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公开(公告)号：CN104553199B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510022447.3
申请日：2015-01-16
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。传统聚偏氟乙烯是一种热塑性聚合物，有限的介电常数满足不了现代嵌入式电容器和半导体存储器件对材料高介电性能的要求，钛酸钡作为高介电常数的铁电陶瓷广泛应用于聚合物中改善聚合物的介电性能；但是掺杂量较高时，随着复合材料的介电性能的提高时其力学性能也急剧下降，达不到高容量电器元件对聚合物介电性能和力学性能的要求。一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜，其组成是：纯聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层（2）的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（3），所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（1）。本发明应用于三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103639423B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310734341.7
申请日：2013-12-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 硅酸铝包覆银纳米核壳粒子及制备方法和用途。纳米Ag由于粒径小、比表面能高、表面活性点多而具有十分优异的杀菌效果。但将纳米Ag应用于防污、杀菌涂料时，与涂料的相容性是一个难以解决的问题。本发明方法包括：该方法包括三步：第一步采用乙二醇还原法制备纳米Ag粉体，第二步纳米Ag粉体的表面处理，第三步利用Al2(SO4)3和Na2SiO3的沉淀反应在纳米Ag表面包覆一层Al2(SiO3)3，得到硅酸铝包覆银纳米核壳粒子。本发明涉及一种硅酸铝包覆银纳米核壳粒子的制作方法，可用作硅酸铝绿色保温涂料添加剂，起到防污、杀菌等功能。
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公开(公告)号：CN104553199A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510022447.3
申请日：2015-01-16
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: B32B27/06 , B32B27/18 , B32B27/304 , B32B37/02 , B32B37/06 , C08K3/24 , C08K9/04 , C08L27/16
Abstract: 一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。传统聚偏氟乙烯是一种热塑性聚合物，有限的介电常数满足不了现代嵌入式电容器和半导体存储器件对材料高介电性能的要求，钛酸钡作为高介电常数的铁电陶瓷广泛应用于聚合物中改善聚合物的介电性能；但是掺杂量较高时，随着复合材料的介电性能的提高时其力学性能也急剧下降，达不到高容量电器元件对聚合物介电性能和力学性能的要求。一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜，其组成是：纯聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层（2）的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（3），所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（1）。本发明应用于三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN103639423A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310734341.7
申请日：2013-12-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 硅酸铝包覆银纳米核壳粒子及制备方法和用途。纳米Ag由于粒径小、比表面能高、表面活性点多而具有十分优异的杀菌效果。但将纳米Ag应用于防污、杀菌涂料时，与涂料的相容性是一个难以解决的问题。本发明方法包括：该方法包括三步：第一步采用乙二醇还原法制备纳米Ag粉体，第二步纳米Ag粉体的表面处理，第三步利用Al2(SO4)3和Na2SiO3的沉淀反应在纳米Ag表面包覆一层Al2(SiO3)3，得到硅酸铝包覆银纳米核壳粒子。本发明涉及一种硅酸铝包覆银纳米核壳粒子的制作方法，可用作硅酸铝绿色保温涂料添加剂，起到防污、杀菌等功能。
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公开(公告)号：CN204522827U
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201520231043.0
申请日：2015-04-16
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B01F7/16
Abstract: 一种多功能搅拌器，涉及一种搅拌器。本实用新型的目的是为了解决目前搅拌器搅拌不均匀，需要循环搅拌，耗费大量的工时，影响生产进度的技术问题。本实用新型由一组横杆、多组矩形搅拌片、U形桨叶、多组搅拌件、搅拌桶盖和转动轴组成；一组横杆分别设置在转动轴的上部两侧并且与转动轴垂直，一组横杆上垂直设置多组搅拌件，U形桨叶与转动轴相连接并且U形桨叶与转动轴在同一平面上，多组矩形搅拌片分别设置在转动轴的两侧并且多组矩形搅拌片的两端分别接连于U形桨叶和转动轴上。本实用新型的优点：本实用新型的结构简单，可使混料更加均匀，质量更好；物料比例和温度就能够更准确的掌握和控制，达到了使用方便的目的。
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公开(公告)号：CN204303756U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201520030683.5
申请日：2015-01-16
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L21/312 , H01G4/18 , B32B27/32 , B32B27/08
Abstract: 涉及一种聚偏氟乙烯高介电膜。对于聚偏氟乙烯是聚合物，介电常数有限满足不了现在高存储器件的要求，钛酸钡作为高介电常数的铁电陶瓷广泛应用于聚合物中来改善聚合物的介电性能；但是掺杂量较高时，聚合物的介电性能提升不多但是力学性能显著下降，达不到高容量电器元件对聚合物介电性能和力学性能的要求。一种聚偏氟乙烯高介电膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层（2），所述的纯聚偏氟乙烯层的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（3），所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（1）。本实用新型应用于聚偏氟乙烯高介电膜。
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