-
公开(公告)号：CN102344126B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110167404.6
申请日：2011-06-21
申请人： 四川大学
IPC分类号： C01B25/08
摘要： 一种磷硅镉多晶体的合成方法，以高纯度的磷、硅、镉为原料，配料的摩尔比为硅∶镉∶磷＝1∶1∶2，并适当富磷。工艺步骤如下：(1)合成容器的清洗与干燥；(2)装料；(3)采用两区域适时温度监控、低温气相输运分离原料和高温熔体机械与温度振荡相结合的方法进行合成，合成结束后用梯度冷却方式抑制产物分解。所述合成容器由内层坩埚和外层坩埚组合而成，内层坩埚的工作状态为两端封闭的石英管，其两封闭端端部均设置有支撑杆，外层坩埚的工作状态为两端均由支撑套封闭的石英管，内层坩埚位于外层坩埚内，其两封闭端端部设置的支撑杆分别插入外层坩埚两端的支撑套，内层坩埚的外壁与外层坩埚的内壁围成环形气室。
-
公开(公告)号：CN102899714B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210360981.1
申请日：2012-09-25
申请人： 四川大学
摘要： 一种磷硅镉单晶体的制备方法，以富磷CdSiP2多晶粉末为原料，工艺步骤为：（1）生长容器的清洗与干燥；（2）装料；（3）将装有生长原料并封结的双层坩埚放入三温区管式晶体生长炉，然后将生长炉的高温区和低温区以30~60℃/h的速率分别升温至1150~1180℃、950~1050℃，并保持该温度，继后调节梯度区的温度，使温度梯度为10~20℃/cm，当所述生长原料在高温区保温12~36h后，控制双层坩埚以3~6mm/day匀速下降，当双层坩埚下降到低温区并完成单晶生长后，使其停止下降，在低温区保温24~72h，保温时间届满，将高温区、梯度温区、低温区的温度同时以20~60℃/h降至室温。一种单晶体生长容器，由内层坩埚和外层坩埚组成，内层坩埚与外层坩埚之间的环形腔室内加有调压用CdSiP2多晶粉末。
-
公开(公告)号：CN102899714A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210360981.1
申请日：2012-09-25
申请人： 四川大学
摘要： 一种磷硅镉单晶体的制备方法，以富磷CdSiP2多晶粉末为原料，工艺步骤为：（1）生长容器的清洗与干燥；（2）装料；（3）将装有生长原料并封结的双层坩埚放入三温区管式晶体生长炉，然后将生长炉的高温区和低温区以30~60℃/h的速率分别升温至1150~1180℃、950~1050℃，并保持该温度，继后调节梯度区的温度，使温度梯度为10~20℃/cm，当所述生长原料在高温区保温12~36h后，控制双层坩埚以3~6mm/day匀速下降，当双层坩埚下降到低温区并完成单晶生长后，使其停止下降，在低温区保温24~72h，保温时间届满，将高温区、梯度温区、低温区的温度同时以20~60℃/h降至室温。一种单晶体生长容器，由内层坩埚和外层坩埚组成，内层坩埚与外层坩埚之间的环形腔室内加有调压用CdSiP2多晶粉末。
-
公开(公告)号：CN102344126A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110167404.6
申请日：2011-06-21
申请人： 四川大学
IPC分类号： C01B25/08
摘要： 一种磷硅镉多晶体的合成方法，以高纯度的磷、硅、镉为原料，配料的摩尔比为硅∶镉∶磷＝1∶1∶2，并适当富磷。工艺步骤如下：(1)合成容器的清洗与干燥；(2)装料；(3)采用两区域适时温度监控、低温气相输运分离原料和高温熔体机械与温度振荡相结合的方法进行合成，合成结束后用梯度冷却方式抑制产物分解。所述合成容器由内层坩埚和外层坩埚组合而成，内层坩埚的工作状态为两端封闭的石英管，其两封闭端端部均设置有支撑杆，外层坩埚的工作状态为两端均由支撑套封闭的石英管，内层坩埚位于外层坩埚内，其两封闭端端部设置的支撑杆分别插入外层坩埚两端的支撑套，内层坩埚的外壁与外层坩埚的内壁围成环形气室。
-
公开(公告)号：CN202849591U
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201220493905.3
申请日：2012-09-25
申请人： 四川大学
IPC分类号： C30B25/00
摘要： 一种用于单晶生长的石英防爆容器，由内层坩埚和外层坩埚组成；内层坩埚为内壁镀有碳膜的石英管，其初始状态由单晶生长段和分别位于单晶生长段两端的进料段、籽晶淘汰段组成，进料段的端部为进料口，单晶生长段的外壁设置有定位突起，籽晶淘汰段的端部封闭且连接有导热杆；外层坩埚的初始状态为一端开口、一端封闭的石英管，所述石英管分为主体部段和籽晶袋与导热杆放置段；内层坩埚装于外层坩埚内，内层坩埚的单晶生长段位于外层坩埚的主体部段，内层坩埚的籽晶淘汰段及与籽晶淘汰段端部连接的导热杆位于外层坩埚的籽晶袋与导热杆放置段，内层坩埚的外壁与外层坩埚的内壁围成环形腔室。
-
公开(公告)号：CN202107793U
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201120210437.X
申请日：2011-06-21
申请人： 四川大学
IPC分类号： C30B25/00
摘要： 一种可调压合成容器，由内层坩埚和外层坩埚组合而成，内层坩埚的初始状态为一端开口、一端封闭的石英管，其封闭端端部设置有支撑杆，外层坩埚的初始状态为一端开口、一端由支撑套封闭的石英管，其内径大于内层坩埚的外径，其长度大于内层坩埚的长度，其支撑套的内径和长度与内层坩埚设置的支撑杆相匹配，内层坩埚的工作状态为两端封闭的石英管，其两封闭端端部均设置有支撑杆，外层坩埚的工作状态为两端均由支撑套封闭的石英管，内层坩埚位于外层坩埚内，其两封闭端端部设置的支撑杆分别插入外层坩埚两端的支撑套，内层坩埚的外壁与外层坩埚的内壁围成环形气室。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.02 秒)
