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公开(公告)号：CN112678591B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202011463077.4
申请日：2020-12-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种用于钢带缠绕的多点静摩擦夹紧机构属于超硬材料合成设备技术领域，包括张力底板(102)、张力顶板(104)以及设置在张力底板(102)上的静摩擦单元(100)、自由导向轮(102)和拉力传感组件(103)。本发明利用4个静摩擦块组能为钢带提供757MPa拉应力，为高压模具提供缠绕预应力，分布在每个静摩擦单元的工作载荷小；每两个静摩擦单元的间距可释放上一组静摩擦单元的摩擦应力，消除钢带抖动现象，从而避免因为钢带断裂导致的停止缠绕。
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公开(公告)号：CN112620840A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011462744.7
申请日：2020-12-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种用于预应力高压模具缠绕的狭缝调整定位装置属于机械加工技术领域，由支撑柱(100)、下限位单元(101)、上限位单元(102)、支撑架(103)、顶紧螺丝(104)、支撑底板(105)构成，所述的支撑底板(105)由支撑柱(100)连接固定。本发明利用狭缝结构为大张紧力钢带提供单侧定位，在钢带上、下两个楞面组合使用可以准确定位缠绕中的钢带高度，同时避免大平面调整块导致的钢带卷边、破裂或者断裂的现象。
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公开(公告)号：CN103601188B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310636225.1
申请日：2013-11-30
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B31/30
Abstract: 本发明的高熔点导电硬陶瓷材料钽的碳化物的制备方法，属于陶瓷材料的技术领域。钽的碳化物主要组分是TaC或Ta2C。以钽粉和碳粉为原料，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得钽的碳化物材料；所述的高温高压合成，是在高压装置上进行，在压力为5.2～6.0GPa、温度为2000～2200K下保温保压60～180分钟。本发明方法简单，不采用任何助熔剂，易于实施；制备出单一相的较高纯度的TaC或Ta2C；制备出的TaC材料具有高熔点、高导电率和高硬度；制备过程中有效地抑制了钽蒸汽的产生，杜绝了对人员与环境造成伤害和污染；可有效地利用被淘汰的小腔体六面顶液压机，延伸其使用年限，节省能耗。
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公开(公告)号：CN102000530B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010577989.4
申请日：2010-12-08
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明的铰链式六面顶液压机用的顶锤固定装置属于超硬材料合成设备的技术领域。结构包括钢环(1)、螺丝；钢环(1)内孔是压机安装底座的安装孔(3)、垫块安装孔(2)和顶锤安装孔(4)；钢环(1)下部的复合螺纹孔(5)在靠近钢环(1)内侧的部分是光滑的圆孔，靠近钢环(1)外侧的部分有与螺丝配合的内螺纹；在光滑的圆孔内装有安装部件(7)，安装部件(7)靠近压机安装底座的端头是与压机安装底座外表面相吻合的弧面，或成凹角的两个相交的平面。本发明对顶锤有很好的侧向支撑和底部保护，提高了顶锤的使用寿命；有效地提高压机的控制精度，减少了设备的出错率，增加了设备的使用寿命，减少了维修人员的工作量。
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公开(公告)号：CN102583380A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210048075.8
申请日：2012-02-28
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B31/34
Abstract: 本发明的钼的碳化物的高温高压制备方法属于超硬材料制备的技术领域。以摩尔比2∶1～4的钼粉和碳粉为原料，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得钼的碳化物材料；所述的高温高压合成，是在压力为1.0～6.0GPa、温度为1300～2000K下保温保压10～120分钟；最后冷却卸压，合成钼的碳化物块状烧结体。本发明方法简单，易于实施；不采用任何助熔剂；通过调整原料的配比、合成温度和压力，制备出较高纯度的MoC或Mo2C。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112620840B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202011462744.7
申请日：2020-12-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种用于预应力高压模具缠绕的狭缝调整定位装置属于机械加工技术领域，由支撑柱(100)、下限位单元(101)、上限位单元(102)、支撑架(103)、顶紧螺丝(104)、支撑底板(105)构成，所述的支撑底板(105)由支撑柱(100)连接固定。本发明利用狭缝结构为大张紧力钢带提供单侧定位，在钢带上、下两个楞面组合使用可以准确定位缠绕中的钢带高度，同时避免大平面调整块导致的钢带卷边、破裂或者断裂的现象。
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公开(公告)号：CN102530974B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210048073.9
申请日：2012-02-28
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明的钼的硼化物的高温高压制备方法属于超硬材料制备的技术领域。以钼粉和硼粉为原料，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得钼的硼化物材料；所述的高温高压合成，是在压力为1.0～6.0GPa、温度为1500～2100K下保温保压10～120分钟；最后冷却卸压，得到钼的硼化物块状烧结体。本发明方法简单，易于实施；不采用任何助熔剂；通过优选的原料配比、合成温度、合成压力和保温保压时间，可以合成出单一相的Mo2B、MoB、MoB2或Mo2B5材料。
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公开(公告)号：CN101912749B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010252545.3
申请日：2010-08-13
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明的一种产生大腔体超高静水压的装置属于超硬材料合成设备的技术领域。结构包括六面顶压机同步驱动的六个压砧(1)、用于组装六个压砧的钢环以及用于传递压力的垫块；压砧(1)的砧面(2)边长为1～6毫米；垫块是合金钢垫块(6)和碳化钨垫块(5)构成的二级垫块。本发明的装置可产生约50GPa、3000K的高温高压条件；提高了压强的转换效率；节省了设计、制造和安装的成本，节约了原材料；减少了能量的传递过程，可以节约能源；减少了设备的出错率，可以提高设备的运行稳定性、增加了设备的使用寿命、减少了维修人员的工作量。
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公开(公告)号：CN101465399B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810051719.2
申请日：2008-12-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的用金刚石膜作热沉材料的LED芯片基座及制作方法涉及LED热沉的技术领域。本发明的结构由贴片区(1)，电极打线区(2)，底部焊盘(3)，电导通孔(4)，反射杯(5)，导热柱(6)，散热焊盘(7)，金刚石膜(9)，上陶瓷层(10)，下陶瓷层(20)构成；方法是在陶瓷基座的下陶瓷层(20)上生长CVD金刚石膜或焊接CVD自支撑金刚石膜做LED芯片的热沉系统。本发明涉及的热沉导热性好，降低产品的热阻，使热量尽快散发出去，提高LED的发光效率，同时也提高了产品的可靠性和延长了产品的寿命。
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公开(公告)号：CN1211636A
公开(公告)日：1999-03-24
申请号：CN98116827.2
申请日：1998-07-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明属单晶硅－纳米晶立方氮化硼薄膜的类P－N结及制作方法。单晶硅衬底加温并加负偏压,六角氮化硼作源加射频功率,氩气作工作气体,在衬底上沉积c－BN薄膜,二者间形成类P－N结。再经镀铝渗铝形成欧姆接触电极。本发明在形成机理、构成结的晶体形态及制作方法上都不同于传统P－N结,但具有传统P－N结的电学特性,电容值增大106倍,由于c－BN能隙大于6.4ev的宽禁带,使类P－N结具有耐高温、抗辐射、大功率运转等优良性能。
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