整流电路以及电源装置
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111585427B

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202010091768.X

    申请日:2020-02-13

    Inventor: 盐见竹史

    Abstract: 在整流电路(1)中,在导通晶体管(AT1)的情况下,电流从电源(AV1)流向线圈(AC1)。然后,在截止晶体管(AT1)的情况下,第二整流元件电流从线圈(AC1)流向第二整流元件(SR1)。

    缓冲电路及电源装置
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113394962A

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202110195677.5

    申请日:2021-02-19

    Inventor: 盐见竹史

    Abstract: 缓冲电路(1)与具备高电位节点、开关节点和基准电位节点的开关电路(5)连接。开关电路(5)具有上侧开关元件(HS1)、下侧开关元件(LS1)和旁路电容器(BC1)。缓冲电路(1)具备缓冲电容器(SC1)、二极管(SD1)和线圈(SL1)。缓冲电容器(SC1)的正极与高电位节点连接。二极管(SD1)的阳极与缓冲电容器的负极连接,阴极与上述开关节点连接。线圈(SL1)的一端与缓冲电容器的负极连接,另一端与基准电位节点连接。本发明还涉及一种具备该缓冲电路的电源装置。

    电源装置及电源单元
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110301088B

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN201880011506.9

    申请日:2018-01-29

    Abstract: 电源装置(1)具有与变压器(TR1)的初级绕组连接的初级侧电路(10)以及与变压器(TR1)的次级绕组连接的次级侧电路(20)。初级侧电路(10)包含MOSFET:(Q1~Q4),次级侧电路(20)包含整流从变压器(TR1)的初级侧传输的电能的MOSFET:(Q5、Q6)和蓄积被整流的电能的电容器(C1)。在将MOSFET:(Q1~Q4)从截止状态切换为导通状态之前,以MOSFET:(Q1~Q4)的源‑漏极间电压降低的方式,次级侧电路(20)进行使电容器(C1)放电并使电流流过变压器(TR1)的次级绕组的放电的动作。由此,提供一种即使在低输出时也具有高的功率转换效率的电源装置。

    整流电路以及电源装置
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112311235A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202010713101.9

    申请日:2020-07-22

    Inventor: 盐见竹史

    Abstract: 在整流电路中,在使晶体管导通的情况下,电路从电源流向线圈。并且,在使晶体管截止的情况下,线圈电流流过第二整流元件。

    整流电路以及电源装置
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111585455A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010090421.3

    申请日:2020-02-13

    Inventor: 盐见竹史

    Abstract: 在整流电路(1)中,在导通晶体管(AT1)的情况下,电流从电源(AV1)流向线圈(AC1)。然后,在截止晶体管(AT1)的情况下,第二整流元件电流从线圈(AC1)流向第二整流元件(SR1),第一逆方向电压施加于整流电路(1)。

    整流电路以及电源装置
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111585427A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010091768.X

    申请日:2020-02-13

    Inventor: 盐见竹史

    Abstract: 在整流电路(1)中,在导通晶体管(AT1)的情况下,电流从电源(AV1)流向线圈(AC1)。然后,在截止晶体管(AT1)的情况下,第二整流元件电流从线圈(AC1)流向第二整流元件(SR1)。

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