公开(公告)号：CN114774121A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210596227.1

申请日：2022-05-30

申请人： 太原理工大学 ,  山西浙大新材料与化工研究院

发明人： 闫翎鹏 ,  曹哲勇 ,  郑静霞 ,  刘兴华 ,  杨永珍 ,  聂仲泉 ,  刘旭光 ,  许并社

IPC分类号： C09K11/65 ,  C09K11/02 ,  C01B32/15 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G02F1/35

摘要： 本发明公开了一种基于双光子吸收的光限幅碳量子点，是以均苯三甲酸、尿素和硼酸为原料，在水中进行微波加热反应得到的水溶性的、具有光限幅特性的碳量子点。本发明将所述光限幅碳量子点加入到硅烷偶联剂水溶液中复合成膜，获得具有光限幅效果的碳量子点固态薄膜材料，用于制备光限幅器件。本发明的光限幅碳量子点在入射光能量密度达到6.27×1015W/m2时，对532nm激光的透过率可以下降57%。

公开(公告)号：CN108511322B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201810273092.9

申请日：2018-03-29

申请人： 太原理工大学

发明人： 李天保 ,  刘晨阳 ,  张哲 ,  于斌 ,  贾伟 ,  余春燕 ,  董海亮 ,  贾志刚 ,  许并社

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/54

摘要： 本发明属GaN薄膜制备技术领域，为解决目前GaN和异质衬底之间存在较大的晶格失配和热失配，在GaN薄膜中产生大量的穿透位错，严重影响设备性能等问题，提供一种在二维石墨衬底上制备GaN薄膜的方法。HOPG采用机械剥离法进行剥离获得石墨衬底材料，将剥离的石墨衬底材料转移至SiO2或Si衬底上形成石墨衬底，石墨衬底进行氧等离子处理，置于MOCVD反应室内反应形成AlGaN形核层，退火处理，生长GaN外延薄膜。获得的石墨厚度可控，实现了制备和转移一体化，避免中间过程带来的损伤，制备的晶体质量更好，且容易与外延层分离。制备的GaN薄膜受晶格匹配约束小，质量高，光电性能优异，能用于可转移的GaN基器件中。

公开(公告)号：CN114178639A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202210143680.7

申请日：2022-02-17

申请人： 太原理工大学

发明人： 崔泽琴 ,  郝晓虎 ,  史颖杰 ,  王文先 ,  许并社 ,  李卫国

IPC分类号： B23K1/005 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19

摘要： 本发明公开了一种用于铍窗和不锈钢基座的脉冲激光钎焊封接方法，采用低热输入脉冲激光将流动性优异的Ag‑28Cu低熔点共晶钎料熔化并填充铍窗与不锈钢基座之间的缝隙，实现二者之间的致密封接。低熔点共晶钎料的使用可有效降低被连接材料的熔化稀释，高能量密度激光的引入则可避免铍金属因过热而导致的脆化开裂。通过合理设计铍窗定位凹台并精确控制激光光斑的照射位置，在充分熔化钎料的同时可避免铍窗过度稀释，从而控制钎缝中脆性相的数量，抑制钎缝开裂，满足检测仪器对温度和气密性的使用要求。

公开(公告)号：CN113755166A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202111237958.9

申请日：2021-10-25

申请人： 太原理工大学

发明人： 杨永珍 ,  陈童 ,  康海鑫 ,  刘兴华 ,  郑静霞 ,  刘旭光 ,  许并社

IPC分类号： C09K11/65 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/50

摘要： 本发明公开了一种疏水性白光碳点及其制备方法，是以邻苯二胺和1,2,4‑苯三甲酸为原料，在溶剂乙醇中180～220℃进行溶剂热反应，制备得到具有疏水特性且能够发射白色荧光的碳点。本发明疏水性白光碳点制备方法简单，利用其疏水特性可以快速获得固体粉末，简化了固体产物的获取过程。本发明疏水性白光碳点可以作为荧光转换层材料，用于制备得到性能优异的白光LED器件。

公开(公告)号：CN109097038B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201811150315.9

申请日：2018-09-29

申请人： 太原理工大学

发明人： 杨永珍 ,  王军丽 ,  郑静霞 ,  陈琳 ,  刘旭光 ,  许并社

IPC分类号： C09K11/65 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明涉及一种固态黄色荧光碳量子点及其制备方法，是以对苯二胺为碳源，无水乙醇为溶剂，采用溶剂热法制备得到碳量子点，再以所述碳量子点在溶剂无水乙醇中与十八烷基异氰酸酯进行微波加热反应制备得到。本发明制备的碳量子点有效抑制了固态下的荧光猝灭，能够在固态下发射黄色荧光，适合于制备白光发光二极管。

公开(公告)号：CN109860405B

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN201910060680.9

申请日：2019-01-23

申请人： 太原理工大学

发明人： 苗艳勤 ,  高龙 ,  郭园园 ,  贾伟 ,  王华 ,  许并社

IPC分类号： H01L51/50

摘要： 本发明公开了一种基于界面互补色激基发射的白光有机发光二极管，只包含空穴传输层和电子传输层两类有机功能层，在一种空穴传输层与不同电子传输材料形成的电子传输层、或一种电子传输层与不同空穴传输材料形成的空穴传输层的界面形成不同颜色互补的激基发射，复合形成白光发射。本发明的白光有机发光二极管结构简单、重复性好，可以容易地实现白光光谱的调节。

公开(公告)号：CN110517949B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201910686401.X

申请日：2019-07-29

申请人： 太原理工大学

发明人： 李天保 ,  张哲 ,  于斌 ,  贾伟 ,  余春燕 ,  董海亮 ,  贾志刚 ,  许并社

IPC分类号： H01L21/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

摘要： 本发明属于半导体材料制备技术领域，提供一种采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）工艺在SiO2衬底制备非极性a面GaN外延层的方法。先将SiO2衬底在1200‑1300℃高温大氨气4000‑4500 sccm流量条件下进行氮化处理，处理后SiO2衬底表面形成密排六方结构的a‑Si3N4薄层；在该薄层上生长出a面取向的GaN晶核层，最后在非极性晶核的基础上生长a面GaN外延层。相比目前应用广泛的极性c面GaN而言，非极性a面GaN基器件消除了极化效应引起的量子限制斯塔克效应，具有高的内量子效率，在高电流密度下无发光波长漂移等优点。

公开(公告)号：CN112605389A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011406855.6

申请日：2020-12-04

申请人： 太原理工大学

发明人： 樊建锋 ,  田笑颖 ,  张强 ,  吴玉程 ,  许并社

IPC分类号： B22F9/02 ,  B22F3/11

摘要： 本发明公开了一种高性能纳米晶泡沫镁的制备方法，包括以下步骤：（1）准备原料、（2）镁粉筛分、（3）氢化处理镁粉、（4）预制成型、（5）脱氢处理、（6）SPS烧结。本发明针对传统制备方法中造孔剂使用去除的问题等，采用HD+SPS法，经粉末筛分、氢化、预制成型、脱氢、SPS烧结，制成纳米泡沫镁，此制备方法工艺先进、简捷快速、数据翔实精确，制备的泡沫镁孔隙分布弥散均匀，晶粒直径≤20nm，产物力学及吸能性好，是十分理想的制备纳米晶泡沫镁的方法。

公开(公告)号：CN109457287B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201811630228.3

申请日：2018-12-29

申请人： 太原理工大学

发明人： 薛晋波 ,  张志雄 ,  高佳琦 ,  申倩倩 ,  吴玉程 ,  贾淑方 ,  贾虎生 ,  许并社

IPC分类号： C25D11/26 ,  C25D5/50 ,  B01J27/24 ,  B01J37/34

摘要： 本发明提供一种硫氮共掺杂型黑色二氧化钛纳米管阵列及其制备方法，根据二氧化钛的化学物理性能和结构特征，采用乙二醇和氟化氨做原料，去离子水做溶剂，采用阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列薄膜，然后采用硫酸铵作为硫源和氮源，并通过简易的退火工艺，制备出硫氮共掺杂的黑色二氧化钛纳米管阵列薄膜；此制备方法工艺先进，数据精确翔实，产物为黑色膜状，黑色二氧化钛纳米管阵列排列整齐均匀，与钛基底结合牢固，对紫外光和可见光有明显的吸收作用，可用于光催化还原CO2，是高效的制备具有可见光响应的黑色二氧化钛纳米管阵列薄膜的方法。

公开(公告)号：CN111689891A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010588466.3

申请日：2020-06-24

申请人： 太原理工大学

发明人： 孙静 ,  赵波 ,  贾钧森 ,  崔江峰 ,  王华 ,  董海亮 ,  许并社

IPC分类号： C07D209/86 ,  C09K11/06 ,  G09F3/00

摘要： 本发明公开了一种光激活动态长寿命磷光材料，为化合物9,9’-(1,3-丙基)双咔唑的单晶，其发光寿命可通过外界紫外刺激时间调节，紫外激发时间小于1min时，其磷光发射肉眼不易识别，激发时间超过1min后才具有肉眼可见橙红色余辉，磷光强度在3min时达到最大值，发光寿命可以达到898ms。本发明光激活动态长寿命磷光材料可以制成数据加密标志用于数据加密领域，或制成防伪标志用于防伪领域，特别是可以与其他发光辅助材料共同组成数据加密标志，实现多重数据加密。