一种微纳3D打印方法及打印设备

    公开(公告)号:CN112301329A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202010852519.8

    申请日:2020-08-21

    Abstract: 本发明实施例公开了一种微纳3D打印方法及打印设备,涉及新能源技术领域,能够实现ALD的原子级制造精度的同时,又能缓减ALD中的缺陷。本发明包括:将基底37放入腔体3内,启动真空泵35对腔体3抽真空;将等离子气体气源通入等离子体枪4,等离子气体在等离子体枪4内发生电离后,产生活性官能团自由基,对基底37表面进行活性官能团的接枝;激光头1按照打印图样照射扫描基底37的表面加热;通入第一前驱体源,激光头1照射步骤S3中形成的活性官能团图样,形成的第一前驱体源图样;通入第二前驱体源,激光头1照射步骤S4中形成的第一前驱体源图样,形成分子层的图样;激光头1照射步骤S5中形成的分子层图样去除杂质。本发明适用于微纳3D打印。

    一种用于硒化物量子点的绿色制造方法及设备

    公开(公告)号:CN111978962A

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN202010851763.2

    申请日:2020-08-21

    Abstract: 本发明实施例公开了一种用于硒化物量子点的绿色制造方法及设备,涉及新能源技术领域,能够克服在传统湿法制造工艺中的缺陷,以便于推进量子点产业化和大规模应用。本发明包括:将样品(2)放入石英腔体(26)内,启动真空泵(24)对石英腔体(26)抽真空,向石英腔体(26)输入-SeH有机物气体作为-SeH等离子气体源,启动激光加工头(1)扫描样品(2)的表面,向石英腔体(26)输入驱体气体,并启动激光加工头(1)扫描样品(2)的表面进行加热,向石英腔体(26)输入Se源前驱体,启动激光加工头(1)加热样品(2)的表面,使表面吸附的源前驱体与输入的Se源前驱体发生化学反应,生成量子点阵列。本发明适用于硒化物量子点制造。

    一种用于制造二硫化钼量子点阵列的设备与工艺方法

    公开(公告)号:CN111943270B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202010851755.8

    申请日:2020-08-21

    Abstract: 本发明实施例公开了一种用于制造二硫化钼量子点阵列的设备与工艺方法,涉及新能源技术领域,便于推进MoS2量子点产业化和大规模应用。本发明的方法包括:加工腔体系统、源路系统、等离子体系统、激光系统、尾气处理系统和真空系统(19),所述激光系统安装在所述加工腔体系统上方,所述等离子体系统布置在所述加工腔体系统的外表面,所述源路系统的管路连接所述加工腔体系统,所述真空系统(19)的一端连接所述加工腔体系统,所述真空系统(19)的另一端连接所述尾气处理系统。本发明适用于MoS2量子点的制造。

    一种快速定位系统
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114160812A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202111312570.0

    申请日:2021-11-08

    Abstract: 本发明提供一种快速定位系统,包括水平旋转台与俯仰结构,水平旋转台包括固定底座与旋转部,固定底座与旋转部均成圆盘状且上下凹凸扣合连接;俯仰结构包括蜗轮、蜗轮轴、蜗杆、两个蜗杆支架与两个俯仰支架,蜗轮套设于蜗轮轴,并由两个俯仰支架固定,蜗杆两端由两个蜗杆支架固定并以轴承方式连接,蜗轮与蜗杆啮合并置于蜗杆之上;俯仰结构的两个蜗杆支架与两个俯仰支架固定于水平旋转台的旋转部,工件由夹具平台夹紧固定,夹具平台与俯仰结构通过磁性部磁吸固定,可实现工件快速固定,再通过水平旋转台的水平位置调节与俯仰结构的非水平位置调节,实现互不干涉的自由角度调节,并可进行微调。

    一种用于制造二硫化钼量子点阵列的设备与工艺方法

    公开(公告)号:CN111943270A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN202010851755.8

    申请日:2020-08-21

    Abstract: 本发明实施例公开了一种用于制造二硫化钼量子点阵列的设备与工艺方法,涉及新能源技术领域,便于推进MoS2量子点产业化和大规模应用。本发明的方法包括:加工腔体系统、源路系统、等离子体系统、激光系统、尾气处理系统和真空系统(19),所述激光系统安装在所述加工腔体系统上方,所述等离子体系统布置在所述加工腔体系统的外表面,所述源路系统的管路连接所述加工腔体系统,所述真空系统(19)的一端连接所述加工腔体系统,所述真空系统(19)的另一端连接所述尾气处理系统。本发明适用于MoS2量子点的制造。

    一种零件表面缺损区域模块化增减材复合修复方法

    公开(公告)号:CN110640146A

    公开(公告)日:2020-01-03

    申请号:CN201911031219.7

    申请日:2019-10-28

    Abstract: 一种零件表面缺损模块化增减材复合修复方法,涉及机械加工的技术领域。其主要过程包括对零件表面缺损区域进行三维扫描,获取待修复区域的点云数据;根据点云数据计算缺损区域的特征参数;根据特征参数选取相应的几何模块;对缺损区域进行模块化铣削去除加工,获得规则待修复区域;对待修复区域进行模块化激光熔敷修复;对激光修复表面进行精密铣削加工,完成修复。本发明通过增减材复合方式,将复杂不规则的缺损形貌修整为规则几何体,在此基础上对模块化的待修复几何体进行激光熔敷修复,路径规划方便快捷,从而整体提高修复效率。此外,对激光熔敷区域的精密铣削加工可以保持修复表面形状轮廓的修复精度,同时也提高修复表面的使用性能。

    在大比表面积基底上制备原子层沉积二硫化铌薄膜的方法及装置

    公开(公告)号:CN116145104B

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202310006236.5

    申请日:2023-01-04

    Abstract: 本发明实施例公开了一种在大比表面积基底上制备原子层沉积二硫化铌薄膜的方法及装置,涉及原子层沉积技术领域,能够降低合成生长所需的温度,可以在大比表面积基底上,沉积生长高质量的二硫化铌薄膜,具有工艺简单、稳定,质量均匀等优点,适合用来规模化制备生产二硫化铌薄膜。本发明包括:源路Ⅰ、源路Ⅱ、反应腔体装置、真空泵(7),源路Ⅰ用于向反应腔体装置输送Nb源;源路Ⅱ用于向反应腔体装置输送S源;反应腔体装置的气动阀V3、气动阀V4组成,与源路Ⅰ和源路Ⅱ中的气动阀V11、气动阀V22联动控制,铌源和硫源送入反应腔体后,气动阀V3、气动阀V4及时关闭,使铌源和硫源能够在腔体内充分进行反应。

    用于原子层沉积金属硫化物的反应残余物循环再利用方法及装置

    公开(公告)号:CN116145107A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202310001770.7

    申请日:2023-01-03

    Abstract: 本发明实施例公开了一种用于原子层沉积金属硫化物的反应残余物循环再利用方法及装置,涉及微纳米制造技术领域,解决了原子层沉积金属硫化物过程中,有害反应残余物的循环再利用问题。本发明包括气动阀V3、冷凝吸收装置、溶解吸收装置Ⅰ、干燥装置Ⅰ、真空泵、气动阀V5、储气装置Ⅰ、气动阀V7、减压阀V11依次连接,组成处理线路Ⅰ,用于回收处理原子层沉积金属硫化物的金属源反应残余物;气动阀V4、溶解吸收装置Ⅱ、干燥装置Ⅱ、真空泵、气动阀V6、储气装置Ⅱ、气动阀V8、减压阀V22依次连接,组成处理线路Ⅱ,用于回收处理原子层沉积金属硫化物的硫化氢源反应残余物。

    一种同腔制造氧化锌、氧化钛或氧化镍量子点的方法及设备

    公开(公告)号:CN111826636B

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202010851739.9

    申请日:2020-08-21

    Abstract: 本发明实施例公开了一种同腔制造氧化锌、氧化钛和氧化镍量子点的方法及设备,涉及新能源技术领域,便于量子点的产业化和大规模应用。本发明包括:将样品基底放入反应腔体内,启动真空系统对反应腔体抽真空;向反应腔体输入‑OH有机物气体作为‑OH等离子气体源;启动激光加工头扫描样品基底的表面;启动激光加工头再次对样品基底的表面进行扫描;向反应腔体输入驱体气体,并启动激光加工头扫描样品基底的表面进行加热;向反应腔体输入O源前驱体,启动激光加工头加热样品基底的表面,使表面吸附的源前驱体与输入的O源前驱体发生化学反应,生成量子点阵列。本发明适用于制造氧化锌、氧化钛和氧化镍量子点。

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