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公开(公告)号:CN103190004A
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN201180052596.4
申请日:2011-06-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/24 , F21S2/00 , G02F1/13357 , H01L21/205 , H01L31/04 , H01L31/10 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/64 , G02F1/133603 , H01L25/0753 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/052 , H01L31/054 , H01L31/0547 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , H01L2924/00
Abstract: 本发光元件(100)具备:n型GaN半导体基部(113);在n型GaN半导体基部(113)上以竖直设置状态相互隔开间隔形成的多个n型GaN棒状半导体(121);以及覆盖n型GaN棒状半导体(121)的p型GaN半导体层(123)。n型GaN棒状半导体(121)能通过对棒状半导体(121)增加提供n型的杂质量而容易地进行低电阻化。所以,即使将n型GaN棒状半导体(121)的长度做长,也能抑制n型GaN棒状半导体(121)的电阻的增大,能从n型GaN棒状半导体(121)的根部遍及到顶端部使其同样地进行发光。
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公开(公告)号:CN113394962A
公开(公告)日:2021-09-14
申请号:CN202110195677.5
申请日:2021-02-19
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 盐见竹史
IPC: H02M1/34
Abstract: 缓冲电路(1)与具备高电位节点、开关节点和基准电位节点的开关电路(5)连接。开关电路(5)具有上侧开关元件(HS1)、下侧开关元件(LS1)和旁路电容器(BC1)。缓冲电路(1)具备缓冲电容器(SC1)、二极管(SD1)和线圈(SL1)。缓冲电容器(SC1)的正极与高电位节点连接。二极管(SD1)的阳极与缓冲电容器的负极连接,阴极与上述开关节点连接。线圈(SL1)的一端与缓冲电容器的负极连接,另一端与基准电位节点连接。本发明还涉及一种具备该缓冲电路的电源装置。
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公开(公告)号:CN110301088B
公开(公告)日:2021-05-28
申请号:CN201880011506.9
申请日:2018-01-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M3/28
Abstract: 电源装置(1)具有与变压器(TR1)的初级绕组连接的初级侧电路(10)以及与变压器(TR1)的次级绕组连接的次级侧电路(20)。初级侧电路(10)包含MOSFET:(Q1~Q4),次级侧电路(20)包含整流从变压器(TR1)的初级侧传输的电能的MOSFET:(Q5、Q6)和蓄积被整流的电能的电容器(C1)。在将MOSFET:(Q1~Q4)从截止状态切换为导通状态之前,以MOSFET:(Q1~Q4)的源‑漏极间电压降低的方式,次级侧电路(20)进行使电容器(C1)放电并使电流流过变压器(TR1)的次级绕组的放电的动作。由此,提供一种即使在低输出时也具有高的功率转换效率的电源装置。
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公开(公告)号:CN103190004B
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201180052596.4
申请日:2011-06-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/24 , F21S2/00 , G02F1/13357 , H01L21/205 , H01L31/04 , H01L31/10 , F21Y115/10
CPC classification number: H01L33/64 , G02F1/133603 , H01L25/0753 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/052 , H01L31/054 , H01L31/0547 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , H01L2924/00
Abstract: 本发光元件(100)具备:n型GaN半导体基部(113);在n型GaN半导体基部(113)上以竖直设置状态相互隔开间隔形成的多个n型GaN棒状半导体(121);以及覆盖n型GaN棒状半导体(121)的p型GaN半导体层(123)。n型GaN棒状半导体(121)能通过对棒状半导体(121)增加提供n型的杂质量而容易地进行低电阻化。所以,即使将n型GaN棒状半导体(121)的长度做长,也能抑制n型GaN棒状半导体(121)的电阻的增大,能从n型GaN棒状半导体(121)的根部遍及到顶端部使其同样地进行发光。
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公开(公告)号:CN102969911B
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201210311940.3
申请日:2012-08-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H02M1/4225 , H02M3/1582 , H02M2001/4291 , H05B33/0815 , Y02B20/346 , Y02B70/126
Abstract: 一种电源电路及使用该电源电路的照明装置。本发明为了提供一种通过降低电压变换时的损耗,能抑制效率下降的电源电路,实现了功率因数改善电路,其特征在于,控制电路执行以下动作,即:输出使第1开关元件(Tr1)接通,使第2开关元件(Tr2)进行开关的控制信号的升压动作和输出使第2开关元件(Tr2)断开,使第1开关元件(Tr1)进行开关的控制信号的降压动作。
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公开(公告)号:CN102969911A
公开(公告)日:2013-03-13
申请号:CN201210311940.3
申请日:2012-08-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H02M1/4225 , H02M3/1582 , H02M2001/4291 , H05B33/0815 , Y02B20/346 , Y02B70/126
Abstract: 一种电源电路及使用该电源电路的照明装置。本发明为了提供一种通过降低电压变换时的损耗,能抑制效率下降的电源电路,实现了功率因数改善电路,其特征在于,控制电路执行以下动作,即:输出使第1开关元件(Tr1)接通,使第2开关元件(Tr2)进行开关的控制信号的升压动作和输出使第2开关元件(Tr2)断开,使第1开关元件(Tr1)进行开关的控制信号的降压动作。
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