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公开(公告)号：CN102362400A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080013441.5
申请日：2010-03-17
申请人： 古河电气工业株式会社
CPC分类号： G02B6/2808 , G02B6/4206 , G02B6/4215 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/0683 , H01S5/4012 , H01S5/4025 , H01S5/4062 , H01S5/4087
摘要： 本发明公开一种半导体激光模块，包含集成了至少一个半导体激光器和弯曲波导的半导体器件、束分离器、多个检测器，从所述半导体激光器射出的激光经由所述弯曲波导传播，经由所述弯曲波导射出的所述激光入射向所述束分离器，入射到所述束分离器的激光的一部分由所述束分离器分路，由配置于该光束断面内的不同的位置的所述多个检测器检测所述分路的所述激光的一部分，其中，在光路上设有用于使所述半导体激光器的输出和所述多个检测器的检测值的相关关系接近线性的波形整形装置。由此，可以进行精度高且稳定的波长锁定控制。
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公开(公告)号：CN116057465A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180054013.5
申请日：2021-09-09
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： G02F1/35
摘要： 提供同时抑制RIN和波动的光源、光源装置、光源的驱动方法和利用其的拉曼放大器以及拉曼放大系统。光源具备：种子光源，其输入具有给定的带的非相干的种子光；和辅助放大器，其是对从第1端面输入的所述种子光进行光放大并作为放大光从第2端面输出的半导体光放大器，所述辅助放大器对所述第1端面以及所述第2端面进行反射减少处理，并且在增益饱和状态下动作，在所述放大光下同时抑制相对强度噪声(RIN)以及波动。
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公开(公告)号：CN108885305A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780019420.6
申请日：2017-02-03
申请人： 古河电气工业株式会社
摘要： 本发明提供一种能够在将基模的损失抑制得小的同时充分减少或除去高阶模、并且能够便宜且容易地制造的光元件及其制造方法、以及光调制器。该光元件具有：基板；以及第一光波导、第二光波导及第三光波导，形成于所述基板上，分别具有下部包层、芯层及上部包层，所述芯层与所述下部包层及所述上部包层相比折射率大，所述第一光波导与所述第二光波导光学连接，所述第二光波导与所述第三光波导光学连接，所述第一光波导、第二光波导及第三光波导具有至少所述上部包层及所述芯层的上部形成为在所述下部包层上突出的台面状的台面结构，当将芯高度设为从所述台面结构的两侧的底面或所述台面结构的侧面的倾斜到达所述底面而变得不连续的部位到所述芯层的上表面为止的高度时，所述第三光波导的所述芯高度比所述第一光波导的所述芯高度低，当将台面宽度设为所述芯层的中央的宽度时，所述第三光波导的所述台面宽度比所述第一光波导的所述台面宽度窄。
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公开(公告)号：CN118355575A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280080538.0
申请日：2022-12-07
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/50 , G02F1/35 , H01S3/0933 , H01S5/042
摘要： 光源具备：种子光源，输出具有给定的频带的非相干的种子光；以及作为半导体光放大器的助推放大器，对从第一端面输入的所述种子光进行光放大，并作为放大光从第二端面输出，所述助推放大器设定折射率(n)与芯片长度(L)之积即(nL)，以使得在所述放大光中相对强度噪声(RIN)以及脉动被同时抑制。
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公开(公告)号：CN102362400B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201080013441.5
申请日：2010-03-17
申请人： 古河电气工业株式会社
CPC分类号： G02B6/2808 , G02B6/4206 , G02B6/4215 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/0683 , H01S5/4012 , H01S5/4025 , H01S5/4062 , H01S5/4087
摘要： 本发明公开一种半导体激光模块，包含集成了至少一个半导体激光器和弯曲波导的半导体器件、束分离器、多个检测器，从所述半导体激光器射出的激光经由所述弯曲波导传播，经由所述弯曲波导射出的所述激光入射向所述束分离器，入射到所述束分离器的激光的一部分由所述束分离器分路，由配置于该光束断面内的不同的位置的所述多个检测器检测所述分路的所述激光的一部分，其中，在光路上设有用于使所述半导体激光器的输出和所述多个检测器的检测值的相关关系接近线性的波形整形装置。由此，可以进行精度高且稳定的波长锁定控制。
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公开(公告)号：CN102474069A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080033676.0
申请日：2010-07-05
申请人： 古河电气工业株式会社
CPC分类号： G02B6/12004 , G02B6/29344 , G02B6/4215 , G02B6/4245 , G02B2006/12121 , G02B2006/12147 , G02B2006/12195 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/4068 , H01S5/4087
摘要： 本发明提供一种集成型半导体激光元件、半导体激光组件及光传输系统。集成型半导体激光元件集成了能够使来自以互不相同的振荡波长进行单一模式振荡的多个半导体激光器的输出光耦合的光耦合器、和将来自光耦合器的输出光进行放大的半导体光放大器，多个半导体激光器的各活性层的至少一个和半导体光放大器的活性层具有同一厚度和同一组成，半导体光放大器具有形成在光耦合器侧且用于以单一模式将输出光进行导波的等宽部、和形成在光输出侧且宽度比等宽部宽的展宽部，为使规定动作状态下的增益峰值的波长与半导体激光器的增益峰值的波长一致，以根据活性层的各阱层的厚度的合计将阱层的总体积增大至能带填充效应被抑制的程度的方式设定展宽部的宽度。
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公开(公告)号：CN118613978A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202380019243.7
申请日：2023-01-10
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/227
摘要： 光半导体元件例如具备：基板；第一突出部，具有第一台面，并从基板向第一方向突出，所述第一台面具有在基板上沿第一方向层叠有多个半导体层的层叠构造且包括活性层来作为半导体层；以及第二突出部，在相对于第一突出部在与第一方向交叉的第二方向上分离的位置从基板向第一方向突出，包括与第一台面相同的层叠构造，在第一方向的端部露出多个半导体层中的一个。
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公开(公告)号：CN118591956A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380018402.1
申请日：2023-01-10
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/227
摘要： 光半导体元件例如具备：基板，其以(100)面作为表面；第一突出部，其具有第一台面，且从基板向第一方向突出，该第一台面由多个半导体层在表面上沿第一方向层叠而成且作为该半导体层而包括活性层；以及第二突出部，其在相对于第一突出部而在第二方向上分离的位置从基板向第一方向突出，且具有由多个半导体层在表面上沿第一方向层叠而成的层叠结构，第二突出部的第一方向上的端面具有大致多边形的形状，并且该端面的各边与沿[0‑11]方向延伸的假想线不平行。
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公开(公告)号：CN110088995B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201780078544.1
申请日：2017-12-19
申请人： 古河电气工业株式会社
摘要： 光集成元件具备：在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、以及上部包覆层而成的无源波导区域、在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、通过注入电流而放大光的量子阱层、以及上部包覆层而成的活性区域，第1芯层与量子阱层之间在对第1芯层进行波导的光的模场的范围内相接近，无源波导区域的至少一部分以及活性区域具有上部包覆层突出为台面状的第1台面构造，无源波导区域包含除了第1台面构造还具有第1芯层、下部包覆层以及第2芯层突出为台面状的第2台面构造的第2光点尺寸变换区域，第2台面构造的宽度比第1台面构造的宽度宽，并且具有第2台面构造的无源波导区域中，第1台面构造的宽度连续地变化。
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公开(公告)号：CN108885305B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201780019420.6
申请日：2017-02-03
申请人： 古河电气工业株式会社
摘要： 本发明提供一种能够在将基模的损失抑制得小的同时充分减少或除去高阶模、并且能够便宜且容易地制造的光元件及其制造方法、以及光调制器。该光元件具有：基板；以及第一光波导、第二光波导及第三光波导，形成于所述基板上，分别具有下部包层、芯层及上部包层，所述芯层与所述下部包层及所述上部包层相比折射率大，所述第一光波导与所述第二光波导光学连接，所述第二光波导与所述第三光波导光学连接，所述第一光波导、第二光波导及第三光波导具有至少所述上部包层及所述芯层的上部形成为在所述下部包层上突出的台面状的台面结构，当将芯高度设为从所述台面结构的两侧的底面或所述台面结构的侧面的倾斜到达所述底面而变得不连续的部位到所述芯层的上表面为止的高度时，所述第三光波导的所述芯高度比所述第一光波导的所述芯高度低，当将台面宽度设为所述芯层的中央的宽度时，所述第三光波导的所述台面宽度比所述第一光波导的所述台面宽度窄。
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