公开(公告)号：CN106537201B

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201580040429.6

申请日：2015-10-05

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 清田和明 ,  木本龙也 ,  斋藤裕介

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02F1/017 ,  H01S5/026

Abstract: 一种半导体光集成元件，在基板上至少依次层叠了下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层，该半导体光集成元件具备：掩埋型波导部，具有在所述波导芯层的两侧附近埋入了半导体包覆材料的结构；以及台面型波导部，具有至少包含所述上部包覆层的半导体层突出成台面状的波导结构，所述掩埋型波导部中的所述上部包覆层的厚度比所述台面型波导部中的所述上部包覆层的厚度厚。

公开(公告)号：CN110088995A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780078544.1

申请日：2017-12-19

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 斋藤裕介 ,  黑部立郎 ,  木本龙也 ,  神谷慎一

IPC: H01S5/026 ,  G02B6/122

Abstract: 光集成元件具备：在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、以及上部包覆层而成的无源波导区域、在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、通过注入电流而放大光的量子阱层、以及上部包覆层而成的活性区域，第1芯层与量子阱层之间在对第1芯层进行波导的光的模场的范围内相接近，无源波导区域的至少一部分以及活性区域具有上部包覆层突出为台面状的第1台面构造，无源波导区域包含除了第1台面构造还具有第1芯层、下部包覆层以及第2芯层突出为台面状的第2台面构造的第2光点尺寸变换区域，第2台面构造的宽度比第1台面构造的宽度宽，并且具有第2台面构造的无源波导区域中，第1台面构造的宽度连续地变化。

公开(公告)号：CN106537201A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580040429.6

申请日：2015-10-05

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 清田和明 ,  木本龙也 ,  斋藤裕介

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02F1/017 ,  H01S5/026

Abstract: 一种半导体光集成元件，在基板上至少依次层叠了下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层，该半导体光集成元件具备：掩埋型波导部，具有在所述波导芯层的两侧附近埋入了半导体包覆材料的结构；以及台面型波导部，具有至少包含所述上部包覆层的半导体层突出成台面状的波导结构，所述掩埋型波导部中的所述上部包覆层的厚度比所述台面型波导部中的所述上部包覆层的厚度厚。

公开(公告)号：CN102474069B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201080033676.0

申请日：2010-07-05

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 木本龙也 ,  向原智一

IPC: H01S5/026 ,  G02B6/122 ,  H01S5/22

CPC classification number: G02B6/12004 ,  G02B6/29344 ,  G02B6/4215 ,  G02B6/4245 ,  G02B2006/12121 ,  G02B2006/12147 ,  G02B2006/12195 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/026 ,  H01S5/4068 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明提供一种集成型半导体激光元件、半导体激光组件及光传输系统。集成型半导体激光元件集成了能够使来自以互不相同的振荡波长进行单一模式振荡的多个半导体激光器的输出光耦合的光耦合器、和将来自光耦合器的输出光进行放大的半导体光放大器，多个半导体激光器的各活性层的至少一个和半导体光放大器的活性层具有同一厚度和同一组成，半导体光放大器具有形成在光耦合器侧且用于以单一模式将输出光进行导波的等宽部、和形成在光输出侧且宽度比等宽部宽的展宽部，为使规定动作状态下的增益峰值的波长与半导体激光器的增益峰值的波长一致，以根据活性层的各阱层的厚度的合计将阱层的总体积增大至能带填充效应被抑制的程度的方式设定展宽部的宽度。

公开(公告)号：CN204258035U

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201390000514.6

申请日：2013-05-31

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 黑部立郎 ,  木本龙也 ,  长谷川英明

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/022 ,  H01S5/50

CPC classification number: H01S5/024 ,  H01S3/1317 ,  H01S3/137 ,  H01S5/0085 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02407 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/06837 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/227 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/50

Abstract: 本实用新型提供一种半导体激光器模块，具备:半导体激光器元件，其具有半导体激光器；第1支承部件，其载置所述半导体激光器元件；第1温度调节元件，其对所述第1支承部件进行温度调整；半导体光元件，其具有对从所述半导体激光器元件输出的激光光进行放大的半导体光放大器；和第2支承部件，其载置所述半导体光元件。半导体激光器模块优选具备:光隔离器，其被配置在所述半导体激光器元件与所述半导体光元件之间。