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公开(公告)号：CN108507991A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810277213.7
申请日：2018-03-30
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01N21/64
摘要： 本发明涉及一种双光子荧光的增强方法及其应用，方法包括：将荧光材料和介电微球堆叠组合，得到复合介电结构；将激光源发射的激光通过显微物镜照射到复合介电结构中的介电微球上进行聚焦，得到聚焦后的光源；聚焦后的光源激发荧光材料，实现荧光材料双光子荧光的增强。本发明通过将荧光材料与介电微球结合，制得复合介电结构，通过该结构中的介电微球对光源的聚焦，可以使得在相同激光功率下荧光材料的荧光强度增强100倍左右，相比现有增强双光子荧光的技术，本发明的技术方案具有成本低、工艺简单、适用于大面积固态荧光材料等优点，有效解决了目前荧光材料双光子荧光效率低的问题。
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公开(公告)号：CN118884606A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411049279.2
申请日：2024-08-01
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种用于光束折射的倾斜波导阵列系统、调控装置及调控方法，属于微纳光学技术领域。一种用于光束折射的倾斜波导阵列系统包括：衬底以及倾斜波导阵列；所述倾斜波导阵列包括首尾级联的第一倾斜波导阵列与第二倾斜波导阵列；衬底位于倾斜波导阵列下方；第一倾斜波导阵列与第二倾斜波导阵列均沿阵列延伸方向旋转预设角度，旋转后不共线，预设角度范围为0～30度；入射光在经过第一倾斜波导阵列与第二倾斜波导阵列的交界面时发生折射。基于系统能带结构确定不同折射效应对应的初始布洛赫波矢，并计算得到光束的初始入射角；调节入射光的入射方向，光束在界面处会发生不同的折射效应，从而实现对离散光束折射效应的精确调控。
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公开(公告)号：CN113938201A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111095927.4
申请日：2021-09-18
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H04B10/27 , H04B10/275 , H04B10/80 , G02B6/26
摘要： 本发明公开一种光纤网络，属于光学领域。包括：第一光耦合器的输入端连接第一光纤一端，耦合端连接第四光纤一端，直通端连接第二光纤一端，隔离端连接第三光纤一端；第二光耦合器的输入端连接第二光纤另一端，耦合端连接第三光纤另一端，直通端连接第一光纤另一端，隔离端连接第四光纤另一端；第一光纤与第三光纤的长度差、第二光纤与第四光纤的长度差为0；第一光纤与第二光纤、第四光纤与第三光纤的长度差满足：1)两个长度差相等为正数；2)该长度差保障时延差大于等于2倍入射脉冲的宽度。本发明调节光纤网络结构，实现不同形式的晶格结构，结合晶格特征和演化方程，对脉冲在系统中的演化进行分析和调控。
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公开(公告)号：CN109782455B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910094647.8
申请日：2019-01-31
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明涉及一种单层二维材料中能谷光子的分离方法，包括：制作纳米孔阵列；在纳米孔阵列的一表面上层叠单层二维材料薄膜；向纳米孔阵列的另一表面上入射线偏激光，线偏激光经纳米孔阵列的调制，得到自旋相反且发射方向不同的两束圆偏激光，单层二维材料薄膜在两束圆偏激光的激发下，发射出自旋相反且出射方向不同的两束能谷光子，完成能谷光子的分离。本发明采用纳米孔阵列辅助单层二维材料中能谷光子的分离，在产生倍频的能谷光子的同时，提高单层二维材料的倍频效率。另外，可以在常温下对能谷光子的出射方向进行操控，自由度高，能谷光子转换效率高。
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公开(公告)号：CN108022236B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711215610.3
申请日：2017-11-28
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于焊缝图像提取拟合的焊接应力变形预测方法及系统，属于焊接加工领域，该方法包括：步骤1，基于焊缝图像获得轮廓线，拟合成函数曲线；步骤2，基于函数曲线建立焊缝形貌的三维几何模型，在该三维几何模型中划分温度场单元，设定焊接材料的热物性参数、热输入及边界加载量，从而获得瞬态温度场；步骤3，从三维几何模型中选择应力场单元，设定焊接材料的力学物性参数，并将瞬态温度场的参数加载到应力场单元对应的节点上，得到瞬态应力和变形分布。本发明的系统包括执行如上方法的模块。本发明通过图像提取及拟合精确模拟温度场，有效解决非均匀温度场模拟精度差问题，保障焊接过程应力变形的准确模拟计算。
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公开(公告)号：CN105384449B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510764977.5
申请日：2015-11-11
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C04B35/626 , C04B35/632 , C04B35/486 , C04B35/488 , C04B35/111 , C04B35/119 , B28B1/00 , A61K6/02
摘要： 本发明公开了一种陶瓷墨水，包括质量分数为57％～70％的陶瓷粉，1％～5％的分散剂，8％～30％的甘油，8％～35％的水以及5％～20％的有机溶剂；所述陶瓷墨水的pH值为8～12，所述分散剂由质量比为1:5～5:1的聚丙烯酸铵和聚乙烯吡咯烷酮组成。本发明还公开了该陶瓷墨水的制备方法以及在义齿的喷墨打印中的应用。本发明通过二元分散剂提高了陶瓷墨水的分散性及墨水稳定性，进而将陶瓷墨水的固相含量提高至20vol.％～40vol.％，从而可以应用该陶瓷墨水直接喷墨打印出义齿等陶瓷制品，并且陶瓷制品相对密度超过98％。
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公开(公告)号：CN105384449A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510764977.5
申请日：2015-11-11
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C04B35/626 , C04B35/632 , C04B35/486 , C04B35/488 , C04B35/111 , C04B35/119 , B28B1/00 , A61K6/02
CPC分类号： C04B35/62625 , A61K6/0205 , A61K6/024 , B28B1/001 , C04B35/111 , C04B35/119 , C04B35/486 , C04B35/488 , C04B35/632 , C04B2235/96
摘要： 本发明公开了一种陶瓷墨水，包括质量分数为57％～70％的陶瓷粉，1％～5％的分散剂，8％～30％的甘油，8％～35％的水以及5％～20％的有机溶剂；所述陶瓷墨水的pH值为8～12，所述分散剂由质量比为1:5～5:1的聚丙烯酸铵和聚乙烯吡咯烷酮组成。本发明还公开了该陶瓷墨水的制备方法以及在义齿的喷墨打印中的应用。本发明通过二元分散剂提高了陶瓷墨水的分散性及墨水稳定性，进而将陶瓷墨水的固相含量提高至20vol.％～40vol.％，从而可以应用该陶瓷墨水直接喷墨打印出义齿等陶瓷制品，并且陶瓷制品相对密度超过98％。
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公开(公告)号：CN105352440A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510897606.4
申请日：2015-12-07
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01B11/02
CPC分类号： G01B11/02
摘要： 本发明公开了一种机电式裂缝感知器，包括控制模块、编码器和裂缝放大感知模块，以及显示模块和/或外部接口。控制模块分别连接所述编码器、显示模块与外界接口(可接RFID)；裂缝放大感知模块包括光电传感器和机械式裂缝放大器。机械式裂缝放大器可以将微小裂缝宽度放大，放大后的裂缝宽度经由光电传感器感知，再经编码器传送到控制模块；控制模块用于接收编码器传输的数据，并处理后传输至外部接口，同时传输至显示模块显示。将本发明置于待测结构部位，借助裂缝放大和实时感知，并将数据传输给外部接口，本发明能方便现场管理人员实时、自动、高精度地了解监测结构的开裂裂缝状态，从而减少事故隐患，同时设备成本低，经济效益好。
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公开(公告)号：CN104711785A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510152938.X
申请日：2015-04-01
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于视觉控制的电脑花样机，涉及工业缝纫机领域。包括机床主体(5)，能用于输入缝纫加工的控制参数的操作面板(6)，用于启动加工或者停止加工的脚踏控制器(7),用于图像处理和系统控制的控制机箱(9)，还包括视觉识别装置，该视觉识别装置用于对待缝合的裁片进行拍照，所述控制机箱(9)同时与所述操作面板(6)、机床主体(5)以及视觉识别装置相电连接，以对视觉识别装置拍摄的图像进行图像处理，并结合缝纫加工的控制参数控制机床主体进行缝合。本发明装置能生成与各个裁片相一一对应的缝合路径的数据文件，根据该缝合路径自动缝合，可解决现有技术中需要制板、以及缝纫质量不能满足要求的问题。
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公开(公告)号：CN108666865B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201810434917.0
申请日：2018-05-09
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种金属‑半导体复合结构、SPPs激发方法及制备方法，结构依次包括：透明基底，位于透明基底上的多层介质膜，位于多层介质膜表面的半导体纳米结构，覆盖于半导体纳米结构上的透明介质薄膜以及位于透明介质薄膜上的金属薄膜；半导体纳米结构用于形成金属薄膜表面纳米尺度的缺陷，并产生荧光信号以激发金属SPPs；透明基底和多层介质膜构成双色镜衬底，双色镜衬底对激光高透且对荧光高反；激发方法包括：将波长相对较短的激光透过双色镜衬底后垂直入射到所述半导体纳米结构上，以激发半导体纳米结构产生波长相对较长的单光子荧光信号，进而由荧光信号激发金属薄膜的SPPs。本发明能够提高SPPs的激发效率并降低SPPs的探测难度和探测成本。
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