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公开(公告)号：CN106451073A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610628959.9
申请日：2016-08-03
申请人： 株式会社理光
发明人： 铃木亮一郎
CPC分类号： H01S5/068 , H01S5/0042 , H01S5/183 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/18361 , H01S5/18377 , H01S5/187 , H01S5/2086 , H01S5/34313 , H01S5/34386 , H01S2301/163 , H01S2301/176 , H03L7/26
摘要： 一种表面发射激光器元件包括下部布拉格反射镜；上部布拉格反射镜；和形成在下部布拉格反射镜和上部布拉格反射镜之间并包括活性层的共振器区域。波长调节区域形成在下部布拉格反射镜或上部布拉格反射镜中并包括第二相位调节层，波长调节层和第一相位调节层，其以该顺序从其中形成共振器区域的侧面进行布置。波长调节区域的光学厚度是近似(2N+1)×λ/4，波长调节层形成在其中在形成共振器区域的侧面上距离波长调节区域的端部的光学距离是近似M×λ/2的位置处，其中λ是发射光的波长，M和N是正整数，以及M小于或等于N。
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公开(公告)号：CN103682978A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310427136.6
申请日：2013-09-18
申请人： 三菱电机株式会社
发明人： 柴田公隆
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0042 , H01S5/0265 , H01S5/12 , H01S5/2086 , H01S5/22
摘要： 本发明提供一种光调制器的制造方法以及光调制器。是具备激光二极管部以及EAM部（20）的光调制器的制造方法。在半导体衬底（100）上设置作为用于制造激光二极管部的半导体层的LD生长层。在半导体衬底（100）上设置用于形成EAM部（20）的EAM吸收层（120）。测定EAM吸收层（120）的光致发光波长。蚀刻LD生长层而形成带构造部。以LD部（30）的振荡波长与EAM部（20）的光致发光波长之差接近设计值的方式设计带构造部的宽度。从而能够高精度地进行用于降低激光二极管部的振荡波长与电场吸收型调制部的光致发光波长的设计值的差异的调节。
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公开(公告)号：CN102356525B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200980158073.0
申请日：2009-12-22
申请人： 株式会社理光
发明人： 花冈克成
CPC分类号： B41J2/442 , B41J2/455 , B41J2/473 , H01S5/18311 , H01S5/18352 , H01S5/2086 , H01S5/423
摘要： 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器元件，包括衬底；层叠体，该层叠体是通过用上反射镜和下反射镜夹置半导体有源层而形成并且定位于衬底的表面上；连接到衬底中的与所述表面相对的另一表面上的下电极；以及连接到上反射镜的上表面的上电极，其中，所述上反射镜和下反射镜分别通过交替层叠具有不同折射率的半导体膜而形成，并且在电流施加在上电极和下电极之间时，垂直腔表面发射激光器元件沿着垂直于衬底的表面的方向发射激光，所述垂直腔表面发射激光器元件还包括：在上反射镜中的选择性氧化层，其具有由氧化区域和未氧化区域构成的电流阻挡结构，以及可探测部分，该可探测部分形成在由包括选择性氧化层和有源层的上反射镜成形的台地结构的侧表面上，由此能够探测在层叠体的深度方向上选择性氧化层距层叠体的顶部的位置。
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公开(公告)号：CN102598440A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049541.3
申请日：2010-08-25
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 克里斯蒂安·劳尔 , 阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯
CPC分类号： H01S5/0655 , H01S5/02284 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1082 , H01S5/2004 , H01S5/2018 , H01S5/2036 , H01S5/2081 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/323 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H01S2301/18
摘要： 提出了一种具有半导体本体(10)的边发射半导体激光器，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中波导区域(4)具有第一波导层(2A)、第二波导层(2B)和用于产生激光辐射(17)的、设置在第一波导层(2A)和第二波导层(2B)之间的有源层(3)，波导区域(4)设置在第一包层(1A)和沿半导体本体(10)的生长方向在波导区域(4)之后的第二包层(1B)之间，在半导体本体(10)中，构成有用于选择由有源层(3)所发射的激光辐射的横模的相结构(6)，其中相结构(6)包括至少一个凹槽(7)，所述凹槽从半导体本体(10)的表面(5)延伸到第二包层(1B)中，由与第二包层(1B)的半导体材料不同的半导体材料所组成的至少一个第一中间层(11)嵌入到第二包层(1B)中，并且凹槽(7)从半导体本体(10)的表面(5)至少部分地延伸至第一中间层(11)中。
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公开(公告)号：CN102403427A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110273975.8
申请日：2011-09-15
申请人： 夏普株式会社
发明人： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 , 马修·泽维尔·先尼 , 陈伟新 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0095 , H01S5/0425 , H01S5/2086 , H01S5/32341
摘要： 一种半导体发光器件包括设置在衬底上的半导体层结构。层结构包括置于第一层和第二层之间的有源区。一个或更多个空腔存在于层结构中，每个空腔与穿透位错相对应，并从层结构的上表面至少延伸穿过第二层和有源区。去除穿透位错所在处的材料提供了对穿透位错用作非辐射中心的趋势的有效抑制，由此改善了器件的光输出效率。该器件可以通过在一个或更多个穿透位错的部位处选择性蚀刻层结构以在所述部位或每个部位处形成引导空腔的第一步骤来制造。应用第二蚀刻步骤，以增加每个引导空腔的深度。
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公开(公告)号：CN101685941B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200910173255.7
申请日：2009-09-22
申请人： 佳能株式会社
发明人： 井久田光弘
CPC分类号： H01S5/18391 , H01S5/18311 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S2301/166
摘要： 本发明提供可以抑制表面浮雕结构和电流狭窄结构在水平方向的偏离，提高对位精度，稳定获得单一横模式特性的面发光激光器及其制造方法。层叠了半导体层的面发光激光器，具有通过蚀刻上部反射镜的一部分而形成的第1蚀刻区域。另外，具有通过从第1蚀刻区域的底部蚀刻到用于形成电流狭窄结构的半导体层为止而形成的第2蚀刻区域。该第2蚀刻区域的深度比第1蚀刻区域的深度浅。
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公开(公告)号：CN100391068C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200510118762.2
申请日：2005-10-31
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/2086 , H01S5/22 , H01S5/3211 , H01S5/34326
摘要： 一种半导体激光元件的制造方法，其抑制盖层和第三包层的变形，而把中间层的突起部除去。其在第二蚀刻工序中，把面临第三包层(33)和蚀刻停止层(31)的中间层(34)的外周部(46)用抗蚀剂层(48)覆盖，至少把第三包层(33)不可避免地除去，蚀刻中间层(34)和盖层(35)。这样，把中间层(34)的突出部(45)除去，且能防止把盖层(35)不希望地被蚀刻，与层合方向大致垂直的方向上制造没有凹凸的脊部，防止动作电压的增大和外部微分量子效率的降低。
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公开(公告)号：CN1767286A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510118762.2
申请日：2005-10-31
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/2086 , H01S5/22 , H01S5/3211 , H01S5/34326
摘要： 一种半导体激光元件的制造方法，其抑制盖层和第三包层的变形，而把中间层的突起部除去。其在第二蚀刻工序中，把面临第三包层(33)和蚀刻停止层(31)的中间层(34)的外周部(46)用抗蚀剂层(48)覆盖，至少把第三包层(33)不可避免地除去，蚀刻中间层(34)和盖层(35)。这样，把中间层(34)的突出部(45)除去，且能防止把盖层(35)不希望地被蚀刻，与层合方向大致垂直的方向上制造没有凹凸的脊部，防止动作电压的增大和外部微分量子效率的降低。
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公开(公告)号：CN1169267C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN00120014.3
申请日：2000-05-19
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , G01C19/661 , H01S5/0425 , H01S5/1071 , H01S5/2086 , H01S5/2213 , H01S5/2275 , H01S5/34306
摘要： 这里公开了一种制造半导体元件的方法，该方法包括以下步骤：制备衬底上包括突起区的半导体元件部件；将衬底上表面及突起区上表面和侧面掩埋于封装材料中；暴露突起区上表面；在突起区上表面上淀积电极材料；去掉封装材料。
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公开(公告)号：CN102474078B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080033769.3
申请日：2010-06-28
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： 阿尔弗雷德·莱尔 , 斯蒂芬妮·布鲁宁戈夫
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/2036 , H01S5/2086 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/4081
摘要： 设计了一种宽条激光器(1)，其具有带有上侧(22)和下侧(23)的外延层堆叠(2)。层堆叠(2)具有产生辐射的有源层(21)。此外，层堆叠(2)具有沟槽(3)，其中层堆叠(2)的至少一个层被至少部分地去除，并且沟槽从上侧(22)朝着下侧(23)引导。层堆叠(2)在上侧具有接片(4)，所述接片分别与沟槽(3)邻接，使得层堆叠(2)在上侧带状地构建。接片(4)和沟槽(3)分别具有最大20μm的宽度(d1，d2)。此外，设计了一种用于制造这种宽条激光器(1)的方法。
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