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发明公开
一种高性能δ-CsPbI3薄膜忆阻器及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN114824066A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210078682.2

申请日：2022-01-24

申请人： 华北电力大学

发明人： 许佳 , 姚建曦 , 姚程亮

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明公开了属于忆阻器技术领域的一种高性能δ‑CsPbI3薄膜忆阻器及其制备方法。所述δ‑CsPbI3薄膜忆阻器的结构从下至上依次为：FTO导电玻璃基底、底电极Ag膜、AgOx界面层、δ‑CsPbI3薄膜、顶电极Ag膜。所述δ‑CsPbI3薄膜忆阻器在自然氧化的无定形AgOx层表面沉积黄相δ‑CsPbI3薄膜，AgOx界面层有助于δ‑CsPbI3形成连续薄膜，促进薄膜内导电Ag丝的形成起关键作用。所述忆阻器具有非易失性双极性电阻开关和存储特性，具有瞬时设置/复位现象、极大的开关比、低的工作电压、极长的数据保持时间，大大提高了CsPbI3忆阻器的应用价值。