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公开(公告)号：CN114341104A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080059299.1
申请日：2020-08-17
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC: C07C311/48 , C07C211/64 , H01B1/12
Abstract: 本公开的新型掺杂物包含下述式(1)所示的阴离子和抗衡阳离子。在该式(1)中，R1和R2可以为选自硝基、氰基、酰基、羧基、烷氧基羰基、卤代烷基、磺基、烷基磺酰基、卤代磺酰基、卤代烷基磺酰基中的至少一种基团，或者也可以为R1与R2彼此键合而形成的基团[‑SO2‑L‑SO2‑](式中，L表示卤代亚烷基)。该抗衡阳离子也可以为下述式(2)所示的自由基阳离子。(式中，R1和R2为任选地彼此键合而形成杂环的吸电子性基团，R3～R5表示氢原子氢原子、任选地具有取代基的烃基或任选地具有取代基的杂环基)。该掺杂物能形成显现高传导率的导电性组合物。
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公开(公告)号：CN109478595A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780038047.9
申请日：2017-06-23
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L51/30 , C07D471/22 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 本发明提供一种具备含有由特定式表示的化合物的有机半导体膜的有机薄膜晶体管、能够优选使用于该有机薄膜晶体管的有机半导体膜、化合物及有机薄膜晶体管用组合物、以及包括将上述有机薄膜晶体管用组合物涂布于基板上而形成有机半导体膜的工序的有机薄膜晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN107210365A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680008803.9
申请日：2016-02-03
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L51/30 , C07D495/14 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 本发明的目的在于提供高迁移率的有机半导体元件、能够形成高迁移率的有机半导体膜的有机半导体膜形成用组合物、以及由上述有机半导体膜形成用组合物形成的有机半导体元件的制造方法和有机半导体膜的制造方法。本发明的有机半导体元件的特征在于，其具有半导体活性层，该半导体活性层包含由式1表示且分子量为3,000以下的化合物。本发明的有机半导体膜形成用组合物的特征在于，其含有由式1表示且分子量为3,000以下的化合物、以及溶剂。
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公开(公告)号：CN114341104B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202080059299.1
申请日：2020-08-17
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC: C07C311/48 , C07C211/64 , H01B1/12
Abstract: 本公开的新型掺杂物包含下述式(1)所示的阴离子和抗衡阳离子。在该式(1)中，R1和R2可以为选自硝基、氰基、酰基、羧基、烷氧基羰基、卤代烷基、磺基、烷基磺酰基、卤代磺酰基、卤代烷基磺酰基中的至少一种基团，或者也可以为R1与R2彼此键合而形成的基团[‑SO2‑L‑SO2‑](式中，L表示卤代亚烷基)。该抗衡阳离子也可以为下述式(2)所示的自由基阳离子。(式中，R1和R2为任选地彼此键合而形成杂环的吸电子性基团，R3～R5表示氢原子氢原子、任选地具有取代基的烃基或任选地具有取代基的杂环基)。该掺杂物能形成显现高传导率的导电性组合物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115461415B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202180031352.1
申请日：2021-04-27
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC: C08L101/12 , H01B1/12
Abstract: 本申请提供一种具有高导电性的导体材料。本公开的导体材料具有将掺杂剂掺杂进在侧链具有含杂原子的电子供给性基团的共轭高分子化合物而成的构成，该掺杂剂包含选自氮阴离子、硼阴离子、磷阴离子、以及锑阴离子中的阴离子和抗衡阳离子。作为所述阴离子，优选下述式(1)所示的阴离子。下述式(1)中，R1、R2相同或不同，表示电子吸引性基团。R1、R2任选地彼此键合而与邻接的氮原子共同形成环。#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109478595B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN201780038047.9
申请日：2017-06-23
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H10K85/60 , H10K71/00 , H10K10/46 , C07D471/22 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种具备含有由特定式表示的化合物的有机半导体膜的有机薄膜晶体管、能够优选使用于该有机薄膜晶体管的有机半导体膜、化合物及有机薄膜晶体管用组合物、以及包括将上述有机薄膜晶体管用组合物涂布于基板上而形成有机半导体膜的工序的有机薄膜晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN106104833A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580014491.8
申请日：2015-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L51/30 , C07D493/14 , C07D495/14 , C07D497/14 , C07D513/14 , C07D517/14 , C07D519/00 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D493/14 , C07D495/14 , C07D497/14 , C07D513/14 , C07D517/14 , C07D519/00 , C09B57/00 , C09D5/24 , H01L51/0003 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR5；Y和Z为CR6、氧、硫、硒、氮原子或NR7；含有Y和Z的环为芳香族杂环；R1和R2中的任意一个与含有Y和Z的芳香族杂环、或者、R3和R4中的任意一个与苯环可以经由特定的二价连接基团而键合；R1、R2、R5～R8为氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基；R3和R4为烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基；m和n为0～2的整数)，该有机晶体管的载流子迁移率高。本发明提供化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、非发光性有机半导体器件用涂布液、有机晶体管的制造方法、有机半导体膜的制造方法、非发光性有机半导体器件用有机半导体膜、有机半导体材料的合成方法。
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公开(公告)号：CN113728449B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202080030609.7
申请日：2020-04-21
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种即使在低温条件下也能够制造载流子迁移率优异的有机薄膜晶体管的组合物。本发明的组合物含有下述式(1)所表示的化合物和下述式(S1)所表示的醇。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115397803B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202180028713.7
申请日：2021-04-15
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC: C07C211/56 , C08G61/12 , H01B1/12
Abstract: 本发明提供一种能形成具有高导电性的导体材料的掺杂剂。本公开涉及一种包含下述式(1)所示的自由基阳离子和抗衡阴离子的掺杂剂。下述式(1)中，R1～R3相同或不同，表示一价芳香族基团或下述式(r)所示的基团。需要说明的是，R1～R3中的至少一个为下述式(r)所示的基团。n表示自由基阳离子的价数，等于式中的氮原子的个数(n)。下述式(r)中，Ar1、Ar2、Ar3相同或不同，表示二价芳香族基团，Ar4、Ar5、Ar6、Ar7相同或不同，表示任选地具有下述式(sb)所示的取代基的一价芳香族基团。m、n相同或不同，表示0以上的整数。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116057058A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180054043.6
申请日：2021-09-01
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC: C07D471/22
Abstract: 本发明提供一种能够通过印刷工艺形成体现高电荷迁移率的有机半导体的化合物。本公开的化合物如下述式(1)所示。下述式(1)中，X1、X2相同或不同，表示‑O‑、‑NR1‑或‑PR2‑。Y1、Y2相同或不同，表示氧原子或硫原子。Z1～Z8相同或不同，表示＝N‑或＝CR3‑。所述R1、R2、R3相同或不同，表示氢原子或有机基团。n表示0以上的整数。
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