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公开(公告)号:CN116715523B
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202310711939.8
申请日:2023-06-15
申请人: 西安交通大学
IPC分类号: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B41/88
摘要: 本发明属于压电陶瓷材料技术领域,具体涉及一种Mn掺杂PIN‑PSN‑PT硬性压电陶瓷及其制备方法,所述硬性压电陶瓷的组成通式为(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Sc1/2Nb1/2)O3‑yPbTiO3‑zMn,其中0.385≤x≤0.405、0.405≤y≤0.425、0.015≤z≤0.025。首先通过B位阳离子前驱体法合成ScNbO4、InNbO4前驱粉,再以ScNbO4、InNbO4、TiO2、锰源、铅源为原料,经过煅烧得到PIN‑PSN‑PT‑Mn粉体,最后经过研磨造粒、干压成型、排胶烧结、被银极化等工艺,得到所述硬性压电陶瓷。通过材料体系优化和相结构调控,有效削弱了压电材料各性能参数之间的相互制约关系,并将三方‑四方铁电相变温度控制在室温以下,在具备高Qm和高d33的同时,可以保持良好的温度稳定性,有望在共振式压电马达、压电变压器、超声波换能器等高功率压电器件领域得到广泛应用。
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公开(公告)号:CN118164758A
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202410286012.9
申请日:2024-03-13
申请人: 西安交通大学
IPC分类号: C04B35/499 , C04B35/493 , C04B35/622 , H10N30/853 , H10N30/097 , B28B1/29 , B28B1/40 , B28B3/00
摘要: 一种高性能管状织构陶瓷、制备方法及应用,所述高性能管状织构陶瓷为铌镁酸铅基管状织构陶瓷,其化学式为xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbZrO3‑zPbTiO3,其中,x=(0.00‑0.90),y=(0.00‑0.50),z=(0.10‑0.50);制备方法为:制备合适尺寸的片状Bi4Ti3O12模板;使用熔盐法以步骤1获得的Bi4Ti3O12模板作为前驱体制备片状BaTiO3模板;使用固相反应法制备PMN‑PZT基体粉;采用有机体系法制备流延浆料,得到用于卷绕圆管的膜带;织构陶瓷烧结;所述铌镁酸铅基织构压电陶瓷圆管用于圆管形换能器;本发明通过向基体粉中添加定向模板引导基体材料定向生长,能够提高材料取向性,从而提高材料特定方向压电性能。
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公开(公告)号:CN118026680A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202410169713.4
申请日:2024-02-06
申请人: 哈尔滨工业大学
IPC分类号: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B41/88
摘要: 具有低织构温度和高电学性能的弛豫铅基织构陶瓷材料及其制备方法和应用,涉及弛豫铅基织构陶瓷材料及其制备方法和应用。解决低Zr含量陶瓷织构温度高,取向晶粒呈现核壳结构,高Zr含量陶瓷难以高质量织构化,导致陶瓷高压电性能和低织构温度无法兼获。化学式(1‑x‑y)Pb(A,Nb)O3‑xPbZrO3‑yPbTiO3,850℃~1095℃制备,织构Zr含量可达50%以上,沿[001]c取向度>96%,晶粒错置度 1000pC/N,机电耦合系数>0.85。方法:母体细粉制备,流延叠层加压制备陶瓷生坯,织构陶瓷制备。用于多层压电器件中。
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公开(公告)号:CN116768626B
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202310180379.8
申请日:2023-02-28
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: C04B35/499 , C04B35/622
摘要: 本发明属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域,提供一种PbNb2O6基压电陶瓷材料及其制备方法,用以解决PbNb2O6基压电陶瓷难于烧结的问题。本发明压电陶瓷材料主体由PbNb2O6相构成,其分子式为:Pb0.97La0.02(Nb0.936‑xTi0.08Sn1.25x)2O6,x的取值范围为:0.00≤x≤0.10;该材料在Pb0.97La0.02(Nb0.936Ti0.08)2O6的基础上,通过Sn4+离子掺杂改性,使得PbNb2O6基压电陶瓷材料具有致密性好、居里温度高、介电损耗低等特点,为压电元器件向耐高温化、转化效率高化发展提供了一种有效解决方案;同时,该PbNb2O6基压电陶瓷材料的制备方法具有工艺简单、成本低等优点,利用工业化生产。
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公开(公告)号:CN117105663A
公开(公告)日:2023-11-24
申请号:CN202311132942.0
申请日:2023-09-03
申请人: 森霸传感科技股份有限公司
IPC分类号: C04B35/499 , C04B41/88 , C04B35/622
摘要: 本发明涉及介质陶瓷材料技术领域,且公开了一种低温烧结三元系固溶体介质陶瓷材料,其特征在于,包括PMN‑PSN‑PT介质陶瓷材料、低温烧结改性助剂以及改性稀土氧化物添加剂,所述PMN‑PSN‑PT介质陶瓷材料的化学结构式为xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPb(Sb1/3Nb2/3)O3‑zPbT iO3,其中0.9≤x≤1.0,0≤y≤0.1,0≤z≤0.1。该低温烧结三元系固溶体介质陶瓷材料及其制备方法,通过添加低温烧结改性助剂以及改性稀土氧化物添加剂,使得PMN‑PSN‑PT介质陶瓷材料断口致密,晶粒尺寸3‑5um,降低了烧结过程中PbO挥发造成的环境污染,有效地抑制了晶粒的生长。
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公开(公告)号:CN115254379B
公开(公告)日:2023-06-20
申请号:CN202210921814.3
申请日:2022-08-02
申请人: 浙江元集新材料有限公司
IPC分类号: B02C23/08 , B02C19/06 , C04B35/499 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/63 , C04B41/88
摘要: 本申请涉及磨机分级轮技术领域,具体公开了一种覆铜板粉料加工用流化床气流磨机的分级轮及其制备方法,覆铜板粉料加工用流化床气流磨机的分级轮,包括两个陶瓷圆环、固设在两个陶瓷圆环之间的多个陶瓷片,多个所述陶瓷片沿陶瓷圆环周向均匀分布,两个所述陶瓷圆环远离陶瓷片的端面分别固设有电极,两个所述陶瓷圆环、多个陶瓷片均采用陶瓷材料制备而成。陶瓷材料具有良好的致密性、压电常数、振动位移,表现出优良的综合性能。待分级轮使用时,其能够产生逆压电效应,将电能转换为机械能,不断的产生自我振动,有效降低陶瓷片表面出现物料黏附或堵塞的情况。
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公开(公告)号:CN114890790B
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202210383216.5
申请日:2022-04-13
申请人: 江苏省声学产业技术创新中心
IPC分类号: C04B35/499 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B35/645 , C04B41/88
摘要: 本发明公开了一种用于超声手术刀驱动器的环状织构压电陶瓷的制备方法,属于织构压电陶瓷材料制备技术领域。本发明解决现有超声手术刀驱动器用环状压电陶瓷压电性能差、机电耦合系数低、损耗大以及因加工缺陷导致使用寿命短等问题。本发明通过流延成型工艺制备含有高度定向排列的 、 或者 取向钛酸钡模板籽晶的压电陶瓷膜片,利用激光裁切技术实现膜片尺寸精确控制,再采用热压成型以及热等静压成型技术,使得陶瓷生坯成型过程中在各个方向均匀受压,大幅度提高压电陶瓷的致密度和尺寸精准可控性。本发明提供的制备方法可以在提高压电陶瓷压电性能和机电耦合性能的同时,兼顾高的高致密度和高的机械品质因数。
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公开(公告)号:CN115536388A
公开(公告)日:2022-12-30
申请号:CN202110726489.0
申请日:2021-06-29
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号: C04B35/493 , C04B35/499 , C04B35/50 , C04B35/472 , C04B35/457
摘要: 本发明涉及一种高熵陶瓷电介质材料及其制备方法。所述高熵陶瓷电介质材料的化学式为PbAO3,其中A选自Zr、Hf、Sn、Nb、Ti、Yb、Lu、Tm、Sc、Mg、W中的至少五种元素,每种元素的下标相等且和等于1。
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公开(公告)号:CN114436654B
公开(公告)日:2022-10-28
申请号:CN202210116189.5
申请日:2022-02-07
申请人: 哈尔滨工业大学
IPC分类号: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64
摘要: 具有高相变温度、优异抗疲劳性和高机电性能的弛豫铁电铅基陶瓷材料及制备方法和应用,涉及弛豫铁电铅基陶瓷材料及制备方法和应用。解决现有技术下弛豫铁电陶瓷材料存在相变温度较低、抗电学疲劳性能较差,无法兼顾高机电性能、高相变温度和优异抗疲劳性的问题,而且含Zr类弛豫铁电织构陶瓷制备过程中存在热动力学问题。弛豫铁电铅基陶瓷材料化学通式为(1‑x‑y)Pb(A,Nb)O3‑xPbZrO3‑yPbTiO3‑awt.%B。方法:一、纯钙钛矿相母体细粉制备;二、流延法制备陶瓷生坯;三、织构陶瓷材料制备。应用:应用于压电致动器、智能传感器、超声换能器和能量收集器。
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公开(公告)号:CN113929459B
公开(公告)日:2022-09-23
申请号:CN202111198142.X
申请日:2021-10-14
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号: C04B35/499 , C04B35/622 , H01G4/12
摘要: 本发明提供了用于低温共烧型陶瓷电容器的陶瓷材料及陶瓷电容器,所述陶瓷材料的结构为ABO3型钙钛矿结构,其中,A位元素包括Pb和微量元素,其中Pb在A位元素中占比>0.80;B位元素包括至少三种金属元素,每种金属元素在B位元素中占比<0.50。本发明技术方案的陶瓷材料的烧结温度不高于1073K,并能够符合电容器的特定电学指标要求。
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