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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104553199A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510022447.3
申请日：2015-01-16
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: B32B27/06 , B32B27/18 , B32B27/304 , B32B37/02 , B32B37/06 , C08K3/24 , C08K9/04 , C08L27/16
Abstract: 一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。传统聚偏氟乙烯是一种热塑性聚合物，有限的介电常数满足不了现代嵌入式电容器和半导体存储器件对材料高介电性能的要求，钛酸钡作为高介电常数的铁电陶瓷广泛应用于聚合物中改善聚合物的介电性能；但是掺杂量较高时，随着复合材料的介电性能的提高时其力学性能也急剧下降，达不到高容量电器元件对聚合物介电性能和力学性能的要求。一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜，其组成是：纯聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层（2）的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（3），所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（1）。本发明应用于三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN105235343B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510710127.7
申请日：2015-10-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。近年来，高介电常数和低介电损耗的介电功能材料由于其在电子行业和能源储存方面的广泛应用而得到了巨大的关注。一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层（1）、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层（2），其特征是：所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置。本发明应用于高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。
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公开(公告)号：CN105235343A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510710127.7
申请日：2015-10-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。近年来，高介电常数和低介电损耗的介电功能材料由于其在电子行业和能源储存方面的广泛应用而得到了巨大的关注。一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层（1）、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层（2），其特征是：所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置。本发明应用于高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。
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公开(公告)号：CN104553199B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510022447.3
申请日：2015-01-16
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。传统聚偏氟乙烯是一种热塑性聚合物，有限的介电常数满足不了现代嵌入式电容器和半导体存储器件对材料高介电性能的要求，钛酸钡作为高介电常数的铁电陶瓷广泛应用于聚合物中改善聚合物的介电性能；但是掺杂量较高时，随着复合材料的介电性能的提高时其力学性能也急剧下降，达不到高容量电器元件对聚合物介电性能和力学性能的要求。一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜，其组成是：纯聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层（2）的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（3），所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（1）。本发明应用于三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN205528553U
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201620048776.5
申请日：2016-01-19
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本实用新型涉及一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。近年来，高介电常数和低介电损耗的介电功能材料由于其在电子行业和能源储存方面的广泛应用而得到了巨大的关注。一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层（1）、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层（2），其特征是：所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置。本实用新型应用于高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。
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