一种新戊酸根掺杂的全无机钙钛矿太阳能电池及制备方法

    公开(公告)号:CN112397651A

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN202011286236.8

    申请日:2020-11-17

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/46 H01L51/48

    摘要: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种新戊酸根掺杂的全无机钙钛矿太阳能电池及制备方法。一种新戊酸根掺杂的全无机钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池由依次布设的FTO基底、TiO2致密层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层、金电极层所组成;所述钙钛矿光吸收层的材料为新戊酸根掺杂的CsPbI2.84Br0.16。本发明利用新戊酸根对I或Br进行阴离子掺杂,从而提高了CsPbI3‑xBrx的离解能,进而抑制了潮湿环境下I空位的产生。从而提高了钙钛矿电池器件的稳定性,同时提高了器件的热稳定性,有助于推动钙钛矿太阳能电池走向商业应用。

    一种新戊酸根掺杂的全无机钙钛矿太阳能电池及制备方法

    公开(公告)号:CN112397651B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202011286236.8

    申请日:2020-11-17

    IPC分类号: H10K30/50 H10K71/12 H10K99/00

    摘要: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种新戊酸根掺杂的全无机钙钛矿太阳能电池及制备方法。一种新戊酸根掺杂的全无机钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池由依次布设的FTO基底、TiO2致密层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层、金电极层所组成;所述钙钛矿光吸收层的材料为新戊酸根掺杂的CsPbI2.84Br0.16。本发明利用新戊酸根对I或Br进行阴离子掺杂,从而提高了CsPbI3‑xBrx的离解能,进而抑制了潮湿环境下I空位的产生。从而提高了钙钛矿电池器件的稳定性,同时提高了器件的热稳定性,有助于推动钙钛矿太阳能电池走向商业应用。

    一种类钙钛矿气敏传感材料及气敏传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN112179957A

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN202011261129.X

    申请日:2020-11-12

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本发明公开了属于气敏传感器技术领域的一种类钙钛矿气敏传感材料及气敏传感器的制备方法。所述气敏传感材料为Cs2PbI2(SCN)2;气敏传感材料的工作温度为20‑30℃;气敏传感材料适用于氨气NH3、丙酮CH3COCH3、甲苯C7H8、甲醇CH3OH或乙醇C2H5OH。本发明制备出的类钙钛矿气敏传感材料以及气敏传感器能在室温下工作并且灵敏度较高,重复性较好。

    一种双功能层涂覆光子晶体光纤的折射率传感器

    公开(公告)号:CN114739952A

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202210210014.0

    申请日:2022-03-03

    IPC分类号: G01N21/41 G02B6/02

    摘要: 本发明涉及光子晶体光纤领域,尤其涉及一种双功能层涂覆光子晶体光纤的折射率传感器。该双功能层涂覆光子晶体光纤的折射率传感器包括光子晶体光纤,所述光子晶体光纤包括纤芯和设置在所述纤芯外围的周期性气孔,所述光子晶体光纤为三角晶格光子晶体光纤或D形光子晶体光纤,金和CsPbBr3量子点作为双功能层依次覆于所述光子晶体光纤至少一个环绕纤芯的中心气孔的侧壁,或所述金和CsPbBr3量子点依次覆于所述光子晶体光纤的轴向侧抛面。本发明设计的CsPbBr3量子点/金双层涂覆光子晶体光纤折射率传感器能够更好地对填充至气孔中的液相分析物的折射率进行测定。