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公开(公告)号：CN102257647A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980151171.1
申请日：2009-12-17
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光半导体装置用引线框及其制造方法。该引线框在基体上形成有由纯银构成的纯银层，该纯银层的算术平均高度Ra为0.001～0.2μm，且在其表面形成有由耐蚀性优异的金属材料构成的平均膜厚为0.001μm以上、0.2μm以下的皮膜。该光半导体装置用引线框在可见光区域的反射特性优异并且耐蚀性优异。
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