一种非铅铋基钙钛矿太阳电池光吸收层及其制备方法

    公开(公告)号:CN107123739A

    公开(公告)日:2017-09-01

    申请号:CN201710416978.X

    申请日:2017-06-06

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/48

    摘要: 本发明公开了一种气相辅助溶液法制备的非铅铋基钙钛矿太阳电池光吸收层薄膜及其制备方法。所述气相辅助溶液法制备的非铅铋基钙钛矿光吸收层表面致密、晶粒大小均匀、粒径约为200‑300nm、薄膜厚度为300nm左右。其制备方法为:首先通过溶液法将铋的卤化物溶液旋涂在衬底上,然后再利用碘化物粉末碘甲胺、碘甲醚和碘化铯中的一种或者两种的混合物产生的蒸气与涂有铋的卤化物的衬底进行反应,得到表面致密,晶粒大小均匀的非铅铋基钙钛矿光吸收层薄膜。本发明通过采用气相辅助溶液法,有效地改善非铅铋基钙钛矿光吸收层的表面形貌,使其更加有利于载流子的传输,而且薄膜制备工艺流程简单、可控性强、产品可重复率高。

    一种CsPbBr3多晶晶片的制备方法及其辐射探测应用

    公开(公告)号:CN118685860A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410752616.8

    申请日:2024-06-12

    IPC分类号: C30B29/22 C30B28/04 G01T1/36

    摘要: 本发明属于钙钛矿材料技术领域,公开了一种CsPbBr3多晶晶片的制备方法,包括以下步骤:S1、配置CsBr溶液,S2、配置PbBr2溶液,S3、制备纯相CsPbBr3粉末,S4、制备纯相CsPbBr3多晶晶片;还公开了一种CsPbBr3多晶晶片的制备方法制备得到的CsPbBr3多晶晶片在全无机钙钛矿的矿辐射探测器中的应用;本发明提升了纯相CsPbBr3粉末的产率,减小了纯相CsPbBr3多晶晶片的针孔和孔隙,提高了纯相CsPbBr3多晶晶片的质量,有效提高空穴载流子的收集效率,加快载流子漂移速度,降低全能量峰能量分辨率;适用于CsPbBr3多晶晶片的制备。

    一种高性能δ-CsPbI3薄膜忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114824066A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210078682.2

    申请日:2022-01-24

    IPC分类号: H01L45/00

    摘要: 本发明公开了属于忆阻器技术领域的一种高性能δ‑CsPbI3薄膜忆阻器及其制备方法。所述δ‑CsPbI3薄膜忆阻器的结构从下至上依次为:FTO导电玻璃基底、底电极Ag膜、AgOx界面层、δ‑CsPbI3薄膜、顶电极Ag膜。所述δ‑CsPbI3薄膜忆阻器在自然氧化的无定形AgOx层表面沉积黄相δ‑CsPbI3薄膜,AgOx界面层有助于δ‑CsPbI3形成连续薄膜,促进薄膜内导电Ag丝的形成起关键作用。所述忆阻器具有非易失性双极性电阻开关和存储特性,具有瞬时设置/复位现象、极大的开关比、低的工作电压、极长的数据保持时间,大大提高了CsPbI3忆阻器的应用价值。

    一种基于硫氰基的二维Cs2PbI2(SCN)2钙钛矿太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN114497388A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210107927.X

    申请日:2022-01-28

    IPC分类号: H01L51/46 H01L51/42 H01L51/44

    摘要: 本发明公开了属于太阳电池技术领域的一种基于硫氰基的二维Cs2PbI2(SCN)2钙钛矿太阳电池及其制备方法。所述钙钛矿太阳电池由依次布设的FTO基底、TiO2致密层、钙钛矿光吸收层、缓冲层、空穴传输层、金电极层所组成;所述钙钛矿光吸收层为甲脒盐酸盐掺杂的Cs2PbI2(SCN)2,缓冲层为三甲基溴化铵类物质。甲脒盐酸盐中的氯离子作为晶粒尺寸调节模板进入钙钛矿晶格中,氯离子及其中间产物的生成调节了结晶过程,充分发挥了晶粒均匀化作用,有效提高了载流子传输性能,大幅度提高载流子寿命。与此同时,采用三甲基溴化铵类物质作为缓冲层克服了空穴传输层难以在钙钛矿传输层均匀化沉积的缺陷,最终发挥光电性能的优势。

    一种新戊酸根掺杂的全无机钙钛矿太阳能电池及制备方法

    公开(公告)号:CN112397651A

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN202011286236.8

    申请日:2020-11-17

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/46 H01L51/48

    摘要: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种新戊酸根掺杂的全无机钙钛矿太阳能电池及制备方法。一种新戊酸根掺杂的全无机钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池由依次布设的FTO基底、TiO2致密层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层、金电极层所组成;所述钙钛矿光吸收层的材料为新戊酸根掺杂的CsPbI2.84Br0.16。本发明利用新戊酸根对I或Br进行阴离子掺杂,从而提高了CsPbI3‑xBrx的离解能,进而抑制了潮湿环境下I空位的产生。从而提高了钙钛矿电池器件的稳定性,同时提高了器件的热稳定性,有助于推动钙钛矿太阳能电池走向商业应用。

    一种基于复合空穴传输层的钙钛矿太阳电池的制备方法

    公开(公告)号:CN105826476B

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201610154508.6

    申请日:2016-03-17

    IPC分类号: H01L51/48

    摘要: 本发明公开了属于太阳电池技术领域的一种基于复合空穴传输层的钙钛矿太阳电池的制备方法。所述制备方法包括二氧化钛致密层的制备、二氧化钛骨架层的制备、钙钛矿光吸收层的制备、复合空穴传输层的制备及蒸镀对电极。所述制备方法制备的钙钛矿太阳电池具有复合空穴传输层,无机材料的加入提高了空穴传输层整体的空穴迁移率,减小了光生载流子的复合,使其具有更高的光电转化效率及短路电流,减少了钙钛矿光吸收层的表面粗糙度,进一步提高电池的短路电流,同时降低了钙钛矿太阳电池的成本,简化了生产工艺,对钙钛矿太阳电池的进一步发展起到积极的作用。

    一种具有多级孔道结构的氧化锌纳米片及其制备方法

    公开(公告)号:CN104973619B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201510342438.2

    申请日:2015-06-18

    IPC分类号: C01G9/02 B82Y30/00

    摘要: 本发明公开了一种具有多级孔道结构的氧化锌纳米片及其制备方法。所述具有多级孔道结构的氧化锌纳米片边长为0.4?1.3μm,厚度为30?70nm,表面有20?40nm的孔道。所述氧化锌纳米片的制备方法为:首先制备出氢氧化锌?有机高分子聚合物复合结构,再通过热处理去除有机成分,得到具有多级孔道结构、结晶性良好的氧化锌纳米片。本发明通过改变反应条件,实现了对氧化锌纳米颗粒和多级孔道结构的有效调控,工艺流程简单、可控性强、产品可重复率高。所述纳米片可应用于发光、吸附、催化、传感、电极材料等多种领域。

    包含金属纳米粒子的中空二氧化钛纳米纤维的制备方法

    公开(公告)号:CN104907580A

    公开(公告)日:2015-09-16

    申请号:CN201510335036.X

    申请日:2015-06-16

    IPC分类号: B22F9/24 B22F1/02

    摘要: 本发明公开了一种包含金属纳米粒子的中空二氧化钛纳米纤维的制备方法。所述制备方法通过在纳米纤维中引入具有核壳结构的微球,经空气中的退火处理除去有机物,得到一种包含金属纳米粒子的中空二氧化钛纳米纤维。该纳米纤维比普通的纤维拥有更大的比表面积和更多的活性位点,可以提高其负载和吸附能力;同时金属纳米粒子的引入可产生等离激元效应,从而拓展了其光谱响应范围;有望在光电器件、催化降解及生物等领域得以应用。

    一种制备高效钙钛矿太阳电池的方法和钙钛矿太阳电池

    公开(公告)号:CN118678840A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410725444.5

    申请日:2024-06-05

    发明人: 姚建曦 沈帆 许佳

    摘要: 本发明公开了一种制备高效钙钛矿太阳电池的方法和钙钛矿太阳电池,具体涉及诱导高质量甲脒钙钛矿(FAPbI3)粉末操纵钙钛矿结晶过程制备高性能太阳能电池的策略,包括以下步骤:在导电基底表面依次形成电子传输层、钙钛矿光吸收层、钝化层、空穴传输层和金属电极层;所述钙钛矿光吸收层前驱体溶液为通过聚合物辅助的逆温结晶法预合成FAPbI3粉末再溶解制得。与现有技术相比,通过本发明提供的制备方法合成的FAPbI3粉再溶解作为沉积薄膜的高纯前驱体,调控钙钛矿晶体生长动力学,制得低缺陷且定向生长的钙钛矿薄膜,实现器件高达26.50%的功率转换效率,同时也大大提高了器件稳定性以及可重复性。

    一种新戊酸根掺杂的全无机钙钛矿太阳能电池及制备方法

    公开(公告)号:CN112397651B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202011286236.8

    申请日:2020-11-17

    IPC分类号: H10K30/50 H10K71/12 H10K99/00

    摘要: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种新戊酸根掺杂的全无机钙钛矿太阳能电池及制备方法。一种新戊酸根掺杂的全无机钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池由依次布设的FTO基底、TiO2致密层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层、金电极层所组成;所述钙钛矿光吸收层的材料为新戊酸根掺杂的CsPbI2.84Br0.16。本发明利用新戊酸根对I或Br进行阴离子掺杂,从而提高了CsPbI3‑xBrx的离解能,进而抑制了潮湿环境下I空位的产生。从而提高了钙钛矿电池器件的稳定性,同时提高了器件的热稳定性,有助于推动钙钛矿太阳能电池走向商业应用。