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公开(公告)号：CN118676346A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410900561.0
申请日：2024-07-05
申请人： 山西浙大新材料与化工研究院 , 太原理工大学
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/583 , H01M10/0525 , C01B32/154 , C01B32/05 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明涉及一种洋葱状富勒烯复合碳气凝胶负极材料，是将质量比为(1～3)∶3的氧化洋葱状富勒烯和氧化煤分散在含戊二醛的聚乙烯醇溶液中进行水热交联反应得到高度交联的水凝胶，冷冻干燥后高温碳化得到，具有适当的比表面积和高的结构稳定性，适合于作为负极材料应用于锂离子电池中，兼具高比容量和高倍率性能，在能源电池领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115000231B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202210668510.0
申请日：2022-06-14
申请人： 太原理工大学 , 山西浙大新材料与化工研究院
IPC分类号： H01L31/102 , H01L31/0312 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明属于半导体光电探测器领域，具体涉及一种PS纳米球辅助的4H‑SiC基热载流子型光电探测器及其制备方法，探测器包括自上而下依次设置的顶电极层、PS:TiN‑NPs层、半导体层、底电极层，所述顶电极层为半透明金属电极，PS:TiN‑NPs层包括单层排布在半导体层上的PS纳米球阵列和溅射在PS纳米球阵列表面的TiN纳米颗粒层，所述PS纳米球阵列为多个PS纳米球颗粒在半导体层表面呈周期性排布形成，所述半导体层为4H‑SiC基底，底电极层为不透光金属电极。本发明提供了器件在可见‑近红外宽谱范围内的亮电流，提升了探测器的探测性能。
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公开(公告)号：CN115155664B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202210694680.6
申请日：2022-06-17
申请人： 太原理工大学 , 山西浙大新材料与化工研究院
IPC分类号： B01J31/22 , B01J35/39 , B01J35/59 , C08L75/04 , C08L87/00 , C08L71/02 , D01D5/00 , D01F1/10 , D01F6/94 , D04H1/4358 , D04H1/728 , A61L2/08
摘要： 本发明属于光催化抗菌材料技术领域，具体涉及一种键合型聚氨酯基抗菌纤维膜及其制备方法和应用。本发明通过对ZIF‑8进行热处理，得到T‑ZIF‑8，并使T‑ZIF‑8与含羟基聚合物通过氢键缔合，再进一步使聚氨酯中的‑N＝C＝O基团与羟基发生键合反应即可得到键合型聚氨酯基抗菌纤维膜。本发明的键合型聚氨酯基抗菌纤维膜有助于解决T‑ZIF‑8易团聚、在纺丝液中易沉降、制成纤维后难以均匀分布的问题，提高光催化抗菌性能。
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公开(公告)号：CN114717535B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210275260.4
申请日：2022-03-21
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明属于InGaN纳米棒制备技术领域，提供了一种在硅衬底上制备纤锌矿InGaN纳米棒的方法。先对硅衬底表面用氨气进行氨化处理，处理后的硅表面形成Si‑N键，饱和硅表面的Si悬挂键；将GaCl3和InCl3以N2输送入放置有硅衬底的反应室内，加热GaCl3和InCl3，气相中的GaCl3和InCl3在受热分解及氢还原作用下在衬底表面形成Ga、In液滴，液滴聚积形核，最后与气相中NH3反应生成纤锌矿InGaN。拓展了GaN基材料在光电器件、光伏电池及碳中和等领域的应用，可调控In组分的InGaN带来了更多的选择性；对解决目前InGaN材料生长工艺复杂、In掺入较难且不均匀等问题有重要意义。
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公开(公告)号：CN116153676A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310152231.3
申请日：2023-02-23
申请人： 太原理工大学 , 山西浙大新材料与化工研究院
摘要： 本发明公开了一种煤基碳纳米洋葱的制备方法，是以煤粉为碳源，水溶性铁盐为催化剂，将煤粉加入硝酸溶液中加热回流得到酸氧化处理煤粉，与催化剂混合均匀，于管式炉中惰性气氛下原位进行高温热解催化反应，得到内包金属颗粒的煤基CNOs及中空煤基CNOs的混和物。本发明制备的煤基碳纳米洋葱材料可以作为超级电容器负极材料导电添加剂，应用于超级电容器的制备中。
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公开(公告)号：CN114744485B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202210267493.X
申请日：2022-03-18
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明涉及半导体光电子学技术领域；Al组分正向渐变的单波导结构波导层的载流子损耗较大，反向渐变结构远场发散角小，内损耗严重，载流子的损耗和泄漏导致980 nm半导体激光器的阈值电流增大，工作电压增加，本发明提供一种具有Al组分的双波导半导体激光器结构及其制备方法，波导层内波导Al组分正向渐变，外波导Al组分反向渐变的双波导结构，正向渐变内波导结构提高了有源区载流子的限制能力，反向渐变外波导提高了波导层的载流子限制能力，本发明解决载流子泄漏和光学损耗严重的问题，降低了非辐射复合和泄漏电流，从而降低激光器的串联电阻和工作电压，提高激光器的输出功率和电光转换效率。
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公开(公告)号：CN115616041A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211612727.6
申请日：2022-12-15
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： G01N27/12 , C23C16/34 , C23C14/18 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C28/00
摘要： 本发明属于气体传感器技术领域，涉及一种基于GaN基QDs薄膜的气体传感器及其制备方法，是利用MOCVD在衬底上不经高温退火处理的GaN成核层上生长掺杂有硅或镁和/或铝或铟的GaN基QDs薄膜，再在所述GaN基QDs薄膜上利用磁控溅射或蒸镀技术沉积Ti/Al/Ti/Au电极，高温退火使其与GaN基QDs薄膜之间形成欧姆接触，获得的GaN基QDs薄膜载流子浓度为(5‑30)×1016 cm‑3的气体传感器。本发明的气体传感器具有ppt‑ppb级检测下限和高的稳定性，并具有良好的生物相容性和环境友好性，可用于气体环境中NO2气体浓度的检测。
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公开(公告)号：CN114944439A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210677947.0
申请日：2022-06-16
申请人： 太原理工大学 , 山西浙大新材料与化工研究院
IPC分类号： H01L31/112 , H01L31/0312 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明属于半导体光电探测器技术领域，具体涉及一种晶体管型4H‑SiC紫外光电探测器及其制备方法，包括4H‑SiC基底，所述4H‑SiC基底的硅面上的设置有半透光的源电极和漏电极，所述4H‑SiC基底的碳面上设置有的不透光的栅电极。本发明制备方法简单，成本低廉，最终获得的紫外光探测器暗电流极低，且具有亮点流增益，响应度高的优点。
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公开(公告)号：CN114774121A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210596227.1
申请日：2022-05-30
申请人： 太原理工大学 , 山西浙大新材料与化工研究院
摘要： 本发明公开了一种基于双光子吸收的光限幅碳量子点，是以均苯三甲酸、尿素和硼酸为原料，在水中进行微波加热反应得到的水溶性的、具有光限幅特性的碳量子点。本发明将所述光限幅碳量子点加入到硅烷偶联剂水溶液中复合成膜，获得具有光限幅效果的碳量子点固态薄膜材料，用于制备光限幅器件。本发明的光限幅碳量子点在入射光能量密度达到6.27×1015W/m2时，对532nm激光的透过率可以下降57%。
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公开(公告)号：CN108511322B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201810273092.9
申请日：2018-03-29
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明属GaN薄膜制备技术领域，为解决目前GaN和异质衬底之间存在较大的晶格失配和热失配，在GaN薄膜中产生大量的穿透位错，严重影响设备性能等问题，提供一种在二维石墨衬底上制备GaN薄膜的方法。HOPG采用机械剥离法进行剥离获得石墨衬底材料，将剥离的石墨衬底材料转移至SiO2或Si衬底上形成石墨衬底，石墨衬底进行氧等离子处理，置于MOCVD反应室内反应形成AlGaN形核层，退火处理，生长GaN外延薄膜。获得的石墨厚度可控，实现了制备和转移一体化，避免中间过程带来的损伤，制备的晶体质量更好，且容易与外延层分离。制备的GaN薄膜受晶格匹配约束小，质量高，光电性能优异，能用于可转移的GaN基器件中。
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