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公开(公告)号：CN113572980A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202010351795.6
申请日：2020-04-28
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请适用于终端技术领域，尤其涉及拍照方法、装置、终端设备及存储介质。在拍照时，可以通过定焦摄像头获取包含同一拍照场景的第一图像和第二图像，其中，第一图像的分辨率为第二图像的分辨率的N倍，N为大于1的整数，并可以通过将第一图像的前景与第二图像的后景进行图像融合处理，来得到前景和后景的清晰度均较高的拍照图像，提高拍照效果，提升用户体验。
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公开(公告)号：CN113572980B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202010351795.6
申请日：2020-04-28
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请适用于终端技术领域，尤其涉及拍照方法、装置、终端设备及存储介质。在拍照时，可以通过定焦摄像头获取包含同一拍照场景的第一图像和第二图像，其中，第一图像的分辨率为第二图像的分辨率的N倍，N为大于1的整数，并可以通过将第一图像的前景与第二图像的后景进行图像融合处理，来得到前景和后景的清晰度均较高的拍照图像，提高拍照效果，提升用户体验。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119730709A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410316618.2
申请日：2024-03-19
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本公开公开了相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备，属于半导体存储技术领域。该相变材料包括Ge‑Sb‑Te相变基材和掺杂于Ge‑Sb‑Te相变基材的第一掺杂元素和第二掺杂元素。第一掺杂元素包括Hf元素，其原子百分比为1.5％‑6.5％；第二掺杂元素包括N元素、C元素、In元素、Ga元素中的至少一种，其原子百分比为1.0％‑5％。该相变材料在具有高粘附力的同时，且使相变器件兼具大的读窗口和高寿命等性能。
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公开(公告)号：CN118412347A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202310107764.X
申请日：2023-01-29
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L27/02 , G01R31/28 , G01R31/317 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本申请提出一种电路和计算装置，该电路包括：第一逻辑电路和第一测试逻辑电路，其中，对第一逻辑电路的输出端口插入额外的第一测试逻辑电路，该额外的第一测试逻辑电路可以阻挡电路中X源的继续传播。基于本申请中提供的第一逻辑电路，通过插入较少的额外的第一测试逻辑电路便可以阻挡X源的继续传播，从而减少了对芯片中的面积的占用，因此可以降低芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN111526299A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010352303.5
申请日：2020-04-28
Applicant: 华为技术有限公司
Inventor： 张雨
Abstract: 本发明实施例提供的一种高动态范围图像合成方法和电子设备的技术方案中，根据用户输入的HDR拍照操作，获取当前拍照场景下具有不同景深的多帧图像，且每帧图像具备一个曝光度，将曝光度相同的多帧图像进行合成，生成全景深图像，通过HDR算法对多个曝光度的全景深图像进行合成，生成高动态范围图像，从而能够获取一张各个景深清晰，且高动态范围的图像，并且能够同时解决景深浅导致的背景模糊且动态范围不足，造成高动态范围图像过曝、欠曝问题。
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公开(公告)号：CN117980753A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202180101663.0
申请日：2021-09-23
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请公开了一种测试电路、集成电路、电子设备、测试电路的生成方法，涉及集成电路测试领域，用于实现测试总线上数据传输的时序一致，提高测试总线的传输速率。测试电路包括：第一输入总线、第二输入总线、第一输出总线、第二输出总线、第一动态路由单元DRU和第一寄存器；在一个时钟周期：第一DRU向被测电路输出来自第一输入总线的测试激励，并向第一输出总线输出来自被测电路的测试响应；或者，第一DRU向第一输出总线输出来自第一输入总线的数据；第一寄存器向第二输出总线输出来自第二输入总线的数据。
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公开(公告)号：CN119730710A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411165950.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本公开公开了相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备，属于半导体存储技术领域。该相变材料包括Ge‑Sb‑Te相变基材和掺杂于Ge‑Sb‑Te相变基材的第一掺杂元素和第二掺杂元素。第一掺杂元素包括Hf元素，其原子百分比为1.5％‑6.5％；第二掺杂元素包括N元素、C元素、In元素、Ga元素中的至少一种，其原子百分比为1.0％‑5％。该相变材料在具有高粘附力的同时，且使相变器件兼具大的读窗口和高寿命等性能。
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