公开(公告)号：CN112838127B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202011135257.X

申请日：2020-10-21

Applicant: 堺显示器制品株式会社

Inventor： 大田裕之

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

Abstract: 公开一种薄膜晶体管、图像显示面板以及薄膜晶体管的制造方法，一实施方式的薄膜晶体管包括：栅极；半导体层，其使用非晶硅形成，且包括在俯视观察时与栅极重叠的区域；栅极绝缘膜，其介于栅极与半导体层之间；以及源极和漏极，其以具有预定间隔且彼此相对的方式配置，栅极包括第一层及第二层，第一层具有第一功函数，第二层具有第二功函数并介于第一层与栅极绝缘膜之间，半导体层包括本征区域及低浓度杂质区域，本征区域由非掺杂的非晶硅构成，低浓度杂质区域以规定的低浓度包含杂质并与栅极绝缘膜分开地形成，当杂质为n型杂质时，第二功函数比第一功函数小，当杂质为p型杂质时，第二功函数比第一功函数大。

公开(公告)号：CN112823423A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201880098486.3

申请日：2018-10-11

Applicant: 堺显示器制品株式会社

Inventor： 大田裕之

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

Abstract: 薄膜晶体管(101)具备：栅电极(2)；栅极绝缘层(3)；半导体层(4)，包括非晶质半导体层(4a)和配置在非晶质半导体层(4a)的一部分上的结晶质半导体层(4c)，具有包括结晶质半导体层(4c)和非晶质半导体层(4a)的一部分的活性区域(Rc)；以及分别包括位于活性区域(Rc)的两侧的第一和第二非晶质部分(A1、A2)的第一和第二半导体区域(Rs、Rd)；保护绝缘层(5)；配置在半导体层(4)和保护绝缘层(5)上的第一和第二接触层(Cs、Cd)；源电极(8s)；和漏电极(8d)，第一接触层(Cs)包括直接与第一结晶质半导体层(Rs)和结晶质半导体层(4c)的侧面的一部分接触的第一非晶质接触层(7s)，第二接触层(Cd)包括直接与第二结晶质半导体层(4c)的侧面的一部分接触的第二非晶质接触层(7d)。

公开(公告)号：CN112236868A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201880094361.3

申请日：2018-06-07

Applicant: 堺显示器制品株式会社

Inventor： 大田裕之

IPC: H01L29/786

Abstract: 薄膜晶体管(101)包括支承于基板(1)的栅电极(2)、覆盖栅电极的栅极绝缘层(3)、配置于栅极绝缘层上且包含多晶硅区域(4p)的半导体层，多晶硅区域(4p)具有：半导体层(4)，其包括第一区域(Rs)、第二区域(Rd)、以及位于第一区域与第二区域之间的沟道区域(Rc)；源电极(8s)，其与第一区域电连接；漏电极(8d)，其与第二区域电连接，以及至少一个保护部(20)，在所述沟道区域的一部分上，还具有从第一区域和第二区域的至少一个隔开间隔配置，保护部(20)具有层叠构造，该层叠构造包含:i型半导体层(10)，其以与沟道区域(Rc)直接接触的方式配置，并且具有比多晶硅区域大的带隙，由本征的半导体构成；以及保护绝缘层(5)，其配置于i型半导体层上。

公开(公告)号：CN111987168A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010207802.5

申请日：2020-03-23

Applicant: 堺显示器制品株式会社

Inventor： 大田裕之

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/34 ,  H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置，其中，薄膜晶体管包括：具有第一区域、第二区域和沟道区域的氧化物半导体层；以及栅极电极，该栅极电极隔着栅极绝缘层而重叠地设置在沟道区域上，并且，栅极电极不与第一和第二区域重叠；电连接到第一区域的源极电极；以及电连接到第二区域的漏极电极。氧化物半导体层中的沟道区域比第一区域和第二区域厚，氧化物半导体层包含下层和配置于下层的一部分上的上层。沟道区域包含上层和下层，第一区域和第二区域均包含下层且不包含上层。