公开(公告)号：CN113296292B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202110526977.7

申请日：2021-05-14

Applicant: 吉林大学

Inventor： 尹悦鑫 ,  张大明 ,  姚梦可 ,  丁颖智 ,  曹悦 ,  陈长鸣

IPC: G02F1/01

Abstract: 一种有机/无机混合集成的垂直多模干涉器结构的聚合物可变光衰减器及其制备方法属于聚合物光波导可变光衰减器技术领域。由硅衬底，在衬底上制备的二氧化硅下包层，在二氧化硅下包层上沿光的传播方向制备的二氧化硅输入波导单元、聚合物芯层波导单元和二氧化硅输出波导单元，位于二氧化硅下包层之上且包覆二氧化硅输入波导单元和二氧化硅输出波导单元的二氧化硅上包层，位于二氧化硅上包层和聚合物芯层波导单元之上的聚合物包层，位于聚合物包层之上的金属调制电极组成。该可变光衰减器结构紧凑，功耗低，响应速度快，消光比大等优点，可用于光通信中的WDM系统中，起到功率均衡的作用。

公开(公告)号：CN115308839A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210954058.4

申请日：2022-08-10

Applicant: 吉林大学

Inventor： 梁佳琦 ,  尹悦鑫 ,  吕昕雨 ,  丁颖智 ,  姚梦可 ,  许馨如 ,  张大明

IPC: G02B6/125 ,  G02B6/136 ,  G02B6/12

Abstract: 一种基于二氧化硅/聚合物嵌入波导平台的多端口波导交叉器件及其制备方法，属于光子集成芯片制备技术领域。由Si衬底、SiO2下包层、聚合物芯层、聚合物上包层组成，聚合物芯层被包埋在SiO2下包层之中，聚合物芯层上表面与SiO2下包层上表面位于同一平面，聚合物上包层位于聚合物芯层和SiO2下包层之上；聚合物芯层为多通道交叉波导结构，由N个在中心点交叉的1×1多模干涉器形成星形结构。将光在多模干涉区内的第一个自映像点作为波导交叉器件的中心点，此处的光汇聚在一个和输入端相同尺寸的光场中，最大程度的限制了光的扩散，可以减小交叉波导之间的串扰；将第二个自映像点作为光输出点，可以得到高的光输出强度。

公开(公告)号：CN114089474A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111438405.X

申请日：2021-11-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 丁颖智 ,  尹悦鑫 ,  许馨如 ,  姚梦可 ,  梁佳琦 ,  吕昕雨 ,  张大明

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/26

Abstract: 一种有机无机混合集成的可变光衰减器及其制备方法，属于平板光波导器件及其制备技术领域，由硅衬底、二氧化硅下包层、条形结构的掺锗的二氧化硅输入波导和掺锗的二氧化硅输出波导、基于垂直MMI结构的层间转换器、掺硼和磷的二氧化硅上包层、1×1马赫曾德热光开关、聚合物上包层和加热电极组成，输入波导和输出波导的折射率大于二氧化硅上包层的折射率。本发明垂直MMI结构紧凑，以聚合物热光开关型VOA器件取代了传统无机PLC的VOA器件，实现了光从下层无机波导向上层聚合物波导的传输，本发明高效率地调节光传输功率，器件功耗低，实现了有机无机光子器件的单片集成，与现有二氧化硅PLC工艺相兼容，易于大规模生产，成本低。