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公开(公告)号：CN116903363B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310918819.5
申请日：2023-07-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/49 , C04B35/622
Abstract: 一种兼顾低烧结温度和高压电性能的无铅钛酸盐织构陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及无铅钛酸盐织构陶瓷材料及其制备方法和应用。解决现有技术下BT基陶瓷材料压电性能的增强是在居里温度Tc急剧下降的情况下实现，且烧结温度高的问题。材料化学通式为(Ba1‑xCax)(Ti1‑yBy)O3‑zwt.％M，晶粒内各元素分布均匀且无核壳结构存在，择优取向度为96％以上，压电系数为800pC/N以上，场致应变系数为2000pm/V以上，机电换能因数为22.0×10‑12m2/N以上，居里温度为80℃以上。方法：一、基体细粉制备；二、流延浆料制备；三、织构陶瓷制备。应用于高性能多层结构的环境友好型压电元器件中。
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公开(公告)号：CN117936269A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410151100.8
申请日：2024-02-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高储能性能兼顾宽实用温区的钛酸铋钠基多层陶瓷电容器及其制备方法，涉及钛酸铋钠基多层陶瓷电容器及其制备方法。解决现有技术下BNT基弛豫铁电陶瓷储能性能较低，储能性能稳定性较差以及实用温区窄的问题。化学式为(1‑x)(Bi0.5Na0.5)zTiO3‑xMTiyN(1‑y)O3，有效储能密度＞10J/cm3，能量存储系数≥1130J/(kV·m2)，储能效率v85％；在测试温度区间为20℃～190℃时，Wrec和η的变化率均小于8％；在测试频率区间为0.2Hz～500Hz时，Wrec和η变化率均小于6％。方法：一、预烧粉的制备；二、流延膜片的制备；三、多层储能陶瓷电容器的制备。
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公开(公告)号：CN114436654A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210116189.5
申请日：2022-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64
Abstract: 具有高相变温度、优异抗疲劳性和高机电性能的弛豫铁电铅基陶瓷材料及制备方法和应用，涉及弛豫铁电铅基陶瓷材料及制备方法和应用。解决现有技术下弛豫铁电陶瓷材料存在相变温度较低、抗电学疲劳性能较差，无法兼顾高机电性能、高相变温度和优异抗疲劳性的问题，而且含Zr类弛豫铁电织构陶瓷制备过程中存在热动力学问题。弛豫铁电铅基陶瓷材料化学通式为(1‑x‑y)Pb(A,Nb)O3‑xPbZrO3‑yPbTiO3‑awt.％B。方法：一、纯钙钛矿相母体细粉制备；二、流延法制备陶瓷生坯；三、织构陶瓷材料制备。应用：应用于压电致动器、智能传感器、超声换能器和能量收集器。
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公开(公告)号：CN105084898B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510482816.7
申请日：2015-08-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/499 , C04B35/622
Abstract: 一种低温烧结三元系弛豫铁电陶瓷材料，本发明涉及一种低温烧结三元系弛豫铁电陶瓷材料、制备方法及其应用。本发明要解决现有PIN‑PMN‑PT陶瓷烧结温度高，铅挥发严重引发环境污染、材料性能下降、生产成本高的问题。陶瓷材料的化学通式为xPb(In1/2Nb1/2)O3‑(1‑x‑y)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3‑awt.％CuO。方法：一、固相反应合成MgNb2O6前驱体；二、固相反应合成InNbO4前驱体；三、固相反应合成PIN‑PMN‑PT基体粉体；四、固相合成技术结合流延叠层工艺制备低温烧结三元系弛豫铁电陶瓷。本发明用于制备大功率压电蜂鸣器和多层压电器件。
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公开(公告)号：CN119459070A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411617260.3
申请日：2024-11-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B32B27/28 , B32B27/20 , B32B27/08 , B32B27/30 , C08L79/08 , C08L27/16 , C08K3/24 , B29C41/12 , B29C41/34
Abstract: 一种用于介电储能的双层结构聚合物基复合材料及其制备方法，涉及一种用于介电储能的复合材料及其制备方法。解决现有技术下聚合物基复合材料相对介电常数较低、击穿场强不高以及储能效率较低，导致其放电储能密度和储能效率都较低的问题。材料是由PEI基复合材料膜及PVDF基复合材料膜组成的双层结构聚合物基复合材料，放电储能密度Udis≥20J/cm3，储能效率η＞70％。方法：一、二维片状填料的制备；二、PEI基复合材料溶液和PVDF基复合材料溶液的制备；三、双层结构聚合物基复合材料的制备。本发明用于介电储能的双层结构聚合物基复合材料及其制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108147452B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810143645.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种尺寸可控的低维钛酸锶晶体的合成方法及应用，它涉及一种钛酸锶晶体的合成方法及应用。本发明的目的是要解决采用现有制备工艺制备的片状SrTiO3晶体中存在粒径尺寸过大且可调控范围相对较窄、晶体为多晶聚集体，晶体中杂质原子含量高、造成其应用中存在范围窄、稳定性差、取向度低、性能恶化的问题。方法：一、制备前驱体混合原料；二、煅烧制备前驱体；三、清洗、分散得到粒径均一且尺寸可调控的片状Bi4Ti3O12前驱体；四、制备产物混合原料；五、煅烧制备产物；六、清洗。应用：用于光催化、纳米器件、有机填充料及能量存储、高性能多功能电子织构陶瓷、薄膜、单晶的制备领域。本发明可获得一种尺寸可控的低维钛酸锶晶体。
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公开(公告)号：CN109650888B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201811619612.3
申请日：2018-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01L41/187
Abstract: 一种低温织构高电学性能三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷，涉及一种三元系钛酸铅基弛豫铁电织构材料及其制备方法和应用。解决三元系钛酸铅基弛豫铁电普通陶瓷电学性能低，而高质量铅基织构陶瓷难以制备且烧结温度高的问题。三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷的化学通式为xPb(A,Nb)O3‑(1‑x‑y‑z)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbZrO3‑zPbTiO3‑avol.％MTiO3。方法：制备细晶基体粉体；制备同时含生长助剂和沿[001]c定向的MTiO3片状微晶的膜片；制备陶瓷素坯；制备三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷。应用：用于制备大功率、宽温区和高电场区的多层压电器件。
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公开(公告)号：CN107459346B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201710686831.2
申请日：2017-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/638 , B28B1/29 , B28B1/00 , B28B11/24 , B28B11/00
Abstract: 高电学性能的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷的制备方法和应用，本发明涉及压铁电材料领域。本发明要解决现有钛酸钡基陶瓷的改进使得该体系陶瓷的应变迟滞Hs变大，虽然钛酸钡基陶瓷的部分电学性能参数有一定的提高，但其另一部分性能参数，如居里温度Tc却被恶化的问题。化学通式为(Ba1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3，0.01≤x≤0.12，0.02≤y≤0.08；方法：一、采用模板晶粒定向生长技术制备沿[001]c高度取向的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷；二、采用工程畴技术制备高电学性能的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷。应用于高灵敏度、高精确度的压电驱动器、压电传感器及超声换能器领域。
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公开(公告)号：CN107326432B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201710523918.8
申请日：2017-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B9/12 , C30B29/20 , C04B35/111
Abstract: 一种织构氧化铝陶瓷用的模板籽晶的制备方法和应用，本发明涉及模板籽晶的制备方法和应用。本发明要解决现有片状氧化铝微晶制备工艺中存在生产设备要求高、生产周期长、工艺复杂、微晶分散性差、粒径尺寸分布宽、径厚比小、形貌调控难及生产成本高的问题。方法：将含铝原料与熔盐混合，然后加入生长助剂，球磨，得到混合原料；将混合原料置于有盖的氧化铝坩埚中，煅烧，得到反应产物；将反应产物用热水搅拌清洗并采用超声波进行分散，烘干。应用于制备晶粒小且取向度高的织构氧化铝陶瓷、金属/陶瓷/高聚物复合材料增韧剂、热传导型聚合物填料、研磨抛光粉及颜料基材领域。
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公开(公告)号：CN113683409A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111004591.6
申请日：2021-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/187 , H01L41/37
Abstract: 具有优异温度稳定性的四方相A和B位共取代无铅压电织构陶瓷及其制备方法和应用，属于压铁电材料领域。解决现有技术下BT基陶瓷材料存在居里温度Tc降低和压电系数温度稳定性恶化的问题。该织构陶瓷的化学通式为(Ba1‑xCax)(Ti1‑yEy)O3，室温下为纯四方相的钙钛矿结构，沿[001]c或者[111]c择优取向度在90％以上。方法：一、制备前驱体基料；二、选取和称量模板籽晶；三、制备流延浆料；四、制备陶瓷生坯；五、制备四方相无铅织构陶瓷。应用：应用于在室温至100℃区间内保持稳定机电输出的电子器件。
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