公开(公告)号：CN116145104A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310006236.5

申请日：2023-01-04

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 黄亚洲 ,  谷蓝翔 ,  邵银峰 ,  周雨轲 ,  沈家伟 ,  陈玉蒙

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明实施例公开了一种在大比表面积基底上制备原子层沉积二硫化铌薄膜的方法及装置，涉及原子层沉积技术领域，能够降低合成生长所需的温度，可以在大比表面积基底上，沉积生长高质量的二硫化铌薄膜，具有工艺简单、稳定，质量均匀等优点，适合用来规模化制备生产二硫化铌薄膜。本发明包括：源路Ⅰ、源路Ⅱ、反应腔体装置、真空泵(7)，源路Ⅰ用于向反应腔体装置输送Nb源；源路Ⅱ用于向反应腔体装置输送S源；反应腔体装置的气动阀V3、气动阀V4组成，与源路Ⅰ和源路Ⅱ中的气动阀V11、气动阀V22联动控制，铌源和硫源送入反应腔体后，气动阀V3、气动阀V4及时关闭，使铌源和硫源能够在腔体内充分进行反应。

公开(公告)号：CN116145104B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202310006236.5

申请日：2023-01-04

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 黄亚洲 ,  谷蓝翔 ,  邵银峰 ,  周雨轲 ,  沈家伟 ,  陈玉蒙

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明实施例公开了一种在大比表面积基底上制备原子层沉积二硫化铌薄膜的方法及装置，涉及原子层沉积技术领域，能够降低合成生长所需的温度，可以在大比表面积基底上，沉积生长高质量的二硫化铌薄膜，具有工艺简单、稳定，质量均匀等优点，适合用来规模化制备生产二硫化铌薄膜。本发明包括：源路Ⅰ、源路Ⅱ、反应腔体装置、真空泵(7)，源路Ⅰ用于向反应腔体装置输送Nb源；源路Ⅱ用于向反应腔体装置输送S源；反应腔体装置的气动阀V3、气动阀V4组成，与源路Ⅰ和源路Ⅱ中的气动阀V11、气动阀V22联动控制，铌源和硫源送入反应腔体后，气动阀V3、气动阀V4及时关闭，使铌源和硫源能够在腔体内充分进行反应。

公开(公告)号：CN116145107A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310001770.7

申请日：2023-01-03

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 谷蓝翔 ,  黄亚洲 ,  邵银峰 ,  沈家伟 ,  陈玉蒙

IPC: C23C16/455 ,  C01B17/06 ,  C23C16/52 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明实施例公开了一种用于原子层沉积金属硫化物的反应残余物循环再利用方法及装置，涉及微纳米制造技术领域，解决了原子层沉积金属硫化物过程中，有害反应残余物的循环再利用问题。本发明包括气动阀V3、冷凝吸收装置、溶解吸收装置Ⅰ、干燥装置Ⅰ、真空泵、气动阀V5、储气装置Ⅰ、气动阀V7、减压阀V11依次连接，组成处理线路Ⅰ，用于回收处理原子层沉积金属硫化物的金属源反应残余物；气动阀V4、溶解吸收装置Ⅱ、干燥装置Ⅱ、真空泵、气动阀V6、储气装置Ⅱ、气动阀V8、减压阀V22依次连接，组成处理线路Ⅱ，用于回收处理原子层沉积金属硫化物的硫化氢源反应残余物。