(101)
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公开(公告)号：CN116837002A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202311121126.X
申请日：2023-09-01
Applicant: 北京首佳利华科技有限公司 , 北京科技大学 , 北京中智生物农业国际研究院
IPC: C12N15/29 , C07K14/415 , C12N15/82 , A01H5/00 , A01H6/46
Abstract: 本发明公开了ZmDPP1及其编码蛋白在玉米育性控制中的应用。本发明采用EMS诱变获得一个玉米雄性不育突变体ddp1，通过图位克隆鉴定出一个控制玉米雄花发育的基因ZmDPP1。本发明通过CRISPR/Cas9基因编辑技术在野生型玉米中定点突变该基因，创制出3个ddp1的等位玉米雄性不育突变体，该突变体玉米雄花完全败育，通过后代筛选，可以得到不含转基因成分的不育突变体，进而应用于玉米不育化育种和制种。本发明还针对dpp1的三个等位雄性不育突变体设计了功能分子标记，在玉米雄性不育系培育、不育化杂交制种和分子标记辅助选择中具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN112961231B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202110272020.4
申请日：2021-03-12
Applicant: 北京科技大学 , 北京中智生物农业国际研究院 , 北京首佳利华科技有限公司
IPC: C07K14/415 , C12N15/29 , C12N15/82 , C12N15/84 , A01H5/02 , A01H6/46 , A01H1/02 , C12Q1/6895 , C12N15/11
Abstract: 本发明公开了雄性不育基因ZmbHLH122及其在创制玉米雄性不育系中的应用，具有SEQIDNO.1所示的核苷酸序列，该基因编码的蛋白质具有SEQIDNO.2所示的氨基酸序列。本发明通过CRISPR/Cas9基因编辑技术在野生型玉米中定点突变该基因，可以导致完全的雄性不育，发现了ZmbHLH122基因对玉米雄性生殖发育的调控功能。通过后代筛选，可以得到不含转基因成分的不育系，创制出稳定的玉米雄性不育系，对玉米雄性育性控制和杂交种子生产具有重要意义。本发明还针对获得的bhlh122雄性不育突变体设计了功能分子标记，在玉米雄性不育系培育、不育化杂交制种和分子标记辅助选择中具有重要的应用价值。
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