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公开(公告)号：CN114864814B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202210356783.1
申请日：2022-04-06
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微纳米电子器件技术领域，具体公开了一种选通管及其制备方法，该选通管包括衬底以及依次堆叠于所述衬底上的第一电极层、中间介质层和第二电极层；所述中间介质层由富氧氧化物层和化学计量氧化物层双层堆叠而成，所述富氧氧化物中的氧价态高于正常化学价态，在热力学作用下所述富氧氧化物层中的氧向所述化学计量氧化物层迁移扩散并在界面迁移势垒的作用下钉扎在二者的界面处，形成富氧界面。本发明选通管在外界电压消失后金属导电丝倾向于在富氧界面处自发性断裂，从而有效地控制导电丝在器件中的生长形貌和通断位置，提高选通管发生阈值阻变过程中阈值电压的一致性。
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公开(公告)号：CN117156962A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311294770.7
申请日：2023-10-07
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明提供了一种人工非尖峰中间神经元器件及其制备方法，属于纳米电子器件技术领域，器件包括第一金属层、第一功能层、第二功能层和第二金属层；第一功能层采用重掺杂硅；第二功能层采用CuOx材料；第一金属层与第一功能层形成欧姆接触，第二金属层与第二功能层形成欧姆接触；通过在第一、二金属层上施加不同的电压信号，改变器件电阻状态，模拟非尖峰神经元对信息的过滤作用、对输入信号频率整合、输入信号幅值整合和放大，对模拟信号的传递过程模拟以及对输入信号的自适应响应模拟。本发明的人工非尖峰中间神经元器件能增强人工硬件神经网络中的硬件丰富度，有利于人工神经网络处理更复杂的任务。
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公开(公告)号：CN117337129A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311272095.8
申请日：2023-09-27
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明提供了一种基于TaOx电子型忆阻器的温感算器件及阵列，属于微纳米电子器件领域，温感算器件包括由下而上依次叠设的第一金属层、功能层和第二金属层；第一金属层内金属材料的功函数高于第二金属层内金属材料的功函数；功能层为TaOx材料；第一金属层接地，第二金属层施加正负电压；其中，第二金属层施加负向电压时的输出电流大于第二金属层施加相同大小正向电压时的输出电流，具有自整流效应；在第二金属层施加相同大小电压时，输出电流随着温度的升高而增大。本发明提供的器件及阵列结构更简单，集成度更高，更易于工业实现及小尺寸传感系统应用，能够有效改善冗余数据传输过程产生的高功耗和高延时等问题。
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公开(公告)号：CN116723757A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310688969.1
申请日：2023-06-09
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明提供了一种基于TaOx的电子型人工树突器件及其制备方法，器件包括由下而上依次叠设的衬底、第一金属层、功能层以及第二金属层；功能层采用TaOx材料；x小于2.5，以使得功能层存在氧空位形成陷阱能级；第一金属层的功函数高于第二金属层的功函数；第二金属层被施加电压时，由第二金属层向功能层跃迁的电子被陷阱能级俘获，器件由低阻态变为高阻态；电压被移除时，功能层俘获的电子被释放到第一金属层，器件自发回到高阻态。本发明提供的器件具有易失性，且能够模仿生物树突来实现对其他神经元传递来的电信号的非线性整合，可以整合时空信息，并过滤掉无关紧要的背景信息，增强人工神经网络对信息的处理能力，降低人工神经网络的功耗。
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公开(公告)号：CN114864814A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210356783.1
申请日：2022-04-06
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明属于微纳米电子器件技术领域，具体公开了一种选通管及其制备方法，该选通管包括衬底以及依次堆叠于所述衬底上的第一电极层、中间介质层和第二电极层；所述中间介质层由富氧氧化物层和化学计量氧化物层双层堆叠而成，所述富氧氧化物中的氧价态高于正常化学价态，在热力学作用下所述富氧氧化物层中的氧向所述化学计量氧化物层迁移扩散并在界面迁移势垒的作用下钉扎在二者的界面处，形成富氧界面。本发明选通管在外界电压消失后金属导电丝倾向于在富氧界面处自发性断裂，从而有效地控制导电丝在器件中的生长形貌和通断位置，提高选通管发生阈值阻变过程中阈值电压的一致性。
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