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公开(公告)号：CN102389750B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201110293668.6
申请日：2011-10-04
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明的基于铰链式六面体压机的超高压装置，属于超硬材料合成设备的技术领域。结构有六面体压机同步驱动的六个压机压砧(1)、立方体的合成块(3)、在压机压砧砧面(2)和合成块(3)的平面之间放置的增压压砧(5)；立方支撑框(4)由四个增压压砧支架(6)组装而成，每个增压压砧支架(6)由三根相互垂直的柱构成；增压压砧(5)能够穿过立方支撑框(4)的六个框面在增压压砧(5)的轴线方向移动，对合成块(3)加压或卸压。本发明的最大优点是，六个增压压砧(5)可以非常简单地装配到立方支撑框(4)上，不需要调试对中就可以直接使用，安装调试快捷准确，节省时间。
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公开(公告)号：CN102583380B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210048075.8
申请日：2012-02-28
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B31/34
Abstract: 本发明的钼的碳化物的高温高压制备方法属于超硬材料制备的技术领域。以摩尔比2∶1～4的钼粉和碳粉为原料，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得钼的碳化物材料；所述的高温高压合成，是在压力为1.0～6.0GPa、温度为1300～2000K下保温保压10～120分钟；最后冷却卸压，合成钼的碳化物块状烧结体。本发明方法简单，易于实施；不采用任何助熔剂；通过调整原料的配比、合成温度和压力，制备出较高纯度的MoC或Mo2C。
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公开(公告)号：CN102530974A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210048073.9
申请日：2012-02-28
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明的钼的硼化物的高温高压制备方法属于超硬材料制备的技术领域。以钼粉和硼粉为原料，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得钼的硼化物材料；所述的高温高压合成，是在压力为1.0～6.0GPa、温度为1500～2100K下保温保压10～120分钟；最后冷却卸压，得到钼的硼化物块状烧结体。本发明方法简单，易于实施；不采用任何助熔剂；通过优选的原料配比、合成温度、合成压力和保温保压时间，可以合成出单一相的Mo2B、MoB、MoB2或Mo2B5材料。
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公开(公告)号：CN101973559B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010502262.X
申请日：2010-10-11
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明锰的硼化物的高温高压制备方法属于超硬材料的技术领域。所述的锰的硼化物主要组分是MnB2或Mn3B4；制备方法是：以锰粉和硼粉为原料，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得锰的硼化物材料；锰粉和硼粉按摩尔比1∶2～4；所说的高温高压合成，是在压力为1.0～6.0GPa、温度为1300～2000K下保温保压10～120分钟。本发明方法简单，易于实施；不采用任何助熔剂；通过原料的配比、合成温度和压力来调整MnB2或Mn3B4材料的组分及其纯度，并制备出较高纯度的MnB2。
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公开(公告)号：CN102288668A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110209306.4
申请日：2011-07-26
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/453 , G01N27/447
Abstract: 本发明的导电金刚石膜作为电极的电泳槽属于生物器械的技术领域。结构有电泳槽体(1)、电极、连接电极和电源的导线(4)、电极固定装置(3)；所述的电极，是导电金刚石膜电极(2)，是利用化学气相沉积方法，在基底上生长的硼或氮掺杂的金刚石膜或是自支撑硼或氮掺杂的金刚石膜，电阻率在10-4～10-2Ω·cm数量级。所述的电极固定装置(3)，是固定插槽式的。本发明的导电金刚石膜电极的电泳核酸以及蛋白质分子结果，与铂丝电极效果相近，甚至优于铂丝电极，并可方便地取下并可反复清洗，不损坏，经多次实验及清洗电泳结果无显著变化；具有使用寿命长，维护费用低，制备方法简单，无污染，耐腐蚀性强等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101912749A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010252545.3
申请日：2010-08-13
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明的一种产生大腔体超高静水压的装置属于超硬材料合成设备的技术领域。结构包括六面顶压机同步驱动的六个压砧(1)、用于组装六个压砧的钢环以及用于传递压力的垫块；压砧(1)的砧面(2)边长为1～6毫米；垫块是合金钢垫块(6)和碳化钨垫块(5)构成的二级垫块。本发明的装置可产生约50GPa、3000K的高温高压条件；提高了压强的转换效率；节省了设计、制造和安装的成本，节约了原材料；减少了能量的传递过程，可以节约能源；减少了设备的出错率，可以提高设备的运行稳定性、增加了设备的使用寿命、减少了维修人员的工作量。
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公开(公告)号：CN1063235C
公开(公告)日：2001-03-14
申请号：CN98116827.2
申请日：1998-07-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明属硅/立方氮化硼膜的类P-N结电子器件材料及制作方法。单晶硅衬底加温并加负偏压，六角氮化硼作源加射频功率，氩气作工作气体，在衬底上沉积c-BN薄膜，二者间形成类P-N结。再经镀铝渗铝形成欧姆接触电极。本发明在形成机理、构成结的晶体形态及制作方法上都不同于传统P-N结，但具有传统P-N结的电学特性，电容值增大106倍，由于c-BN能隙大于6.4ev的宽禁带，使类P-N结具有耐高温、抗辐射、大功率运转等优良性能。
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公开(公告)号：CN1210900A
公开(公告)日：1999-03-17
申请号：CN98115352.6
申请日：1998-06-19
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的低应力c－BN薄膜及其制备装置和制备方法属物理气相沉积方法制备薄膜材料的领域。采用射频磁控溅射加磁控弧光放电相结合的装置和工艺,以h－BN为靶材,在氮气、氩气气氛辉光放电中沉积c－BN薄膜。薄膜结构是在基底与立方氮化硼膜之间有一分子晶体氮化硼层。本发明由于加了磁控弧光放电装置,使基底没有离子轰击,电子回旋运动提高等离子体中的离化度,而实现了快速沉积附着力好的能够实用的低应力c－BN薄膜的形成。
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公开(公告)号：CN1197847A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN98104978.8
申请日：1998-01-21
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C14/06
Abstract: 本发明的纳米晶立方氮化硼薄膜及制备方法属一种薄膜材料和物理气相沉积的方法。立方氮化硼膜(3)直接沉积在硅片衬底(1)上,中间没有过渡层,平均晶粒尺度为4～10nm。利用镀膜装置,采用射频磁控溅射工艺,严格控制氩气和氮气体积比及总压强,衬底(1)上的偏压在－(400～200)V范围逐段升高,温度控制在400～500℃范围。本发明设备及工艺简单,成本低,制备的薄膜晶粒尺度小、结晶好、整体纯度高,不爆裂,适于实际应用。
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公开(公告)号：CN112678591A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011463077.4
申请日：2020-12-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种用于钢带缠绕的多点静摩擦夹紧机构属于超硬材料合成设备技术领域，包括张力底板(102)、张力顶板(104)以及设置在张力底板(102)上的静摩擦单元(100)、自由导向轮(102)和拉力传感组件(103)。本发明利用4个静摩擦块组能为钢带提供757MPa拉应力，为高压模具提供缠绕预应力，分布在每个静摩擦单元的工作载荷小；每两个静摩擦单元的间距可释放上一组静摩擦单元的摩擦应力，消除钢带抖动现象，从而避免因为钢带断裂导致的停止缠绕。
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