一种用于传输数据的方法、装置和系统

    公开(公告)号:CN108781213B

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN201680083196.2

    申请日:2016-03-14

    Abstract: 本发明公开了一种用于传输数据的方法,能够降低开销。该方法包括:接收设备接收发送设备发送的第一报文,第一报文包括第一压缩数据和第一校验值,其中,第一压缩数据由发送设备基于第一压缩模式对第一数据压缩获得,第一校验值由发送设备基于第一校验算法对第二校验值处理获得,第二校验值由发送设备基于第二校验算法对第一压缩数据处理获得;接收设备通过基于第三校验算法对第一报文进行处理,获得第一校验码;并根据获得的第一校验码与第一压缩模式的对应关系,确定第一压缩模式是发送设备压缩第一数据时使用的压缩模式;接收设备通过基于与第一压缩模式对应的第一解压缩模式对第一报文中包括的第一压缩数据进行解压缩,获得第一数据。

    散热装置及通信产品
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104619156B

    公开(公告)日:2017-10-17

    申请号:CN201510085556.X

    申请日:2015-02-16

    Abstract: 本发明涉及一种散热装置,包括内壁和外壁,所述内壁和所述外壁彼此部分贴合,且所述内壁和所述外壁之间形成多路管道,多路管道内设工质,所述内壁包括蒸发区和冷凝区,冷凝区位于蒸发区的上方,多路管道从蒸发区延伸至冷凝区,通信产品的发热元件直接或间接地贴合于内壁之所述蒸发区的位置,所述发热元件所产生的热量使得所述工质气化且流动至所述冷凝区,呈气体状态的工质在所述冷凝区降温液化后流回所述蒸发区。本发明之散热装置具有散热效率高、体积小、重量轻的优势。本发明还提供一种通信产品。

    一种接入方法、装置和系统

    公开(公告)号:CN106471829A

    公开(公告)日:2017-03-01

    申请号:CN201480080113.5

    申请日:2014-12-31

    Inventor: 戚彩霞 陈靖 陈伟

    CPC classification number: H04W8/02

    Abstract: 本发明实施例提供一种接入方法、装置和系统。该方法包括:当第一网络的移动管理网元获知用户设备UE请求接入第一网络时,该移动管理网元请求获取该UE在第二网络中的签约数据;当该移动管理网元获取该签约数据失败时,该移动管理网元向该第一网络的基站设备发送失败指示信息;其中,该失败指示信息用于指示不为该UE选择该第二网络接入。通过该方法,可以提高业务稳定性。

    相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备

    公开(公告)号:CN119730709A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202410316618.2

    申请日:2024-03-19

    Abstract: 本公开公开了相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备,属于半导体存储技术领域。该相变材料包括Ge‑Sb‑Te相变基材和掺杂于Ge‑Sb‑Te相变基材的第一掺杂元素和第二掺杂元素。第一掺杂元素包括Hf元素,其原子百分比为1.5%‑6.5%;第二掺杂元素包括N元素、C元素、In元素、Ga元素中的至少一种,其原子百分比为1.0%‑5%。该相变材料在具有高粘附力的同时,且使相变器件兼具大的读窗口和高寿命等性能。

    一种终端设备
    18.
    发明公开
    一种终端设备 审中-实审

    公开(公告)号:CN118825593A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202310452539.X

    申请日:2023-04-17

    Abstract: 本申请提供了,一种终端设备,利用钣金件和天幕玻璃之间的缝隙设置天线的辐射体,形成隐藏式的天幕玻璃天线,大大提升了终端设备的整体设计美感,同时,该天线具有良好的辐射特性可以使终端设备具有良好的通信质量。终端设备包括:车架,天幕玻璃和第一天线。车架包括钣金件,天幕玻璃的部分与钣金件间隔设置。第一天线包括第一辐射体,第一辐射体设置于天幕玻璃和钣金件之间,且位于天幕玻璃表面。第一辐射体在水平面的投影和天幕玻璃在水平面的投影至少部分重叠。

    三维相变存储结构、其制备方法、相变存储器和电子设备

    公开(公告)号:CN115835773A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202111081593.5

    申请日:2021-09-15

    Inventor: 陈伟 蓝天 吴全潭

    Abstract: 本申请公开了一种三维相变存储结构、其制备方法、相变存储器和电子设备。该三维相变存储结构包括:衬底,位于衬底上的叠层结构,贯穿叠层结构的第一过孔,位于第一过孔内的X个相变存储单元,位于叠层结构上的晶体管和多条走线。当需要选中其中一个相变存储单元时,通过字线控制所有的晶体管导通,通过位线选中仅与该位线电连接的X个相变存储单元,然后通过层控制线选通其中一个相变存储单元,从而实现任一变存储单元的唯一选择,实现一种新型的三维相变存储结构。并且,在该三维相变存储结构中,位于同一过孔中的X个相变存储单元可以共用同一条位线,相比每一层存储单元均需要一条位线,可以显著降低位线数量,从而降低成本。

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