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公开(公告)号：CN109449014A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811222124.9
申请日：2018-10-19
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明涉及高功率脉冲应用领域，具体涉及一种耐烧蚀平面三电极高压开关及其制备方法。高压开关包括：基片；三电极层：设置在基片之上，包括阳极、阴极和触发极，阳极和阴极为左右对称半圆形结构，阳极和阴极间设置有主电极间隙，触发电极设置在阳极和阴极之间，且距离阴极更近；耐烧蚀层：设置在三电极层之上，分为三部分，分别与三电极层的阳极、阴极和触发极的形状相匹配，在阳极、阴极和触发极的后端部预留焊盘区，覆盖阳极、阴极和触发极的前端。本申请通过在三电极层的表面沉积耐烧蚀层，使平面三电极高压开关可以多次重复性使用，提高了使用寿命。本申请采用微机电系统工艺制备高压开关，提高了产品的一致性，可以实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN109297364A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811221498.9
申请日：2018-10-19
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明涉及微型低能量点火和起爆技术领域，具体涉及一种含Al/PTFE的微芯片爆炸箔起爆器及其制备方法。起爆器包括：基片，置于基片之上的Al/PTFE双层复合含能薄膜层，包括Al金属层和PTFE层，其中Al金属层设置在基片之上，包括焊盘、过渡区和Al桥箔；PTFE层设置在Al金属层之上；设置在Al/PTFE双层复合含能薄膜层之上的聚合物飞片层；加速膛以及置于加速膛正上方的药剂。本发明Al与PTFE间的化学燃烧反应，产生大量蒸汽和等离子体，增强了桥箔剪切及驱动飞片的能力，最终将降低微芯片爆炸箔起爆器的发火能量。本发明采用微机电系统工艺制备微芯片爆炸箔起爆器，可实现批量化生产，降低了制备成本，并且所得起爆器的集成度高、体积小。
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公开(公告)号：CN113224645B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110394775.1
申请日：2021-04-13
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明公开一种基于PCB工艺的密封并联平面触发火花隙开关及其制造方法。包括底层基片，中间层基片，顶层基片，PP片和焊盘；底层基片上表面和顶层基片的下表面上均设有三电极线路，中间层基片设有上下贯通的矩形腔室，PP片上设有与矩形腔室相对应的矩形缺口；中间层基片设置在底层基片和顶层基片之间，基片之间通过PP片压合；压合后中间层基片的矩形腔室，底层基片的上表面和顶层基片的下表面形成密封腔室；顶层基片上设有焊盘，压合之后的底层基片，中间层基片和顶层基片上设有贯穿的过孔。本发明并联PCB‑PTS导通气体氛围固定，使得开关在恶劣环境下具有和常规环境相似的性能，并联的设计提升了开关的作用可靠性，拓宽触发火花隙开关的应用范围。
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公开(公告)号：CN109341430B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201811221516.3
申请日：2018-10-19
申请人： 南京理工大学
IPC分类号： F42B3/12
摘要： 本发明涉及电脉冲驱动及点火与起爆领域，具体涉及一种平面三电极驱动器及其制备方法。驱动器包括：基片；三电极层：设置在基片之上，包括阳极、阴极和触发极，阳极和阴极为左右对称半圆形结构，阳极和阴极间设置有主电极间隙，触发电极设置在阳极和阴极之间，且距离阴极更近；聚合物飞片层：聚合物飞片层置于三电极层之上，且在阳极、阴极和触发极的端部预留焊盘区；加速膛：置于聚合物飞片层上方，加速膛为中空圆柱形，加速膛的膛孔直径根据三电极尺寸设计，需将三电极发生电爆炸的地方完全覆盖。本申请通过直接将平面三电极开关作为驱动器，简化了驱动系统的结构。本申请采用微机电系统工艺制备平面三电极驱动器，可以实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN109405657A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811221520.X
申请日：2018-10-19
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明涉及微型低能量点火和起爆技术领域，涉及一种等离子体增强型的微芯片爆炸箔起爆器及制备方法。起爆器包括：基片，金属/低熔点聚合物薄膜层，包括金属层和低熔点聚合物层，金属层设置在基片之上，包括焊盘、过渡区和桥箔；低熔点聚合物层设置在金属层之上，设置在金属/低熔点聚合物薄膜层之上的抗拉聚合物飞片层，加速膛以及药剂。本发明通过使用金属/聚合物层，使得聚合物在桥箔电爆炸的基础上，能被激发产生大量的蒸汽和等离子体，增强了桥箔剪切及驱动飞片的能力，降低McEFI的发火能量。本发明采用微机电系统工艺制备微芯片爆炸箔起爆器，可实现批量化生产，降低了制备成本，并且所得起爆器的集成度高、体积小。
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公开(公告)号：CN109341430A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811221516.3
申请日：2018-10-19
申请人： 南京理工大学
IPC分类号： F42B3/12
摘要： 本发明涉及电脉冲驱动及点火与起爆领域，具体涉及一种平面三电极驱动器及其制备方法。驱动器包括：基片；三电极层：设置在基片之上，包括阳极、阴极和触发极，阳极和阴极为左右对称半圆形结构，阳极和阴极间设置有主电极间隙，触发电极设置在阳极和阴极之间，且距离阴极更近；聚合物飞片层：聚合物飞片层置于三电极层之上，且在阳极、阴极和触发极的端部预留焊盘区；加速膛：置于聚合物飞片层上方，加速膛为中空圆柱形，加速膛的膛孔直径根据三电极尺寸设计，需将三电极发生电爆炸的地方完全覆盖。本申请通过直接将平面三电极开关作为驱动器，简化了驱动系统的结构。本申请采用微机电系统工艺制备平面三电极驱动器，可以实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN100585775C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710019814.X
申请日：2007-01-30
申请人： 南京理工大学
IPC分类号： H01J9/42 , H01J9/02 , H01J1/34 , H01L21/66 , H01L21/324
摘要： 本发明公开了一种GaAs光电阴极退火后表面清洁程度的判断方法。该方法在对GaAs阴极进行激活以前，需要对阴极材料的退火效果进行判断，即对由计算机采集到的高温退火处理和低温退火处理过程中超高真空系统中真空度的变化曲线进行微分处理，该微分处理首先是对离散信号进行差值处理，使离散信号变为均匀采样间隔的离散信号，然后对其进行滤波处理，去掉信号中的干扰，再利用泰勒展开式求出系统真空度变化曲线的微分，最后把微分后的真空度曲线与微分前的真空度曲线进行比较和分析，由比较和分析的结果判断出退火处理的效果。本发明能明显降低对退火后GaAs阴极表面清洁程度的判断成本，可靠性高，对阴极表面无影响，不会对退火后的激活过程副作用。
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公开(公告)号：CN101236873A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710019814.X
申请日：2007-01-30
申请人： 南京理工大学
IPC分类号： H01J9/42 , H01J9/02 , H01J1/34 , H01L21/66 , H01L21/324
摘要： 本发明公开了一种GaAs光电阴极退火后表面清洁程度的判断方法。该方法在对GaAs阴极进行激活以前，需要对阴极材料的退火效果进行判断，即对由计算机采集到的高温退火处理和低温退火处理过程中超高真空系统中真空度的变化曲线进行微分处理，该微分处理首先是对离散信号进行差值处理，使离散信号变为均匀采样间隔的离散信号，然后对其进行滤波处理，去掉信号中的干扰，再利用泰勒展开式求出系统真空度变化曲线的微分，最后把微分后的真空度曲线与微分前的真空度曲线进行比较和分析，由比较和分析的结果判断出退火处理的效果。本发明能明显降低对退火后GaAs阴极表面清洁程度的判断成本，可靠性高，对阴极表面无影响，不会对退火后的激活过程副作用。
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公开(公告)号：CN113224645A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110394775.1
申请日：2021-04-13
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明公开一种基于PCB工艺的密封并联平面触发火花隙开关及其制造方法。包括底层基片，中间层基片，顶层基片，PP片和焊盘；底层基片上表面和顶层基片的下表面上均设有三电极线路，中间层基片设有上下贯通的矩形腔室，PP片上设有与矩形腔室相对应的矩形缺口；中间层基片设置在底层基片和顶层基片之间，基片之间通过PP片压合；压合后中间层基片的矩形腔室，底层基片的上表面和顶层基片的下表面形成密封腔室；顶层基片上设有焊盘，压合之后的底层基片，中间层基片和顶层基片上设有贯穿的过孔。本发明并联PCB‑PTS导通气体氛围固定，使得开关在恶劣环境下具有和常规环境相似的性能，并联的设计提升了开关的作用可靠性，拓宽触发火花隙开关的应用范围。
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