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公开(公告)号：CN103474242A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310446541.2
申请日：2013-09-26
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明属于多孔光电功能材料领域，特别涉及一种染料敏化太阳电池的阳极薄膜。本发明阳极薄膜为表面已修饰的具有多级孔和连续网络网络孔道骨架结构的半导体薄膜；所述阳极薄膜中多个单晶纳米短棒相连组成基础骨棒，多个基础骨棒相互连接向三维空间延伸形成三维连续网络孔道骨架结构；所述阳极薄膜中的孔道呈现多级结构，既有介孔结构又有大孔结构。经过表面修饰的本发明阳极薄膜提高了染料敏化太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN112992290A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110285597.9
申请日：2021-03-17
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习和团簇模型的钙钛矿带隙预测方法，包括以下步骤：S1，确定钙钛矿团簇模型并对团簇模型的结构进行优化；S2，根据团簇模型结构的优化结果，选定一系列团簇模型的本征结构参数构建一定数量的模型的数据库作为机器学习的训练数据库；S3，使用自相关性热度图和xgboost自带的特征重要性排序对构建的数据库进行筛分得到最终的机器学习训练数据库；S4，利用得到的机器学习训练数据库对机器学习模型进行训练并对带隙进行预测。本发明提供的基于机器学习和团簇模型的钙钛矿带隙预测方法，具有计算速度快、精度高、电子结构分析方便的特点。
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公开(公告)号：CN107123739A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710416978.X
申请日：2017-06-06
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213 , H01L51/0003
Abstract: 本发明公开了一种气相辅助溶液法制备的非铅铋基钙钛矿太阳电池光吸收层薄膜及其制备方法。所述气相辅助溶液法制备的非铅铋基钙钛矿光吸收层表面致密、晶粒大小均匀、粒径约为200‑300nm、薄膜厚度为300nm左右。其制备方法为：首先通过溶液法将铋的卤化物溶液旋涂在衬底上，然后再利用碘化物粉末碘甲胺、碘甲醚和碘化铯中的一种或者两种的混合物产生的蒸气与涂有铋的卤化物的衬底进行反应，得到表面致密，晶粒大小均匀的非铅铋基钙钛矿光吸收层薄膜。本发明通过采用气相辅助溶液法，有效地改善非铅铋基钙钛矿光吸收层的表面形貌，使其更加有利于载流子的传输，而且薄膜制备工艺流程简单、可控性强、产品可重复率高。
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公开(公告)号：CN104037743B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410227549.4
申请日：2014-05-27
Applicant: 华北电力大学
IPC: H02H7/28
Abstract: 本发明公开了电力系统连锁故障控制技术领域中的一种基于电气介数的复杂电力网络连锁故障抑制方法。包括，建立复杂电力网络，计算电力网络中各节点的电气介数和生成介数之差，确定拟选孤岛，将其余网络作为大电网，切除连接孤岛与大电网的边，使孤岛与大电网解列，计算大电网中各节点的电气介数，并将其作为相应节点的负荷，统计大电网中过负荷节点的数量，当过负荷节点的数量大于设定阈值时，从大电网中移除设定比例的电气介数和生成介数之差最小的节点。本发明在连锁故障传播前主动解列孤岛和移除少量节点，在有效降低各节点的负荷的同时，减小了移除节点对网络结构和性能的影响，从而有效地抑制了连锁故障的传播，将连锁故障的危害最小化。
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公开(公告)号：CN105498552A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510898003.6
申请日：2015-12-08
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02W10/37 , B01D71/024 , B01D67/0088 , B01D67/0093 , B01D69/02 , B01D69/12 , B01D2325/10 , C02F1/4672
Abstract: 本发明属于膜技术和光电材料领域，具体涉及一种半导体氧化物改性的导电滤膜及其制备方法和应用。所述半导体氧化物改性的导电滤膜，由普通导电滤膜和半导体氧化物组成。其中，半导体氧化物包括TiO2，ZnO或Fe2O3，普通导电滤膜的孔径为1nm-1μm。制备方法为：半导体氧化物在导电滤膜制备过程中引入，或先制备普通导电滤膜，再使用半导体氧化物对其进行改性。半导体氧化物改性的导电滤膜将膜分离技术与半导体光电催化技术有效联合，相对于传统的光催化或导电滤膜等水治理技术，能有效提高了膜表面空穴的含量，增强了滤膜的氧化净化能力。这种基于导电滤膜的光电催化技术的水处理系统能提高水环境中有机污染物的降解和致病菌的灭活，以及膜的自净能力，进而大大提高了污水的处理效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105152208A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510481613.6
申请日：2015-08-03
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01G23/053
Abstract: 本发明公开了一种多彩的TiO2微米球的合成方法及其应用，在乙二胺作用下制备多彩的TiO2微米球的方法及其在光催化等领域的应用。该实验是将异丙醇与乙酰丙酮混合形成混合溶剂，加入一定量的乙二胺，充分搅拌后，加入钛源，再次充分搅拌后，移入反应釜中160~230℃下反应6~24h，自然冷却后，经分离、洗涤、干燥后得到多彩的TiO2微米球。本发明的合成方法具有工艺简单、产量高、反应条件温和等特点。
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公开(公告)号：CN104037743A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410227549.4
申请日：2014-05-27
Applicant: 华北电力大学
IPC: H02H7/28
Abstract: 本发明公开了电力系统连锁故障控制技术领域中的一种基于电气介数的复杂电力网络连锁故障抑制方法。包括，建立复杂电力网络，计算电力网络中各节点的电气介数和生成介数之差，确定拟选孤岛，将其余网络作为大电网，切除连接孤岛与大电网的边，使孤岛与大电网解列，计算大电网中各节点的电气介数，并将其作为相应节点的负荷，统计大电网中过负荷节点的数量，当过负荷节点的数量大于设定阈值时，从大电网中移除设定比例的电气介数和生成介数之差最小的节点。本发明在连锁故障传播前主动解列孤岛和移除少量节点，在有效降低各节点的负荷的同时，减小了移除节点对网络结构和性能的影响，从而有效地抑制了连锁故障的传播，将连锁故障的危害最小化。
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公开(公告)号：CN118685860A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410752616.8
申请日：2024-06-12
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿材料技术领域，公开了一种CsPbBr3多晶晶片的制备方法，包括以下步骤：S1、配置CsBr溶液，S2、配置PbBr2溶液，S3、制备纯相CsPbBr3粉末，S4、制备纯相CsPbBr3多晶晶片；还公开了一种CsPbBr3多晶晶片的制备方法制备得到的CsPbBr3多晶晶片在全无机钙钛矿的矿辐射探测器中的应用；本发明提升了纯相CsPbBr3粉末的产率，减小了纯相CsPbBr3多晶晶片的针孔和孔隙，提高了纯相CsPbBr3多晶晶片的质量，有效提高空穴载流子的收集效率，加快载流子漂移速度，降低全能量峰能量分辨率；适用于CsPbBr3多晶晶片的制备。
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公开(公告)号：CN114824066A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210078682.2
申请日：2022-01-24
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了属于忆阻器技术领域的一种高性能δ‑CsPbI3薄膜忆阻器及其制备方法。所述δ‑CsPbI3薄膜忆阻器的结构从下至上依次为：FTO导电玻璃基底、底电极Ag膜、AgOx界面层、δ‑CsPbI3薄膜、顶电极Ag膜。所述δ‑CsPbI3薄膜忆阻器在自然氧化的无定形AgOx层表面沉积黄相δ‑CsPbI3薄膜，AgOx界面层有助于δ‑CsPbI3形成连续薄膜，促进薄膜内导电Ag丝的形成起关键作用。所述忆阻器具有非易失性双极性电阻开关和存储特性，具有瞬时设置/复位现象、极大的开关比、低的工作电压、极长的数据保持时间，大大提高了CsPbI3忆阻器的应用价值。
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公开(公告)号：CN114497388A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210107927.X
申请日：2022-01-28
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了属于太阳电池技术领域的一种基于硫氰基的二维Cs2PbI2(SCN)2钙钛矿太阳电池及其制备方法。所述钙钛矿太阳电池由依次布设的FTO基底、TiO2致密层、钙钛矿光吸收层、缓冲层、空穴传输层、金电极层所组成；所述钙钛矿光吸收层为甲脒盐酸盐掺杂的Cs2PbI2(SCN)2，缓冲层为三甲基溴化铵类物质。甲脒盐酸盐中的氯离子作为晶粒尺寸调节模板进入钙钛矿晶格中，氯离子及其中间产物的生成调节了结晶过程，充分发挥了晶粒均匀化作用，有效提高了载流子传输性能，大幅度提高载流子寿命。与此同时，采用三甲基溴化铵类物质作为缓冲层克服了空穴传输层难以在钙钛矿传输层均匀化沉积的缺陷，最终发挥光电性能的优势。
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