一种具有三基色荧光开关特性的加密材料及其应用

    公开(公告)号:CN111892930B

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202010685715.0

    申请日:2020-07-16

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有三基色荧光开关特性的加密材料及其应用,属于纳米荧光材料技术领域。该加密材料是由δ‑MnO2纳米片修饰的正交三基色上转换发光纳米晶构成。正交三基色发光的纳米晶是基于镧系离子掺杂NaYF4基质构成的一核五壳层结构,该纳米晶在三个不同波长近红外光的激发下,能够产生相互独立的三基色上转换发光;修饰的δ‑MnO2纳米薄片可以作为荧光猝灭剂来猝灭纳米晶的三基色发光;利用修饰的δ‑MnO2纳米薄片的分解和再生,能够实现纳米晶三基色荧光的开关,实现对信息的解密和加密。本发明提供的一种具有三基色荧光开关特性的加密材料,与传统荧光防伪材料相比,该加密材料具有加密性高、多色荧光显示以及重复加密和解密等特点,适用于机密信息的安全保护。

    一种可被近红外光激发的h-BN光电转换器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN114188433B

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202111502858.4

    申请日:2021-12-10

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种可被近红外光激发的h‑BN光电转换器件及其制备方法,属于宽禁带半导体的近红外光激发技术领域,由上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd与h‑BN@电极进行附着结合得到;当近红外光源照射光电转换器件时,表面的上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd经由内部7光子上转换发光可产生波长为205nm和195.3nm的紫外荧光,为h‑BN的光激发提供能量,从而实现h‑BN的近红外光激发。由于h‑BN材料为宽禁带半导体,实现其光激发所需的光源为波长小于210nm的深紫外光,故由h‑BN材料制成的光电转换器件多用于深紫外光的探测。本发明提出的可被近红外光激发的h‑BN光电转换器件在丰富了以h‑BN为原材料的光电转换器件可探测光源的波长范围的同时,还解决了使用h‑BN作为光触媒应用于光催化领域的关键技术难点。

    一种可被近红外光激发的h-BN光电转换器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN114188433A

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202111502858.4

    申请日:2021-12-10

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种可被近红外光激发的h‑BN光电转换器件及其制备方法,属于宽禁带半导体的近红外光激发技术领域,由上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd与h‑BN@电极进行附着结合得到;当近红外光源照射光电转换器件时,表面的上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd经由内部7光子上转换发光可产生波长为205nm和195.3nm的紫外荧光,为h‑BN的光激发提供能量,从而实现h‑BN的近红外光激发。由于h‑BN材料为宽禁带半导体,实现其光激发所需的光源为波长小于210nm的深紫外光,故由h‑BN材料制成的光电转换器件多用于深紫外光的探测。本发明提出的可被近红外光激发的h‑BN光电转换器件在丰富了以h‑BN为原材料的光电转换器件可探测光源的波长范围的同时,还解决了使用h‑BN作为光触媒应用于光催化领域的关键技术难点。

    一种具有三基色荧光开关特性的加密材料及其应用

    公开(公告)号:CN111892930A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010685715.0

    申请日:2020-07-16

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有三基色荧光开关特性的加密材料及其应用,属于纳米荧光材料技术领域。该加密材料是由δ-MnO2纳米片修饰的正交三基色上转换发光纳米晶构成。正交三基色发光的纳米晶是基于镧系离子掺杂NaYF4基质构成的一核五壳层结构,该纳米晶在三个不同波长近红外光的激发下,能够产生相互独立的三基色上转换发光;修饰的δ-MnO2纳米薄片可以作为荧光猝灭剂来猝灭纳米晶的三基色发光;利用修饰的δ-MnO2纳米薄片的分解和再生,能够实现纳米晶三基色荧光的开关,实现对信息的解密和加密。本发明提供的一种具有三基色荧光开关特性的加密材料,与传统荧光防伪材料相比,该加密材料具有加密性高、多色荧光显示以及重复加密和解密等特点,适用于机密信息的安全保护。

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