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公开(公告)号：CN118338771B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410756160.2
申请日：2024-06-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种氧化硅自整流忆阻器及其制备方法，该忆阻器依次包括衬底、下电极、功能层及上电极，上电极与功能层之间形成的势垒差小于下电极与功能层之间形成的势垒差；功能层包括氧化硅缺氧层，氧化硅缺氧层的氧空位为俘获和释放电荷的陷阱；忆阻器利用氧空位陷阱的电荷俘获和释放机制实现电阻的变化，当在上电极和下电极之间施加负向电压时，电荷从上电极进入氧化硅缺氧层，逐渐被氧空位陷阱俘获，忆阻器的阻值逐渐降低；当在上电极和下电极之间施加正向电压时，电荷从氧化硅缺氧层中移出，逐渐被氧空位陷阱释放，忆阻器的阻值逐渐升高。本申请可有效解决传统离子迁移型忆阻器阵列中漏径电流以及需要大电压Forming问题。
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公开(公告)号：CN118338771A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410756160.2
申请日：2024-06-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种氧化硅自整流忆阻器及其制备方法，该忆阻器依次包括衬底、下电极、功能层及上电极，上电极与功能层之间形成的势垒差小于下电极与功能层之间形成的势垒差；功能层包括氧化硅缺氧层，氧化硅缺氧层的氧空位为俘获和释放电荷的陷阱；忆阻器利用氧空位陷阱的电荷俘获和释放机制实现电阻的变化，当在上电极和下电极之间施加负向电压时，电荷从上电极进入氧化硅缺氧层，逐渐被氧空位陷阱俘获，忆阻器的阻值逐渐降低；当在上电极和下电极之间施加正向电压时，电荷从氧化硅缺氧层中移出，逐渐被氧空位陷阱释放，忆阻器的阻值逐渐升高。本申请可有效解决传统离子迁移型忆阻器阵列中漏径电流以及需要大电压Forming问题。
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公开(公告)号：CN114864814B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202210356783.1
申请日：2022-04-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳米电子器件技术领域，具体公开了一种选通管及其制备方法，该选通管包括衬底以及依次堆叠于所述衬底上的第一电极层、中间介质层和第二电极层；所述中间介质层由富氧氧化物层和化学计量氧化物层双层堆叠而成，所述富氧氧化物中的氧价态高于正常化学价态，在热力学作用下所述富氧氧化物层中的氧向所述化学计量氧化物层迁移扩散并在界面迁移势垒的作用下钉扎在二者的界面处，形成富氧界面。本发明选通管在外界电压消失后金属导电丝倾向于在富氧界面处自发性断裂，从而有效地控制导电丝在器件中的生长形貌和通断位置，提高选通管发生阈值阻变过程中阈值电压的一致性。
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