公开(公告)号：CN109534792B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201811593387.0

申请日：2018-12-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 常云飞 ,  孙媛 ,  刘迎春 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: C04B35/10

Abstract: 一种基于纳米织构增韧的仿生层状氧化铝形貌复合陶瓷材料，本发明涉及一种结构陶瓷材料及其制备方法。本发明要解决现有结构陶瓷韧性低、基于纯强‑弱夹层和纯强‑强夹层结构使陶瓷强度降低或增韧效果提升幅度非常有限的问题。陶瓷材料为等轴状晶粒的基体Al2O3增强层和片状晶粒的纳米织构Al2O3增韧层交替排列成对称结构。方法：一、采用流延工艺制备等轴状晶粒的基体Al2O3增强层素体膜片；二、采用流延工艺制备片状晶粒的纳米织构Al2O3增韧层素体膜片；三、将两种膜片叠压、热水匀压、排胶和冷等静压；四、结合气氛烧结和热等静压烧结制备仿生层状Al2O3复合陶瓷。

公开(公告)号：CN109400147A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811421334.0

申请日：2018-11-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 常云飞 ,  孙媛 ,  刘迎春 ,  吴杰 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: C04B35/468 ,  C04B41/88 ,  H02N2/18

Abstract: 一种应用于高功率密度能量收集器件的无铅压电织构复合材料及其制备方法和应用，本发明涉及一种无铅压电织构复合材料及其制备方法和应用。本发明要解决现有无铅压电陶瓷能量密度低，基于传统固溶体或者随机掺杂的理念使得材料的能量收集性能提升幅度非常有限的问题。应用于高功率密度能量收集器件的无铅压电织构复合材料的化学通式为(1-x)(Ba1-yCay)(Ti1-zMz)O3/xBaTiO3。方法：一、制备细晶壳基体粉体；二、制备流延浆料；三、制备陶瓷素坯；四、制备织构复合陶瓷；五、制备高度致密的织构复合陶瓷；六、制备高性能织构复合陶瓷。应用：用作环保型高功率密度微型化能量收集器。

公开(公告)号：CN104987072B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201510423779.2

申请日：2015-07-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 常云飞 ,  吴杰 ,  孙媛 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/499 ,  C04B35/64

Abstract: 高电学性能的铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅弛豫铁电织构陶瓷及应用，本发明涉及压铁电材料领域。本发明要解决现有PIN-PMN-PT单晶组分分凝、可用尺寸受限、力学性能差、PIN-PMN-PT陶瓷电学性能低的问题。化学通式为xPb(In1/2Nb1/2)O3-(1-x-y)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-yPbTiO3-avol.％BaTiO3；方法：二步合成法制备PIN-PMN-PT细晶基体粉体，局部化学微晶取代法制备BaTiO3片状微晶模板，采用模板晶粒定向生长技术制备沿[001]高度取向的PIN-PMN-PT基三元系弛豫铁电织构陶瓷。应用于超声换能器、压电驱动器及压电传感器领域。

公开(公告)号：CN116903363A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310918819.5

申请日：2023-07-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 常云飞 ,  寇蔷薇 ,  张则睿 ,  刘琳婧 ,  吕蕊 ,  谢航 ,  孙媛 ,  杨彬

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622

Abstract: 一种兼顾低烧结温度和高压电性能的无铅钛酸盐织构陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及无铅钛酸盐织构陶瓷材料及其制备方法和应用。解决现有技术下BT基陶瓷材料压电性能的增强是在居里温度Tc急剧下降的情况下实现，且烧结温度高的问题。材料化学通式为(Ba1‑xCax)(Ti1‑yBy)O3‑zwt.％M，晶粒内各元素分布均匀且无核壳结构存在，择优取向度为96％以上，压电系数为800pC/N以上，场致应变系数为2000pm/V以上，机电换能因数为22.0×10‑12m2/N以上，居里温度为80℃以上。方法：一、基体细粉制备；二、流延浆料制备；三、织构陶瓷制备。应用于高性能多层结构的环境友好型压电元器件中。

公开(公告)号：CN115108826B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202210896622.1

申请日：2022-07-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 常云飞 ,  谢航 ,  刘琳婧 ,  寇蔷薇 ,  吕蕊 ,  孙媛

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 一种低电场驱动高储能密度和超快放电速率的弛豫铁电陶瓷材料及其制备方法，涉及弛豫铁电陶瓷材料及其制备方法。解决现有技术下BNT基弛豫铁电陶瓷需要高驱动电场才能获得高的有效储能密度，同时其他高储能性能难以兼顾的问题。材料的化学通式为(Bi0.5Na0.5)(1‑x)SrxTi(1‑y)(M,N)yO3，在驱动电场低于250kV/cm的条件下，获得高于3.7J/cm3的有效储能密度，储能效率在80％以上，在温度为20℃～140℃和频率为0.2Hz～200Hz之间，有效储能密度变化率不超过9％，最大放电密度释放90％的时间小于65ns。方法：一、基体细粉制备；二、流延膜片制备；三、储能陶瓷制备。

公开(公告)号：CN113683409B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202111004591.6

申请日：2021-08-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 常云飞 ,  寇蔷薇 ,  刘琳婧 ,  谢航 ,  孙媛 ,  杨彬

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/187 ,  H01L41/37

Abstract: 具有优异温度稳定性的四方相A和B位共取代无铅压电织构陶瓷及其制备方法和应用，属于压铁电材料领域。解决现有技术下BT基陶瓷材料存在居里温度Tc降低和压电系数温度稳定性恶化的问题。该织构陶瓷的化学通式为(Ba1‑xCax)(Ti1‑yEy)O3，室温下为纯四方相的钙钛矿结构，沿[001]c或者[111]c择优取向度在90％以上。方法：一、制备前驱体基料；二、选取和称量模板籽晶；三、制备流延浆料；四、制备陶瓷生坯；五、制备四方相无铅织构陶瓷。应用：应用于在室温至100℃区间内保持稳定机电输出的电子器件。

公开(公告)号：CN115108826A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210896622.1

申请日：2022-07-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 常云飞 ,  谢航 ,  刘琳婧 ,  寇蔷薇 ,  吕蕊 ,  孙媛

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 一种低电场驱动高储能密度和超快放电速率的弛豫铁电陶瓷材料及其制备方法，涉及弛豫铁电陶瓷材料及其制备方法。解决现有技术下BNT基弛豫铁电陶瓷需要高驱动电场才能获得高的有效储能密度，同时其他高储能性能难以兼顾的问题。材料的化学通式为(Bi0.5Na0.5)(1‑x)SrxTi(1‑y)(M,N)yO3，在驱动电场低于250kV/cm的条件下，获得高于3.7J/cm3的有效储能密度，储能效率在80％以上，在温度为20℃～140℃和频率为0.2Hz～200Hz之间，有效储能密度变化率不超过9％，最大放电密度释放90％的时间小于65ns。方法：一、基体细粉制备；二、流延膜片制备；三、储能陶瓷制备。

公开(公告)号：CN110668493B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201911144123.1

申请日：2019-11-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 常云飞 ,  马亚庆 ,  刘迎春 ,  谢航 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: C01G23/00

Abstract: 一种纳微米级钛酸铋钠基低维晶体，本发明涉及低维晶体及其制备方法。本发明解决现有技术所制备的Na0.5Bi0.5TiO3基片状晶体多为纯Na0.5Bi0.5TiO3一元体系，且由于形貌调控难导致粒径尺寸大、粒径尺寸分布宽和分散性差的问题。纳微米级钛酸铋钠基低维晶体的化学通式为(1‑x‑y)Na0.5Bi0.5TiO3‑xK0.5Bi0.5TiO3‑yAETiO3；方法：一、熔盐法制备粒径均一的片状Na0.5Bi4.5Ti4O15前驱体晶体；二、局部化学微晶转化法制备钙钛矿结构目标产物。

公开(公告)号：CN110615467B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201911077567.8

申请日：2019-11-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 常云飞 ,  寇蔷薇 ,  刘琳婧 ,  孙媛 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: C01G23/00

Abstract: 一种沿 择优取向且A位复合的钛酸钡基片状模板籽晶，本发明涉及片状模板籽晶及其制备方法。本发明解决现有沿 取向的模板多为纯BaTiO3组分、粒径尺寸可调控范围窄、粒径尺寸不均一且分散性差造成模板难以在母体中高度定向、扮演“缺陷”角色的问题。这些导致了陶瓷沿 织构质量偏低、无法最大化利用T相多畴构型有效地提高该方向的电学性能，尤其是无法受益于剪切性能等限制的问题。片状模板籽晶的化学通式为(Ba1‑xAEx)TiO3；方法：一、固相法制备前驱体用原料BaTiO3粉体；二、熔盐法制备粒径均一的片状Ba6Ti17O40前驱体；三、局部化学微晶反应法制备目标产物。

公开(公告)号：CN110668493A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201911144123.1

申请日：2019-11-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 常云飞 ,  马亚庆 ,  刘迎春 ,  谢航 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: C01G23/00

Abstract: 一种纳微米级钛酸铋钠基低维晶体及其制备方法，本发明涉及低维晶体及其制备方法。本发明解决现有技术所制备的Na0.5Bi0.5TiO3基片状晶体多为纯Na0.5Bi0.5TiO3一元体系，且由于形貌调控难导致粒径尺寸大、粒径尺寸分布宽和分散性差的问题。纳微米级钛酸铋钠基低维晶体的化学通式为(1-x-y)Na0.5Bi0.5TiO3-xK0.5Bi0.5TiO3-yAETiO3；方法：一、熔盐法制备粒径均一的片状Na0.5Bi4.5Ti4O15前驱体晶体；二、局部化学微晶转化法制备钙钛矿结构目标产物。