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公开(公告)号：CN115406796A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211158791.1
申请日：2022-09-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米材料合成中奥斯瓦尔德熟化发生的临界浓度的确定方法，属于奥斯瓦尔德熟化技术领域，本发明利用全自动纳米合成仪探索影响NaREF4纳米材料发生奥斯瓦尔德熟化过程的因素，确定奥斯瓦尔德熟化过程发生时反应体系的临界浓度(Cc)和控制奥斯瓦尔德熟化过程可进行实验操作的时间窗口，从而在纳米材料合成过程中，保证反应物浓度高于临界浓度，实现对奥斯瓦尔德熟化过程的控制，使纳米材料在尺寸连续性增加的同时仍然保持均匀的形貌。
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公开(公告)号：CN114984965B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210595562.X
申请日：2022-05-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种p‑n异质结复合光催化剂Cu2O/MTiO3、制备方法及其在光催化分解水制氢中的应用，属于能量存储与转换技术领域，M为Ca、Sr或Ba。在模拟太阳光照射下，在p‑n异质结复合光催化剂中产生光生电子和空穴。同时，在内建电场的作用下，光生电子从Cu2O的导带流向MTiO3的导带，还原H+得到H2；光生空穴从MTiO3的价带流向Cu2O的价带，最后被牺牲试剂甲醇消耗掉，抑制了光生电子‑空穴对的复合，提高了Cu2O/MTiO3复合光催化剂的分解水产氢活性。由于其在紫外可见光区具有强的光吸收能力，且可以增强光电转换性能，使复合光催化剂Cu2O/MTiO3在太阳能电池领域具有一定的应用前景。
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公开(公告)号：CN114984965A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210595562.X
申请日：2022-05-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种p‑n异质结复合光催化剂Cu2O/MTiO3、制备方法及其在光催化分解水制氢中的应用，属于能量存储与转换技术领域，M为Ca、Sr或Ba。在模拟太阳光照射下，在p‑n异质结复合光催化剂中产生光生电子和空穴。同时，在内建电场的作用下，光生电子从Cu2O的导带流向MTiO3的导带，还原H+得到H2；光生空穴从MTiO3的价带流向Cu2O的价带，最后被牺牲试剂甲醇消耗掉，抑制了光生电子‑空穴对的复合，提高了Cu2O/MTiO3复合光催化剂的分解水产氢活性。由于其在紫外可见光区具有强的光吸收能力，且可以增强光电转换性能，使复合光催化剂Cu2O/MTiO3在太阳能电池领域具有一定的应用前景。
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公开(公告)号：CN114188433A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111502858.4
申请日：2021-12-10
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种可被近红外光激发的h‑BN光电转换器件及其制备方法，属于宽禁带半导体的近红外光激发技术领域，由上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd与h‑BN@电极进行附着结合得到；当近红外光源照射光电转换器件时，表面的上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd经由内部7光子上转换发光可产生波长为205nm和195.3nm的紫外荧光，为h‑BN的光激发提供能量，从而实现h‑BN的近红外光激发。由于h‑BN材料为宽禁带半导体，实现其光激发所需的光源为波长小于210nm的深紫外光，故由h‑BN材料制成的光电转换器件多用于深紫外光的探测。本发明提出的可被近红外光激发的h‑BN光电转换器件在丰富了以h‑BN为原材料的光电转换器件可探测光源的波长范围的同时，还解决了使用h‑BN作为光触媒应用于光催化领域的关键技术难点。
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公开(公告)号：CN111892843A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010685263.6
申请日：2020-07-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种红绿蓝三基色正交上转换荧光安全墨水的制备方法，属于纳米光学防伪技术领域，该方法包括以下步骤：首先利用全自动纳米合成仪通过逐层包裹的方法制备出具有红绿蓝正交上转换发光的纳米颗粒，然后将得到的纳米颗粒进行表面处理获得水溶性的纳米颗粒，最后将水溶性的纳米颗粒按照一定比例加入到酸碱指示剂中，超声分散均匀即得该安全墨水。该方法制备的安全墨水可通过印刷、印章、喷墨打印以及手写等方式获得防伪图案，该安全墨水获得的图案具有三基色荧光显示、pH刺激响应性以及稳定性好等特点，可用于多级防伪的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118759639A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411060534.3
申请日：2024-08-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种降低纳米晶晶体结构对称性实现聚合物基光波导放大器增益带宽展宽的方法，属于宽带光通信技术领域，通过掺杂与基质晶格离子半径相差较大的其它离子，降低纳米晶中镧系发光中心离子周围晶体结构的对称性，增加不同晶体场格位，使掺杂在纳米晶中的镧系发光中心离子，其简并的4f能级发生J劈裂，实现纳米晶晶格中掺杂的镧系离子在光通信波段的能级跃迁发射光谱的展宽。本发明的有益之处在于可用一种发光中心离子掺杂的纳米晶实现该发光中心离子发光光谱展宽；并通过将此种纳米晶掺杂在聚合物基质中可制备出具有宽带发光的纳米晶‑聚合物有机无机复合增益介质；以此种复合物作为增益介质可实现掺杂纳米晶的聚合物基光波导放大器的工作带宽展宽，实现宽带光放大。
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公开(公告)号：CN118759638A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411060530.5
申请日：2024-08-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种利用晶体场效应实现纳米晶掺杂的聚合物基光波导放大器增益带宽展宽的方法，属于宽带光通信技术领域，该方法利用纳米晶晶体场效应，选择晶体结构对称性低的材料作为基质，利用晶体场的J劈裂来实现纳米晶晶格中掺杂的镧系离子在光通信波段的能级跃迁发射光谱的展宽；通过将纳米晶复合在有机聚合物基质中制备在通信波段具有宽带发光的纳米晶‑聚合物有机无机复合物，作为光波导放大器的增益介质，进而实现掺杂纳米晶的聚合物基光波导放大器的工作带宽展宽，实现宽带光放大；并进一步可使纳米晶中掺杂的Er3+离子的发光半高全宽拓展超过120nm，发光覆盖了全部C+L波段，最终在纳米晶掺杂的聚合物波导放大器中获得了较高的L波段的相对增益；从而满足现代通信系统对波导放大器带宽的需求，并有望在光通信终端、数据传输以及各种光学传感器等领域得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN116285887B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202310297071.1
申请日：2023-03-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光诱导黑体吸收效应的吸光材料及其应用，属于光学材料技术领域，所述吸光材料由一种基质材料及掺杂剂组成，并利用相应的激发光照射掺杂后的材料获得基于光诱导黑体吸收效应的吸光材料；其中，所述掺杂剂对所使用的激发光具有不小于0.1％的光吸收，掺杂剂的掺杂浓度范围为0.1mol％～80mol％。该材料与待加工的材料相结合后，通过诱导激光照射，待加工材料可以进入光致黑体吸收状态，此状态下的待加工材料在宽波段(200nm～2500nm)范围内的光吸收率可以达到90％以上。
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公开(公告)号：CN115406796B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211158791.1
申请日：2022-09-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米材料合成中奥斯瓦尔德熟化发生的临界浓度的确定方法，属于奥斯瓦尔德熟化技术领域，本发明利用全自动纳米合成仪探索影响NaREF4纳米材料发生奥斯瓦尔德熟化过程的因素，确定奥斯瓦尔德熟化过程发生时反应体系的临界浓度(Cc)和控制奥斯瓦尔德熟化过程可进行实验操作的时间窗口，从而在纳米材料合成过程中，保证反应物浓度高于临界浓度，实现对奥斯瓦尔德熟化过程的控制，使纳米材料在尺寸连续性增加的同时仍然保持均匀的形貌。
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公开(公告)号：CN115558499B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211158781.8
申请日：2022-09-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于奥斯瓦尔德熟化过程控制的具有核壳结构的纳米材料及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域，本发明的制备方法通过调整前驱体溶液的浓度及注射次数，可以实现制备的纳米材料粒径的调节，并可实现具有核壳结构的纳米材料的制备；在反应物总量且反应时间相同的情况下，与未控制奥斯瓦尔德熟化过程的纳米晶体相比，使用该控制方法合成的合成的核壳纳米材料不仅实现了壳层组分和厚度的调节，而且具备更均匀的形貌和更强的上转换发光特性。良好的光学质量。
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