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公开(公告)号：CN103639423A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310734341.7
申请日：2013-12-27
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 硅酸铝包覆银纳米核壳粒子及制备方法和用途。纳米Ag由于粒径小、比表面能高、表面活性点多而具有十分优异的杀菌效果。但将纳米Ag应用于防污、杀菌涂料时，与涂料的相容性是一个难以解决的问题。本发明方法包括：该方法包括三步：第一步采用乙二醇还原法制备纳米Ag粉体，第二步纳米Ag粉体的表面处理，第三步利用Al2(SO4)3和Na2SiO3的沉淀反应在纳米Ag表面包覆一层Al2(SiO3)3，得到硅酸铝包覆银纳米核壳粒子。本发明涉及一种硅酸铝包覆银纳米核壳粒子的制作方法，可用作硅酸铝绿色保温涂料添加剂，起到防污、杀菌等功能。
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公开(公告)号：CN102408820B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110216885.5
申请日：2011-07-29
申请人： 哈尔滨理工大学
IPC分类号： C09D167/02 , C09D7/12 , C08G63/20 , C08G63/672
摘要： 水溶性低接触角半无机硅钢片漆的制备方法，涉及一种硅钢片漆的制备方法。要解决现有的硅钢片漆制备方法中漆液粉体分散程度低，接触角大，漆膜的体积电阻较低的问题。方法：将二元酸、二元醇和三元醇加入反应釜中，升温后加入催化剂，升温保温；使反应体系降温，然后升温保温；使反应体系温度升温三次，再降温，加入多元酸保温；使温度降至室温，加入长链固化剂、中和剂和助溶剂，得有机相；将有机相、短链固化剂、无机相和助剂加入超声波反应釜，超声分散，出料，即得到半无机硅钢片漆。本发明增强了无机相的分散程度，降低了漆液的接触角，使涂覆后漆膜更加平整。应用于硅钢片漆的制备。
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公开(公告)号：CN102408820A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110216885.5
申请日：2011-07-29
申请人： 哈尔滨理工大学
IPC分类号： C09D167/02 , C09D7/12 , C08G63/20 , C08G63/672
摘要： 水溶性低接触角半无机硅钢片漆的制备方法，涉及一种硅钢片漆的制备方法。要解决现有的硅钢片漆制备方法中漆液粉体分散程度低，接触角大，漆膜的体积电阻较低的问题。方法：将二元酸、二元醇和三元醇加入反应釜中，升温后加入催化剂，升温保温；使反应体系降温，然后升温保温；使反应体系温度升温三次，再降温，加入多元酸保温；使温度降至室温，加入长链固化剂、中和剂和助溶剂，得有机相；将有机相、短链固化剂、无机相和助剂加入超声波反应釜，超声分散，出料，即得到半无机硅钢片漆。本发明增强了无机相的分散程度，降低了漆液的接触角，使涂覆后漆膜更加平整。应用于硅钢片漆的制备。
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公开(公告)号：CN102408419A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110228773.1
申请日：2011-08-10
申请人： 哈尔滨理工大学 , 广东超华科技股份有限公司
IPC分类号： C07D413/14 , C07D498/04 , C08G59/62 , C08K3/22 , C08K7/08 , B32B27/04
摘要： 苯并噁嗪树脂、其制备方法及以其为原料制成的无卤无磷阻燃覆铜板用浸渍胶，涉及一种苯并噁嗪树脂、其制备方法及以其为原料制成的无卤无磷阻燃覆铜板用浸渍胶。本发明要解决现有氮、硅、硼系阻燃环氧树脂的使用性能差、成本高，磷系阻燃剂易渗出有毒物质而污染环境的问题。苯并噁嗪树脂由甲醛、碱性调节剂、三聚氰胺、溶剂和二官能度酚类化合物制成。方法：取甲醛，用碱性调节剂调pH值，加入三聚氰胺搅拌，反应；加入二官能度酚类化合物和溶剂，升温，反应，得树脂液；将树脂液减压蒸馏，无水脱出时停止减压，即得到苯并噁嗪树脂。本发明苯并噁嗪树脂具有高的含氮量，可提高树脂的阻燃性；不含磷，不会对环境造成污染。用于阻燃产品的制备。
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公开(公告)号：CN111454644B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010260466.0
申请日：2020-04-03
申请人： 哈尔滨理工大学
IPC分类号： C09D163/02 , C09D5/08 , C08G59/44
摘要： 基于库伦阻塞作用的防腐涂料的制备方法，涉及一种防腐涂料的制备方法。是要解决现有防腐涂料的防腐效果差的技术问题。方法：一、将氯化锰、五价金属醇盐和络合剂加入蒸馏水中溶解，反应制得溶胶；水热反应，烘干得粉体；二、粉体加入水溶性聚合物，烘干，煅烧，得表面包碳的纳米填料；三、将环氧树脂溶于醋酸丁酯中，再加入表面包碳的纳米填料，分散得A组份；将低分子聚酰胺树脂溶于醋酸丁酯中，再加入氧化石墨烯，分散得B组份；将A组份和B组份混合，喷涂成膜。本方法制备的防腐涂料同时实现了隔断氧气和水的物理隔绝防腐和隔断电子通路的电化学防腐，因此涂料的防腐性能优异。本发明应用于防腐涂料领域。
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公开(公告)号：CN111171379B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010038009.7
申请日：2020-01-14
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 球状Ag@T‑ZnOw粉体的制备方法以及制备高介电聚合物复合薄膜的方法和应用，涉及一种球状复合粉体的制备方法及其应用。本发明要解决球状纳米银作为增强相因无法产生量子遂穿效应导致很难满足现代微电容器和传感器对介电性能的需求的技术问题。本发明以硝酸银、聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇为原料制备球状Ag然后加入四针状氧化锌，反应后洗涤、离心、烘干得到球状Ag@T‑ZnOw粉体。采用铺膜和压片制备介电聚合物复合薄膜。本发明球状Ag@T‑ZnOw粉体可发生量子遂穿效应，具有优良的电学性能，加入聚合物基体后，可以制备传感器，微电容器等器件，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111171379A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010038009.7
申请日：2020-01-14
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 球状Ag@T-ZnOw粉体的制备方法以及制备高介电聚合物复合薄膜的方法和应用，涉及一种球状复合粉体的制备方法及其应用。本发明要解决球状纳米银作为增强相因无法产生量子遂穿效应导致很难满足现代微电容器和传感器对介电性能的需求的技术问题。本发明以硝酸银、聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇为原料制备球状Ag然后加入四针状氧化锌，反应后洗涤、离心、烘干得到球状Ag@T-ZnOw粉体。采用铺膜和压片制备介电聚合物复合薄膜。本发明球状Ag@T-ZnOw粉体可发生量子遂穿效应，具有优良的电学性能，加入聚合物基体后，可以制备传感器，微电容器等器件，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105506862B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610062719.7
申请日：2016-01-29
申请人： 哈尔滨理工大学
IPC分类号： D04H1/728 , D04H1/4374 , D04H1/435
摘要： 本发明涉及一种三明治型麦饭石/聚合物复合薄膜的制备方法。传统的隔离型薄膜是有的是通过铺膜机进行制得，制得空隙不够自然化，几乎不存在空间空隙，空隙单一，相互应力不均，薄膜的厚度比较厚，透气性差，有的是使用纺丝技术制得，但是为了能更好的隔离粉尘，大都选择制备空隙很小的薄膜进行隔离处理，导致气流通透性差，透过率低，应用领域不够广泛。本发明包括如下步骤：首先是分别配制聚乳酸与麦饭石纺丝溶液，将制得的溶液通过静电纺丝原理，使纺丝针管中的聚乳酸溶液、麦饭石纺丝溶液在高压电场作用下脱离针头，在接收屏之间形成一条聚乳酸细丝、麦饭石的细丝，形成无规则电纺薄膜。本发明用于三明治型麦饭石/聚合物复合薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN107298931A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710630899.9
申请日：2017-07-28
申请人： 哈尔滨理工大学 , 河南华洋铜业集团有限公司
IPC分类号： C09D175/02 , C09D5/25 , C08G18/40 , C08G18/50 , C08G18/58
摘要： 潜水电机铜导体及漆包铜导体用防水涂料的制备方法及应用，涉及一种防水涂料的制备方法及应用。是要解决现有漆包线表面需要增加一层较厚的隔水层以提高耐水能力，造成电机尺寸增大的问题。方法：一、向端氨基聚醚树脂中加入环氧树脂，反应制得A组份；二、在室温下，将端氨基聚醚和其他二元胺类物质混合，制得B组份；三、将异氰酸酯HDI三聚体、TDI、MDI-50和MDI混合，得到C组份；四、将A组份、B组份和C组份共混，即得。防水涂料的厚度仅为0.05-0.15mm，在此范围内即可实现防水和绝缘，绝缘强度高，击穿场强为110～130kV/mm，体积电阻率为3e14～6e14Ω·m。本发明用于防水涂料领域。
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公开(公告)号：CN104553199B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510022447.3
申请日：2015-01-16
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。传统聚偏氟乙烯是一种热塑性聚合物，有限的介电常数满足不了现代嵌入式电容器和半导体存储器件对材料高介电性能的要求，钛酸钡作为高介电常数的铁电陶瓷广泛应用于聚合物中改善聚合物的介电性能；但是掺杂量较高时，随着复合材料的介电性能的提高时其力学性能也急剧下降，达不到高容量电器元件对聚合物介电性能和力学性能的要求。一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜，其组成是：纯聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层（2）的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（3），所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（1）。本发明应用于三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。
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