公开(公告)号：CN118678840A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410725444.5

申请日：2024-06-05

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 姚建曦 ,  沈帆 ,  许佳

IPC: H10K71/12 ,  H10K85/50 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  C07C257/12

Abstract: 本发明公开了一种制备高效钙钛矿太阳电池的方法和钙钛矿太阳电池，具体涉及诱导高质量甲脒钙钛矿(FAPbI3)粉末操纵钙钛矿结晶过程制备高性能太阳能电池的策略，包括以下步骤：在导电基底表面依次形成电子传输层、钙钛矿光吸收层、钝化层、空穴传输层和金属电极层；所述钙钛矿光吸收层前驱体溶液为通过聚合物辅助的逆温结晶法预合成FAPbI3粉末再溶解制得。与现有技术相比，通过本发明提供的制备方法合成的FAPbI3粉再溶解作为沉积薄膜的高纯前驱体，调控钙钛矿晶体生长动力学，制得低缺陷且定向生长的钙钛矿薄膜，实现器件高达26.50％的功率转换效率，同时也大大提高了器件稳定性以及可重复性。

公开(公告)号：CN112397651B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202011286236.8

申请日：2020-11-17

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 姚建曦 ,  付尧 ,  赵航 ,  李珍珍 ,  刘小龙 ,  许佳

IPC: H10K30/50 ,  H10K71/12 ,  H10K99/00

Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种新戊酸根掺杂的全无机钙钛矿太阳能电池及制备方法。一种新戊酸根掺杂的全无机钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池由依次布设的FTO基底、TiO2致密层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层、金电极层所组成；所述钙钛矿光吸收层的材料为新戊酸根掺杂的CsPbI2.84Br0.16。本发明利用新戊酸根对I或Br进行阴离子掺杂，从而提高了CsPbI3‑xBrx的离解能，进而抑制了潮湿环境下I空位的产生。从而提高了钙钛矿电池器件的稳定性，同时提高了器件的热稳定性，有助于推动钙钛矿太阳能电池走向商业应用。

公开(公告)号：CN105576131A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201610144180.X

申请日：2016-03-14

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 姚建曦 ,  许佳 ,  周正 ,  银坚 ,  戴松元 ,  张兵 ,  胡林华 ,  孔凡太

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/422 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0046

Abstract: 本发明公开了属于太阳电池技术领域的一种气相辅助溶液法制备界面修饰的钙钛矿太阳电池的方法。将电子传输材料旋涂到干净的FTO衬底上，经热处理后获得阻挡层，然后在阻挡层旋涂C60的有机溶液，经热处理后获得界面修饰层，在界面修饰层上采用气相辅助溶液法制备钙钛矿光吸收层，最后在钙钛矿光吸收层上旋涂空穴传输层后，真空蒸镀对电极，获得钙钛矿太阳电池。该方法采用气相辅助溶液法制备钙钛矿光吸收层，同时修饰阻挡层和钙钛矿光吸收层之间的界面，减小了钙钛矿太阳电池的迟滞效应，提高了钙钛矿太阳电池的光电转换效率和电学性能。

公开(公告)号：CN118591198A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410725673.7

申请日：2024-06-05

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 姚建曦 ,  邹朋辰 ,  许佳

IPC: H10K30/85 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K85/50 ,  H10K71/12 ,  H10K71/00 ,  H10K71/30

Abstract: 本发明公开了一种柔性钙钛矿太阳电池及其制备方法，涉及太阳电池技术领域。该结构包括柔性透明导电基底、电子传输层、钙钛矿光吸收层、钝化层、空穴传输层和金属电极。采用乙脒盐酸盐添加剂对氧化锡电子传输层的表面以及钙钛矿薄膜内部进行改性处理，该添加剂的引入可大幅降低界面非辐射复合损耗、降低钙钛矿薄膜表面或内部的缺陷密度、抑制光吸收层与空穴传输层界面的离子迁移和性能衰退，增强了钙钛矿薄膜的内建电场，有效提升了载流子传输性能，同时还可以起到隔离水汽、氧气的作用，抑制钙钛矿的分解，最终提升了器件的光电转换效率和长期稳定性，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN114551731A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210147694.6

申请日：2022-02-17

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 姚建曦 ,  许佳 ,  李吉红 ,  李必萃

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明提出一种溶剂蒸发诱导控制BiI3薄膜取向制备高效MA3Bi2I9钙钛矿太阳电池方法，首先，通过将BiI3的DMF前体溶液旋涂到已沉积了TiO2的氟掺杂氧化锡(FTO)基底上以制备BiI3薄膜，随后，将制备的BiI3湿膜置于手套箱室温密闭容器中。由于容器中的密封条件，从湿膜中蒸发出来的DMF会产生DMF氛围从而大大降低其蒸发速率。通过减缓DMF蒸发成功制备具有(113)和(300)择优取向；同时(003)晶面弱化的BiI3薄膜。随后，所制备的BiI3薄膜与MAI反应形成MBI薄膜。由于BiI3(003)晶面的生长受到限制，MBI的(006)晶面也得以有效地受到限制，与(006)择优取向的MBI薄膜制备的器件相比，这更有利于载流子传输。

公开(公告)号：CN104973619A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510342438.2

申请日：2015-06-18

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 姚建曦 ,  陈蕾 ,  许佳 ,  戴松元

IPC: C01G9/02 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种具有多级孔道结构的氧化锌纳米片及其制备方法。所述具有多级孔道结构的氧化锌纳米片边长为0.4-1.3μm，厚度为30-70nm，表面有20-40nm的孔道。所述氧化锌纳米片的制备方法为：首先制备出氢氧化锌-有机高分子聚合物复合结构，再通过热处理去除有机成分，得到具有多级孔道结构、结晶性良好的氧化锌纳米片。本发明通过改变反应条件，实现了对氧化锌纳米颗粒和多级孔道结构的有效调控，工艺流程简单、可控性强、产品可重复率高。所述纳米片可应用于发光、吸附、催化、传感、电极材料等多种领域。