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公开(公告)号：CN106999722A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063069.1
申请日：2015-10-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: A61N5/06
CPC classification number: A61N5/062 , A61B2018/00654 , A61B2018/00672 , A61B2018/00678 , A61B2018/00898 , A61N5/06 , A61N5/0601 , A61N2005/0628 , A61N2005/0643 , A61N2005/0652 , A61N2005/0662 , H01L51/50
Abstract: 本发明的光动力学治疗装置包括：包括多个LED(4)的光源(2)；检测多个LED(4)各自发出的光的强度作为光源(2)发出的光的光强度分布的光检测器(3)；和光强度分布控制电路(6)，该光强度分布控制电路(6)以使得由光检测器(3)检测出的多个LED(4)各自发出的光的强度落在规定范围内的方式，控制驱动多个LED(4)中的各个LED(4)的电流。
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公开(公告)号：CN1293685C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200410059538.6
申请日：2004-03-26
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2086 , H01S5/2226 , H01S5/2231 , H01S5/3403 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2301/173 , H01S2304/00
Abstract: 在具有大于760nm并小于800nm的振荡波长的半导体激光装置中，在n-型GaAs衬底(101)上，依次堆叠有n-型第一和第二下覆盖层(103，104)、下波导层(105)、GaAs下界面保护层(106)、InGaAsP应变多量子阱有源层(107)、GaAs上界面保护层(108)、上波导层(109)和p-型AlGaAs上覆盖层(110)。量子阱有源层(107)与上波导层(109)之间的界面和量子阱有源层(107)与上波导层(105)之间的界面变得陡峭，晶体的外延生长也变得良好。
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公开(公告)号：CN1551431A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410059538.6
申请日：2004-03-26
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2086 , H01S5/2226 , H01S5/2231 , H01S5/3403 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2301/173 , H01S2304/00
Abstract: 在具有大于760nm并小于800nm的振荡波长的半导体激光装置中，在n－型GaAs衬底(101)上，依次堆叠有n－型第一和第二下覆盖层(103，104)、下波导层(105)、GaAs下界面保护层(106)、InGaAsP应变多量子阱有源层(107)、GaAs上界面保护层(108)、上波导层(109)和p－型AlGaAs上覆盖层(110)。量子阱有源层(107)与上波导层(109)之间的界面和量子阱有源层(107)与上波导层(105)之间的界面变得陡峭，晶体的外延生长也变得良好。
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公开(公告)号：CN1543025A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031581.1
申请日：2004-03-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2206 , H01S5/2223 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373
Abstract: 本发明公开一种半导体激光装置和光盘装置，该激光装置具有大于760nm且小于800nm的振荡波长，在n型GaAs基板(101)上，顺次叠置n型第一和第二下包层(103，104)、下引导层(106)、应变InGaAsP多量子阱有源层(107)、上引导层(109)和p型上包层(110)。因为下引导层(106)由InGaP形成，所以减少了载流子从有源层中的泄漏。另外，因为上引导层(109)由AlGaAs形成，所以抑制了载流子(尤其是电子)的溢出。
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公开(公告)号：CN110018488A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811459615.5
申请日：2018-11-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种受光元件、飞行时间测量装置及光雷达装置。能够实现适合脉冲光的照射区域的受光区域、并且能够大幅缓和受光元件相对于发光元件的定位精度的受光元件，由此，能够实现不减少最大测量距离且可降低成本的飞行时间测量装置，并实现增加最大测量距离的廉价的光雷达装置。受光元件(80)通过利用透镜使来自照射区域的反射光成像并由受光部(81)接收从而对飞行时间进行计测，所述照射区域接收由脉冲光照射的对象物中的照射。受光部(81)形成得比由对象物的照射区域反射并成像的投影部(PA)大。受光部(81)中的、与投影部(PA)重叠的部分作为受光区域被激活。
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公开(公告)号：CN109696683A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811238521.5
申请日：2018-10-23
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明能够防止产生盲点，且无论到对象物为止的距离如何，均能够以少量光学部件提高照射到对象物上的光强度。脉冲发光元件(70)发出沿第一偏振方向直线偏振的脉冲光，脉冲光(1)依次通过振分束器(60)和透镜(50)照射对象物(3)，反射光(2)依次通过透镜(50)和偏振分束器(60)，沿与第一偏振方向不同的第二偏振方向直线偏振，聚光在受光元件(80)上，脉冲发光元件(70)和受光元件(80)设置在透镜(50)的焦点面上，脉冲光(1)的光轴与反射光(2)的光轴重合。
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公开(公告)号：CN104075217A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410314747.4
申请日：2010-12-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/10 , F21V17/00 , F21W101/02 , F21W101/10
CPC classification number: F21S41/00 , F21S41/14 , F21S41/16 , F21S41/24 , F21S41/322 , F21W2107/10 , F21Y2115/10
Abstract: 本发明提供一种车辆用前照灯及照明装置。前照灯(1)具有：出射激光的半导体激光器(3)、接收从半导体激光器(3)出射的激光而发光的发光部(7)、反射由发光部(7)出射的光的反射镜(8)。在前照灯(1)中，发光部(7)的亮度比25cd/mm2大，反射镜(8)的在与出射到前照灯(1)的外部的非相干光的行进方向相垂直的开口面(8a)的面积比2000mm2小。
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公开(公告)号：CN102313168A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110147866.1
申请日：2011-05-25
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: F21S41/24 , F21S41/12 , F21S41/141 , F21S41/143 , F21S41/16
Abstract: 本发明提供一种能够提高光取出效率的发光装置及照明装置。该发光装置具备：将直线偏振光的激光射出的激光发生器、被照射来自激光发生器的激光的荧光体、配置在从激光发生器射出的激光的通过区域的反射型偏光滤光器，并且，反射型偏光滤光器按照将激光的直线偏振光透过、且将具有与激光的直线偏振光的偏振面正交的偏振面的直线偏振光反射的方式形成。
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