公开(公告)号：CN109585456A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811116011.0

申请日：2018-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1368

Abstract: 实现适合于具备氧化物半导体TFT和结晶质硅TFT这两者的有源矩阵基板的结构。本发明的实施方式的有源矩阵基板(100)具有：显示区域(DR)，其由按矩阵状排列的多个像素区域(P)规定；以及周边区域(FR)，其位于显示区域的周边。有源矩阵基板具备：基板(1)；第1TFT(10)，其支撑于基板，包括结晶质硅半导体层(11)；以及第2TFT(20)，其支撑于基板，包括氧化物半导体层(21)。第1TFT和第2TFT分别具有顶栅结构。氧化物半导体层位于比结晶质硅半导体层靠下层的位置。

公开(公告)号：CN103283029B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180063087.1

申请日：2011-12-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(1001)包括薄膜晶体管(103)和源极总线(13s)，该薄膜晶体管具有栅极电极(3a)、源极和漏极电极(13as、13ad)、氧化物半导体层(7)，源极电极、源极总线和漏极电极包含第一金属元素，氧化物半导体层包含第二金属元素，从基板的法线方向看时，源极电极的至少一部分、源极总线的至少一部分以及漏极配线的至少一部分，与氧化物半导体层重叠，在源极电极与氧化物半导体层之间、源极总线与氧化物半导体层之间、以及漏极配线与氧化物半导体层之间，形成有包含第一金属元素和第二金属元素且与源极电极相比对可见光的反射率低的低反射层(4s、4d)。

公开(公告)号：CN103270601B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201180061376.8

申请日：2011-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  H01L23/564 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置（100）为具有薄膜晶体管（10）的半导体装置，包括：形成在基板（60）之上的薄膜晶体管（10）的栅极电极（62）；形成在栅极电极（62）之上的栅极绝缘层（66）；形成在栅极绝缘层（66）之上的氧化物半导体层（68）；和配置在氧化物半导体层（68）之上的源极电极（70s）和漏极电极（70d）；形成在氧化物半导体层（68）、源极电极（70s）和漏极电极（70d）之上的保护层（72）；形成在保护层（72）之上的供氧层（74）；和形成在供氧层之（74）之上的扩散防止层（78）。

公开(公告)号：CN102859702B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201180019812.5

申请日：2011-01-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225

Abstract: 半导体元件包括：形成有沟道部的氧化物半导体膜；和与沟道部相对配置的栅极部。而且，在氧化物半导体膜形成有：氧化物半导体膜被低电阻化处理而形成的漏极部；和设置于漏极部与沟道部之间且不被低电阻化处理的中间区域，半导体元件还包括在至少一部分遮蔽对中间区域的低电阻化处理的导电性膜。

公开(公告)号：CN103283029A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201180063087.1

申请日：2011-12-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(1001)包括薄膜晶体管(103)和源极总线(13s)，该薄膜晶体管具有栅极电极(3a)、源极和漏极电极(13as、13ad)、氧化物半导体层(7)，源极电极、源极总线和漏极电极包含第一金属元素，氧化物半导体层包含第二金属元素，从基板的法线方向看时，源极电极的至少一部分、源极总线的至少一部分以及漏极配线的至少一部分，与氧化物半导体层重叠，在源极电极与氧化物半导体层之间、源极总线与氧化物半导体层之间、以及漏极配线与氧化物半导体层之间，形成有包含第一金属元素和第二金属元素且与源极电极相比对可见光的反射率低的低反射层(4s、4d)。

公开(公告)号：CN102859702A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019812.5

申请日：2011-01-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225

Abstract: 半导体元件包括：形成有沟道部的氧化物半导体膜；和与沟道部相对配置的栅极部。而且，在氧化物半导体膜形成有：氧化物半导体膜被低电阻化处理而形成的漏极部；和设置于漏极部与沟道部之间且不被低电阻化处理的中间区域，半导体元件还包括在至少一部分遮蔽对中间区域的低电阻化处理的导电性膜。

公开(公告)号：CN101636827A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008554.9

申请日：2008-02-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守屋由瑞 ,  中岛睦 ,  海瀬泰佳 ,  喜多诚 ,  松木园广志 ,  伊藤良行

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板。在本发明的有源矩阵基板(100)中，半导体层(110)具有与第一薄膜晶体管(130)的源极区域(132)相邻接的第一吸杂区域(112)；与第二薄膜晶体管(140)的漏极区域(146)相邻接的第二吸杂区域(114)；和第三吸杂区域(116)，其与薄膜晶体管元件(120)所包含的薄膜晶体管的源极区域和漏极区域中位于第一薄膜晶体管(130)的沟道区域(134)与第二薄膜晶体管(140)的沟道区域(144)之间的源极区域和漏极区域中的任一个相邻接。

公开(公告)号：CN101263604A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200680033915.6

申请日：2006-06-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志 ,  宫本忠芳

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种能够进行低阈值动作并且具有高晶体管耐压的薄膜晶体管及其制造方法、以及使用该薄膜晶体管而得到的半导体装置、有源矩阵基板和显示装置。本发明的薄膜晶体管，通过在基板上依次叠层半导体层、栅极绝缘膜和栅电极而成，上述半导体层的截面具有顺圆锥形状，上述半导体层的上方和侧方被栅极绝缘膜覆盖，上述栅极绝缘膜具有在半导体层侧设置有氧化硅膜、在栅电极侧设置有由介电常数比氧化硅高的材料构成的膜的叠层结构，并且，当设上述半导体层的上方的膜厚为A、设上述半导体层的侧方的膜厚为B时，满足0.5≤B/A。

公开(公告)号：CN111886681B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201880091427.3

申请日：2018-03-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 本城正智 ,  松木园广志 ,  松尾拓哉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的显示装置具备：基板、设置在基板上的第一晶体管、以不与第一晶体管重叠的方式设置在基板上的第二晶体管。第一晶体管具备：设置在基板上的多晶硅层、设置在多晶硅层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第一栅电极、设置在第一栅电极上的第二绝缘膜。第二晶体管具备：设置在第一绝缘膜上的氧化物半导体层、设置在氧化物半导体层上的第三绝缘膜、设置在第三绝缘膜上的第二栅电极。第一以及第三绝缘膜是SiOx膜。第二绝缘膜是含氢的SiNx膜，并且以与多晶硅层重叠的方式设置，并且以不与氧化物半导体层重叠的方式设置。

公开(公告)号：CN110730984A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201880037299.4

申请日：2018-06-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 武田悠二郎 ,  松木园广志 ,  织田明博 ,  村重正悟 ,  田中耕平

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的实施方式的有源矩阵基板具备基板和支撑于基板的多个氧化物半导体TFT。各氧化物半导体TFT具有：下部栅极电极，其设置于基板上；栅极绝缘层，其覆盖下部栅极电极；氧化物半导体层，其配置于栅极绝缘层上；源极电极，其与氧化物半导体层的源极接触区域接触；漏极电极，其与氧化物半导体层的漏极接触区域接触；绝缘层，其覆盖氧化物半导体层、源极电极以及漏极电极；以及上部栅极电极，其设置于绝缘层上。当从基板的法线方向观看时，上部栅极电极与作为源极电极和漏极电极中的一方的第1电极不重叠，并且作为源极电极和漏极电极中的另一方的第2电极与下部栅极电极不重叠。