-
公开(公告)号：CN102344126A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110167404.6
申请日：2011-06-21
申请人： 四川大学
IPC分类号： C01B25/08
摘要： 一种磷硅镉多晶体的合成方法，以高纯度的磷、硅、镉为原料，配料的摩尔比为硅∶镉∶磷＝1∶1∶2，并适当富磷。工艺步骤如下：(1)合成容器的清洗与干燥；(2)装料；(3)采用两区域适时温度监控、低温气相输运分离原料和高温熔体机械与温度振荡相结合的方法进行合成，合成结束后用梯度冷却方式抑制产物分解。所述合成容器由内层坩埚和外层坩埚组合而成，内层坩埚的工作状态为两端封闭的石英管，其两封闭端端部均设置有支撑杆，外层坩埚的工作状态为两端均由支撑套封闭的石英管，内层坩埚位于外层坩埚内，其两封闭端端部设置的支撑杆分别插入外层坩埚两端的支撑套，内层坩埚的外壁与外层坩埚的内壁围成环形气室。
-
公开(公告)号：CN101486231B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910058228.5
申请日：2009-01-22
申请人： 四川大学
IPC分类号： B28D5/00
摘要： 一种黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法，步骤包括：(1)根据黄铜矿类负单轴晶体解理面{112}和{101}，利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和X射线衍射仪θ-2θ连续扫描确定晶体的C轴方向；(2)将已确定C轴方向的晶体置于切割机上，根据光学元件所需的相位匹配角θm朝远C轴方向转动样品台Δθ后进行切割，获得光学元件初样，Δθ＝θm-θ(112)；(3)将光学元件初样置于X射线衍射仪样品台上，测定光学元件初样切割面的回摆谱，获得衍射峰位值θ′及Δθ′，Δθ′＝|θ′-θ′(112)|；(4)光学元件的精加工，对光学元件初样切割面进行修正，直至Δθ′＝Δθ。
-
公开(公告)号：CN101311332A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810044561.6
申请日：2008-04-10
申请人： 四川大学
摘要： 一种结晶区温度梯度调节器，由保温隔热材料制作的座板和保温隔热材料制作的动板组成，动板放置在座板所设置的凹槽中，其与凹槽为动配合。一种坩埚下降法单晶生长装置，包括上端封闭、下端开口的整体式炉体，安装在炉体上的加热器，安装安瓿的坩埚套，放置坩埚套的坩埚托，与坩埚托连接的升降旋转驱动机构，安装在炉膛结晶区B的上述结构结晶区温度梯度调节器；结晶区温度梯度调节器的座板固定在炉体上，旋转放置在座板凹槽中的动板，便可调节座板凹槽环面上调温孔I和动板环面上调温孔II的重合面积，从而调节从高温A区向低温C区辐射和传导的热流量，使结晶区B温度梯度可在大范围内调整，易于获得窄温区、大温梯的温场分布。
-
公开(公告)号：CN101122045A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710049049.6
申请日：2007-05-09
申请人： 四川大学
IPC分类号： C30B11/00
摘要： 一种多元化合物半导体单晶的制备方法，工艺步骤为：①清洁坩埚，②装料并除气封结，③晶体生长，④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉，它可以灵活根据多元化合物的结晶习性，实现对结晶温度梯度区的温场调节，获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布，维持固－液界面的稳定，实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置，采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
-
公开(公告)号：CN1962933A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610022096.7
申请日：2006-10-23
申请人： 四川大学
摘要： 一种晶体生长的石英坩埚镀碳膜方法，工艺步骤为石英坩埚的处理、装炉、加热、镀膜、膜层退火。石英坩埚的处理包括清洗与烘干，装炉是将清洗并烘干后的石英坩埚与组成镀膜装置的部件进行组装，加热是将装有石英坩埚的沉淀室加热至1000℃～1060℃，然后在该温度保温并向石英坩埚和沉淀室内通高纯惰性气体排除残余空气，镀膜是通惰性气体结束后，继续在1000℃～1060℃保温，并在此温度向石英坩埚内通甲烷气体，使石英坩埚内壁上沉积符合要求厚度的碳膜，镀膜结束后，继续在1000℃～1060℃保温40分钟～60分钟，然后缓慢冷却至室温。镀碳膜装置包括加热炉、放置被镀膜石英坩埚的沉淀室和供气控制器。
-
公开(公告)号：CN115928207B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211440328.6
申请日：2022-11-17
申请人： 四川大学
摘要： 本发明公开了一种硒锂化合物多晶材料的合成方法，该方法以硒锂化合物化学式中各元素的高纯度单质为原料，工艺步骤：(Ⅰ)合成容器的清洗与干燥；(Ⅱ)装料，将单质Se、Ag(In)、Ga或单质Se、Ga依次放入PBN坩埚的封闭端，再在氩气气氛中将单质Li放入PBN坩埚的封闭端；(Ⅲ)多晶体的合成，在可倾斜和转动的两区域加热管式炉中进行，两区域加热管式炉倾斜放置，前炉位于高端，后炉位于低端，靠前炉的温区为第一温区Ⅰ，靠后炉的温区为第二温区Ⅱ，合成容器装有原料的一端位于第二温区Ⅱ，未装原料的一端位于第一温区Ⅰ。使用本发明所述合成容器和方法，在保证合成安全性的条件下可得到单相的硒锂化合物多晶材料。
-
公开(公告)号：CN115928207A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211440328.6
申请日：2022-11-17
申请人： 四川大学
摘要： 本发明公开了一种硒锂化合物多晶材料的合成方法，该方法以硒锂化合物化学式中各元素的高纯度单质为原料，工艺步骤：(Ⅰ)合成容器的清洗与干燥；(Ⅱ)装料，将单质Se、Ag(In)、Ga或单质Se、Ga依次放入PBN坩埚的封闭端，再在氩气气氛中将单质Li放入PBN坩埚的封闭端；(Ⅲ)多晶体的合成，在可倾斜和转动的两区域加热管式炉中进行，两区域加热管式炉倾斜放置，前炉位于高端，后炉位于低端，靠前炉的温区为第一温区Ⅰ，靠后炉的温区为第二温区Ⅱ，合成容器装有原料的一端位于第二温区Ⅱ，未装原料的一端位于第一温区Ⅰ。使用本发明所述合成容器和方法，在保证合成安全性的条件下可得到单相的硒锂化合物多晶材料。
-
公开(公告)号：CN102344126B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110167404.6
申请日：2011-06-21
申请人： 四川大学
IPC分类号： C01B25/08
摘要： 一种磷硅镉多晶体的合成方法，以高纯度的磷、硅、镉为原料，配料的摩尔比为硅∶镉∶磷＝1∶1∶2，并适当富磷。工艺步骤如下：(1)合成容器的清洗与干燥；(2)装料；(3)采用两区域适时温度监控、低温气相输运分离原料和高温熔体机械与温度振荡相结合的方法进行合成，合成结束后用梯度冷却方式抑制产物分解。所述合成容器由内层坩埚和外层坩埚组合而成，内层坩埚的工作状态为两端封闭的石英管，其两封闭端端部均设置有支撑杆，外层坩埚的工作状态为两端均由支撑套封闭的石英管，内层坩埚位于外层坩埚内，其两封闭端端部设置的支撑杆分别插入外层坩埚两端的支撑套，内层坩埚的外壁与外层坩埚的内壁围成环形气室。
-
公开(公告)号：CN101659004A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910164398.1
申请日：2009-09-11
申请人： 四川大学
IPC分类号： B23P17/04
摘要： 一种铜单晶的定向方法，步骤如下：(1)将铜单晶锭放入质量浓度35～45％的硝酸中浸蚀，浸蚀时间以铜单晶锭表面出现至少一组取向一致的反光面为限，以一组反光面为参考面，在铜单晶锭上磨出一个平行于所述参考面的平面，定义该平面为初平面；(2)用X射线衍射仪对铜单晶锭上的初平面进行X射线衍射θ-2θ联动扫描分析，将其X射线衍射谱图中最强峰对应的晶面指数(hkl)确定为定向晶面的晶面指数；(3)采用X射线衍射回摆法对铜单晶锭上的初平面进行修正，获法线平行于定向晶面(hkl)法线的最终修正面；(4)将所述最终修正面通过研磨与物理化学抛光去除表面的扰乱原子层，即获得准确定向的铜单晶晶面(hkl)。
-
公开(公告)号：CN101486232A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910058229.X
申请日：2009-01-22
申请人： 四川大学
IPC分类号： B28D5/00
摘要： 一种黄铜矿类正单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法，步骤包括：(1)根据黄铜矿类正单轴晶体解理面{101}和{112}，利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和X射线衍射仪θ－2θ连续扫描确定晶体的C轴方向；(2)将已确定C轴方向的晶体置于切割机上，根据光学元件所需的相位匹配角θm朝近C轴方向转动样品台Δθ后进行切割，获得光学元件初样，Δθ＝θ(101)－θm；(3)将光学元件初样置于X射线衍射仪样品台上，测定光学元件初样切割面的回摆谱，获得衍射峰位值θ′及Δθ′，Δθ′＝|θ′－θ′(101)|；(4)光学元件的精加工，对光学元件初样切割面进行修正，直至Δθ′＝Δθ。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
37 条记录 (耗时 0.024 秒)
