公开(公告)号：CN103428908B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201310349665.9

申请日：2013-08-12

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 陈诺夫 ,  何海洋 ,  辛雅焜 ,  吴强 ,  弭辙 ,  白一鸣 ,  高征

IPC: H05B3/12 ,  C23C16/24 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明公开了加热材料制备技术领域的一种硅壳钨芯加热丝及其制备方法。所述加热丝为在钨丝外表面包裹有高纯硅。本发明的制备方法为将钨丝绕制成所需要的形状放入化学气相沉积反应炉中，通过化学气相沉积反应在钨丝表面沉积高纯硅。本发明的加热丝可广泛应用于各类需要加热的真空设备之中，能够长期、稳定、有效地为系统提供热源。

公开(公告)号：CN104362976A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410546505.8

申请日：2014-10-15

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 陈诺夫 ,  刘虎 ,  弭辙 ,  付蕊 ,  白一鸣 ,  何海洋 ,  辛雅焜 ,  牟潇野 ,  吴强 ,  杨博 ,  高征 ,  刘海

IPC: H02S50/10

CPC classification number: H02S50/00

Abstract: 本发明公开了属于太阳能光伏发电系统故障检测领域的一种利用遮蔽法检测光伏发电系统故障点的方法。通过在日光照射条件下用遮光板对光伏发电系统组串中的光伏电池板实施外部遮蔽，测得不同遮挡下该串联支路的总电压的测量数列，进而对测量数列进行坏值判断，被标定为“坏值”的测量所对应的被遮挡光伏电池板即为故障电池板。本发明的优势在于检测方法无需对现有光伏发电系统进行改造，不增加光伏发电系统的硬件配置，检测过程不需要对系统线路进行拆解，是一种简单有效的太阳能光伏系统故障点检测方法。

公开(公告)号：CN104157730A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410352977.X

申请日：2014-07-23

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 陈诺夫 ,  牟潇野 ,  杨博 ,  辛雅焜 ,  吴强 ,  弭辙 ,  付蕊 ,  刘虎 ,  仲琳 ,  白一鸣 ,  高征 ,  刘海

IPC: H01L31/18 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L21/02381 ,  C30B25/02 ,  C30B29/08 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明提供一种单晶硅衬底锗外延薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：(1)以单晶硅片为衬底；(2)在单晶硅片衬底抛光面上利用磁控溅射方法沉积一层石墨过渡层，石墨过渡层厚度为20-100nm；(3)在石墨过渡层上利用化学气相沉积的方法制备锗薄膜，厚度为20-100μm。本发明的方法将石墨作为硅和锗之间的过渡层，不仅可以消除硅和锗之间的晶格失配，还可以减小由于热膨胀系数不匹配造成的锗薄膜质量的下降，降低锗薄膜的缺陷密度。本发明的方法利用磁控溅射方法、化学气相沉积法制备出锗薄膜，用于后续多节叠层电池的制作，大幅度的降低多节太阳能电池的生产成本，提高太阳能电池的效率。